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Transistoren (17799)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Testedingung ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Reverse Recovery Time (TRR) IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
FQD5N30TM onsemi FQD5N30TM - - -
RFQ
 ECAD 5059 0.00000000 Onsemi QFET® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 FQD5 MOSFET (Metalloxid) To-252aa Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 300 V 4.4a (TC) 10V 900mohm @ 2.2a, 10 V. 5 V @ 250 ähm 13 NC @ 10 V ± 30 v 430 PF @ 25 V. - - - 2,5 W (TA), 45W (TC)
2SC3808 onsemi 2SC3808 - - -
RFQ
 ECAD 3179 0.00000000 Onsemi * Schüttgut Aktiv - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1
MCH3414-EBM-TL-E onsemi MCH3414-EBM-TL-E 0,0800
RFQ
 ECAD 99 0.00000000 Onsemi * Schüttgut Aktiv - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0095 3.000
SGL60N90DG3TU onsemi SGL60N90DG3TU - - -
RFQ
 ECAD 2783 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-264-3, to-264aa SGL60 Standard 180 w To-264-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 375 - - - 1,5 µs Graben 900 V 60 a 120 a 2,7 V @ 15V, 60a - - - 260 NC - - -
NTMFSC0D9N04CL onsemi NTMFSC0D9N04CL 5.0500
RFQ
 ECAD 8318 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn NTMFSC0 MOSFET (Metalloxid) 8-PQFN (5x6) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 40 v 313a (TC) 4,5 V, 10 V. - - - 2v @ 250 ähm 143 NC @ 10 V ± 20 V 8500 PF @ 20 V - - - 83W (TA)
NTD5C632NLT4G onsemi NTD5C632NLT4G 4.8200
RFQ
 ECAD 1936 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) Dpak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 60 v 29a (TA), 155a (TC) 4,5 V, 10 V. 2,5 MOHM @ 50A, 10V 2,1 V @ 250 ähm 34 NC @ 4,5 V. ± 20 V 5700 PF @ 25 V. - - - 4W (TA), 115W (TC)
NTD4809NA-1G onsemi NTD4809NA-1G - - -
RFQ
 ECAD 5704 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa NTD48 MOSFET (Metalloxid) I-Pak Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 75 N-Kanal 30 v 9,6a (TA), 58A (TC) 4,5 V, 11,5 V. 9mohm @ 30a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 13 NC @ 4,5 V. ± 20 V 1456 PF @ 12 V. - - - 1,3W (TA), 52W (TC)
NTMFS5C628NLT3G onsemi NTMFS5C628NLT3G 4.0800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn, 5 Leads NTMFS5 MOSFET (Metalloxid) 5-DFN (5x6) (8-SoFL) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 5.000 N-Kanal 60 v 150a (TC) 4,5 V, 10 V. 2,4 MOHM @ 50A, 10V 2v @ 135 ähm 52 NC @ 10 V ± 20 V 3600 PF @ 25 V. - - - 3,7W (TA), 110 W (TC)
5LP01M-TL-HX onsemi 5LP01M-TL-HX - - -
RFQ
 ECAD 9536 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 5LP01 - - - MCP - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 - - - 70 Ma (TJ) - - - - - - - - - - - -
FDMC7208S onsemi FDMC7208S 1,8000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Onsemi Powertrench® Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powerwdfn FDMC7208 MOSFET (Metalloxid) 800 MW 8-Power33 (3x3) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 2 n-kanal (dual) 30V 12a, 16a 9mohm @ 12a, 10V 3v @ 250 ähm 18nc @ 10v 1130pf @ 15V Logikpegel -tor
BD439 onsemi BD439 - - -
RFQ
 ECAD 7053 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-225aa, to-126-3 BD439 36 w To-126 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 500 60 v 4 a 100 µA (ICBO) Npn 800mv @ 300 mA, 3a 40 @ 500 mA, 1V 3MHz
2SD1816S-TL-E onsemi 2SD1816S-TL-E 1.3600
RFQ
 ECAD 880 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 2SD1816 1 w Tp-fa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 700 100 v 4 a 1 µA (ICBO) Npn 400mv @ 200 Ma, 2a 140 @ 500 mA, 5V 180 MHz
2SB1228 onsemi 2SB1228 0,5700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Onsemi * Schüttgut Aktiv Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1
FJPF5027RYDTU onsemi FJPF5027RYDTU - - -
RFQ
 ECAD 5817 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack FJPF5027 40 w To-220f-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 800 V 3 a 10 µA (ICBO) Npn 2v @ 300 mA, 1,5a 15 @ 200 Ma, 5V 15 MHz
2SB1216T-TL-H onsemi 2SB1216T-TL-H - - -
RFQ
 ECAD 7297 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 2SB1216 1 w Tp-fa Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 700 100 v 4 a 1 µA (ICBO) PNP 500mv @ 200 Ma, 2a 200 @ 500 Ma, 5V 130 MHz
MCH6660-TL-H onsemi MCH6660-TL-H - - -
RFQ
