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Transistoren (17799)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | Eingang | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Testedingung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Reverse Recovery Time (TRR) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) | Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id | Strom - Sammler Cutoff (max) | NTC Thermistor | Eingabekapazität (cies) @ vce | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | ISL9N303AP3 | - - - |  | 6692 | 0.00000000 | Onsemi | Ultrafet ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Isl9 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | N-Kanal | 30 v | 75a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,2 MOHM @ 75A, 10V | 3v @ 250 ähm | 172 NC @ 10 V | ± 20 V | 7000 PF @ 15 V | - - - | 215W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | NDCTR30120A | - - - | | 7745 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | NDCTR30120 | - - - | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 488-NDCTR30120ATR | 1.700 | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | HUFA76413DK8T-F085P | - - - | | 1708 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | HUFA76413 | MOSFET (Metalloxid) | 2,5 W (TA) | 8-soic | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 488-HUFA76413DK8T-F085PTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 5.1a (TC) | 49mohm @ 5.1a, 10V | 3v @ 250 ähm | 23nc @ 10v | 620PF @ 25V | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||||||||||||||
 | MMSF7N03ZR2 | 0,1900 | | 3 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NGTD30T120F2WP | - - - | | 4932 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Sterben | NGTD30 | Standard | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - - - | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 200 a | 2,4 V @ 15V, 40a | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | NVTYS010N04CLTWG | 0,5850 | | 2865 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-1205, 8-LFPAK56 | MOSFET (Metalloxid) | 8-lfpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 488-nvtys010n04Cltwgtr | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 13a (ta), 43a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9,5 MOHM @ 10a, 10V | 2,2 V @ 20 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 710 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TA), 32W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | FDMT80080DC | 5.2300 | | 8 | 0.00000000 | Onsemi | Dual Cool ™, Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | FDMT80080 | MOSFET (Metalloxid) | 8-Dual Cool ™ 88 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 36a (TA), 254a (TC) | 8 V, 10V | 1,35 MOHM @ 36A, 10V | 4v @ 250 ähm | 273 NC @ 10 V | ± 20 V | 20720 PF @ 40 V | - - - | 3,2 W (TA), 156W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | FQAF9P25 | - - - | | 7365 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3 Full Pack | Fqaf9 | MOSFET (Metalloxid) | To-3Pf | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 360 | P-Kanal | 250 V | 7.1a (TC) | 10V | 620mohm @ 3,55a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 30 v | 1180 PF @ 25 V. | - - - | 70W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | 2SB927T-AE | 0,1100 | | 8 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Verkäfer undefiniert | UnberÜHrt Ereichen | 2156-2SB927T-AE-488 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Fqa7n80 | - - - | | 6629 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3, SC-65-3 | FQA7 | MOSFET (Metalloxid) | To-3p | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 800 V | 7.2a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 3,6a, 10 V. | 5 V @ 250 ähm | 52 NC @ 10 V | ± 30 v | 1850 PF @ 25 V. | - - - | 198W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | NTMS4840NR2G | - - - | | 2867 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | NTMS48 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 4,5a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 24MOHM @ 6.9a, 10V | 3v @ 250 ähm | 9,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 520 PF @ 15 V | - - - | 680 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
| NXH200T120H3Q2F2STG | 198.2658 | | 2353 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | 679 w | Standard | 56-PIM/Q2Pack (93x47) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 488-NXH200T120H3Q2F2STG | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | Halbbrücke | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 330 a | 2,3 V @ 15V, 200a | 500 µA | NEIN | 35.615 NF @ 25 V. | ||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SK4084LS | 1.4100 | | 941 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | MOSFET (Metalloxid) | To-220fi (ls) | Herunterladen | Verkäfer undefiniert | UnberÜHrt Ereichen | 2156-2SK4084LS-488 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-Kanal | 500 V | 9,6a (TC) | 520mohm @ 7a, 10V | - - - | 38,4 NC @ 10 V. | 1000 PF @ 30 V | - - - | 2W (TA), 37W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | MGP15N40CLG | - - - | | 6319 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MGP15 | Logik | 150 w | To-220 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MGP15N40CLGOS | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 300 V, 6,5a, 1kohm | - - - | 440 v | 15 a | 50 a | 2,9 V @ 4V, 25a | - - - | -/4 µs | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BUV26 | - - - | | 8342 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | 85 w | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 90 v | 10 a | - - - | Npn | 1,5 V @ 1,2a, 12a | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 15GN03F-TL-E | 0,0700 | | 8 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NTMFS4C302NT3G | 1.9192 | | 1547 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Tablett | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 488-NTMFS4C302NN3G | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 30 v | 41A (TA), 230a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,15 MOHM @ 30a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 82 NC @ 10 V | ± 20 V | 5780 PF @ 15 V | - - - | 3.13W (TA), 96W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | Fdz1416nz | - - - | | 2441 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-XFBGA, WLCSP | FDZ1416 | MOSFET (Metalloxid) | 500 MW | 4-WLCSP (1,6x1,4) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 5.000 | 2 N-Kanal (dual) gemeinsame Abfluss | - - - | - - - | - - - | 1,3 V @ 250 ähm | 17nc @ 4,5V | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA1318S-AA | 0,0200 | | 18 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NXH400N100H4Q2F2SG | 322.7400 | | 36 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | 959 w | Standard | 42-PIM/Q2Pack (93x47) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 488-NXH400N100H4Q2F2SG | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | Drei -Level -Wechselrichter | TRABENFELD STOPP | 1000 v | 409 a | 2,3 V @ 15V, 400a | 500 µA | Ja | 26.093 NF @ 20 V | ||||||||||||||||||||||||||||
| Fw363-tl-e | 1.3000 | | 8 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC847AWT1G | 0,2100 | | 37 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BC847 | 150 MW | SC-70-3 (SOT323) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 110 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC536KG-NP-AA | 0,0200 | | 27 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FQT13N06LTF | 0,7000 | | 1671 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | FQT13N06 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-Kanal | 60 v | 2.8a (TC) | 5v, 10V | 110 MOHM @ 1,4a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 6.4 NC @ 5 V. | ± 20 V | 350 PF @ 25 V. | - - - | 2.1W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| 2SC4105n | 0,4600 | | 18 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 650 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | EFC6601R-TR | 0,9400 | | 5 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-XFBGA, FCBGA | EFC6601 | MOSFET (Metalloxid) | 2W | EFCP2718-6CE-020 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 2 n-kanal (dual) | - - - | - - - | - - - | - - - | 48nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -Tor, 2,5 V. | ||||||||||||||||||||||||||||
 | FGA40T65UQDF | - - - | | 6336 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3, SC-65-3 | FGA40T65 | Standard | 231 w | To-3pn | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | 400 V, 40a, 6OHM, 15 V. | 89 ns | Npt | 650 V | 80 a | 120 a | 1,67 V @ 15V, 40a | 989 µj (EIN), 310 µJ (AUS) | 306 NC | 32ns/271ns | ||||||||||||||||||||||||||
 | Fqpf7n65c | 1.7000 | | 986 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | Fqpf7 | MOSFET (Metalloxid) | To-220f-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 650 V | 7a (TC) | 10V | 1,4OHM @ 3,5a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 36 NC @ 10 V | ± 30 v | 1245 PF @ 25 V. | - - - | 52W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | PN4302 | - - - | | 3140 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | PN430 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | N-Kanal | - - - | 30 v | 500 µa @ 15 V | 4 V @ 1 na | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | KSA812LMTF | - - - | | 7337 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | KSA812 | 150 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | PNP | 300mv @ 10 mA, 100 mA | 300 @ 1ma, 6v | 180 MHz |
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