 ECAD 4980 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-smd, Flache Leitungen MCH6660 MOSFET (Metalloxid) 800 MW 6-mcph Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N und p-kanal 20V 2a, 1,5a 136mohm @ 1a, 4,5 V. - - - 1,8nc @ 4,5V 128PF @ 10V Logikpegel -tor
TIG074E8-TL-H onsemi TIG074E8-TL-H - - -
RFQ
 ECAD 3566 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-smd, Flaches Blei TIG074 Standard SOT-28FL/ECH8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 - - - - - - 400 V 150 a 5,4 V @ 2,5 V, 100a - - - - - -
MPS6562_D26Z onsemi MPS6562_D26Z - - -
RFQ
 ECAD 1631 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads MPS656 625 MW To-92-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 2.000 25 v 1 a 100na PNP 500 mv @ 50 mA, 500 mA 50 @ 500 mA, 1V 60 MHz
2SK2464-TL-E onsemi 2SK2464-tl-e 1.1000
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Onsemi * Schüttgut Aktiv - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1.500
FDT457N onsemi Fdt457n 1.0000
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa FDT457 MOSFET (Metalloxid) SOT-223-4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 4.000 N-Kanal 30 v 5a (ta) 4,5 V, 10 V. 60mohm @ 5a, 10V 3v @ 250 ähm 5,9 NC @ 5 V. ± 20 V 235 PF @ 15 V - - - 3W (TA)
MGSF3454XT1 onsemi MGSF3454XT1 0,2900
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Onsemi * Schüttgut Aktiv Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.21.0095 3.000
NTMFS4C06NAT3G onsemi NTMFS4C06NAT3G - - -
RFQ
 ECAD 9216 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn, 5 Leads NTMFS4 MOSFET (Metalloxid) 5-DFN (5x6) (8-SoFL) - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 488-NTMFS4C06NAT3GTR Ear99 8541.29.0095 5.000 N-Kanal 30 v 11A (TA), 69A (TC) 4,5 V, 10 V. 4mohm @ 30a, 10V 2,1 V @ 250 ähm 26 NC @ 10 V ± 20 V 1683 PF @ 15 V - - - 770 MW (TA), 30,5 W (TC)
FJNS3213RBU onsemi FJNS3213RBU - - -
RFQ
 ECAD 5688 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet K. Loch To-226-3, bis 92-3 Kurzkörper Fjns32 300 MW To-92s Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 10.000 50 v 100 ma 100NA (ICBO) NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 500 µA, 10 mA 68 @ 5ma, 5v 250 MHz 2.2 Kohms 47 Kohms
NTD3055L170 onsemi NTD3055L170 - - -
RFQ
 ECAD 9415 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 NTD30 MOSFET (Metalloxid) Dpak Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 75 N-Kanal 60 v 9a (ta) 5v 170 MOHM @ 4,5A, 5V 2v @ 250 ähm 10 nc @ 5 v ± 15 V 275 PF @ 25 V. - - - 1,5W (TA), 28,5W (TJ)
FCD600N65S3R0 onsemi FCD600N65S3R0 1.8300
RFQ
 ECAD 2859 0.00000000 Onsemi Superfet® III Band & Rollen (TR) Nicht für Designs -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 FCD600 MOSFET (Metalloxid) D-Pak (to-252) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 650 V 6a (TC) 10V 600mohm @ 3a, 10V 4,5 V @ 600 ähm 11 NC @ 10 V ± 30 v 465 PF @ 400 V - - - 54W (TC)
MPSW92RLRAG onsemi MPSW92RLRAG - - -
RFQ
 ECAD 9898 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) MPSW92 1 w To-92 (to-226) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 2.000 300 V 500 mA 250na (ICBO) PNP 500 mv @ 2MA, 20 mA 25 @ 30 Ma, 10V 50 MHz
FQA10N60C onsemi FQA10N60C - - -
RFQ
 ECAD 3157 0.00000000 Onsemi QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 Fqa1 MOSFET (Metalloxid) To-3p Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 600 V 10a (TC) 10V 730mohm @ 5a, 10V 4v @ 250 ähm 57 NC @ 10 V ± 30 v 2040 PF @ 25 V. - - - 192W (TC)
2N5087BU onsemi 2n5087bu - - -
RFQ
 ECAD 7120 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 2n5087 625 MW To-92-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1.000 50 v 100 ma 50na PNP 300 mV @ 1ma, 10 mA 250 @ 100 µA, 5V 40 MHz
NVH4L040N120SC1 onsemi NVH4L040N120SC1 40.0000
RFQ
 ECAD 384 0.00000000 Onsemi Automobil, AEC-Q101 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-4 NVH4L040 Sicfet (Silziumkarbid) To-247-4l Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen 488-NVH4L040N120SC1 Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 1200 V 58a (TC) 20V 56mohm @ 35a, 20V 4,3 V @ 10 mA 106 NC @ 20 V +25 V, -15 V 1762 PF @ 800 V - - - 319W (TC)
FGH50N6S2D onsemi FGH50N6S2D - - -
RFQ
 ECAD 9929 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 FGH50 Standard 463 w To-247-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 390 V, 30a, 3OHM, 15 V. 55 ns - - - 600 V 75 a 240 a 2,7 V @ 15V, 30a 260 µJ (EIN), 250 µJ (AUS) 70 nc 13ns/55ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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