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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Anwendungen | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Testedingung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Reverse Recovery Time (TRR) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) | Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id | Strom - Sammler Cutoff (max) | Ausfluss - rds (on) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | Strom Abfluss (ID) - Maximal |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MPS4356RLRA | 0,0800 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | To-92 | - - - | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8542.39.0001 | 2.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF644B-FP001 | - - - | ![]() | 7701 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Irf64 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 250 V | 14a (TC) | 10V | 280mohm @ 7a, 10V | 4v @ 250 ähm | 60 nc @ 10 v | ± 30 v | 1600 PF @ 25 V. | - - - | 139W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
FDPC8012s | 3.6300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | FDPC8012 | MOSFET (Metalloxid) | 800 MW, 900 MW | Powerclip-33 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (Dual) Asymmetrisch | 25 v | 13a, 26a | 7mohm @ 12a, 4,5 V. | 2,2 V @ 250 ähm | 8nc @ 4,5 V | 1075PF @ 13V | Logikpegel -tor | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NSS60101DMR6T1G | - - - | ![]() | 1205 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-74, SOT-457 | NSS60101 | 400 MW | SC-74 | - - - | Rohs Nick Konform | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 1a | 100NA (ICBO) | 2 NPN (Dual) | 250mv @ 50 Ma, 1a | 250 @ 100 mA, 5V | 200 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMC86260 | 2.6100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | FDMC86260 | MOSFET (Metalloxid) | Power33 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 150 v | 5.4a (TA), 16a (TC) | 6 V, 10V | 34mohm @ 5.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 21 NC @ 10 V | ± 20 V | 1330 PF @ 75 V | - - - | 2,3 W (TA), 54W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75831SK8T | - - - | ![]() | 1552 | 0.00000000 | Onsemi | Ultrafet ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | HUF75 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 150 v | 3a (ta) | 10V | 95mohm @ 3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 80 nc @ 20 V | ± 20 V | 1175 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3905 | 0,0700 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 625 MW | To-92 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 40 v | 200 ma | 50na | PNP | 400mv @ 5ma, 50 mA | 50 @ 10 ma, 1V | 200 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Smmun2111lt3g | 0,3300 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Smmun2111 | 246 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 35 @ 5ma, 10 V. | 10 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCH6336-P-TL-E | - - - | ![]() | 3790 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | 6-smd, Flache Leitungen | MCH63 | - - - | 6-mcph | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | - - - | 5a (TJ) | - - - | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SVD5867NLT4G | 0,7900 | ![]() | 9243 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SVD5867 | MOSFET (Metalloxid) | Dpak-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 22a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 39mohm @ 11a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 15 NC @ 10 V | ± 20 V | 675 PF @ 25 V. | - - - | 3,3 W (TA), 43W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB13N10TM | - - - | ![]() | 8862 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Fqb1 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 100 v | 12,8a (TC) | 10V | 180mohm @ 6.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 16 NC @ 10 V | ± 25 V | 450 PF @ 25 V. | - - - | 3,75W (TA), 65W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTMFS4C025NN1G | 1.1400 | ![]() | 639 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NTMFS4 | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 30 v | 20A (TA), 69A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3.41mohm @ 30a, 10V | 2,1 V @ 250 ähm | 26 NC @ 10 V | ± 20 V | 1683 PF @ 15 V | - - - | 2,55W (TA), 30,5 W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ntlus3a40pztag | 0,8300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Onsemi | µCool ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-udfn exponiert pad | Ntlus3 | MOSFET (Metalloxid) | 6-udfn (2x2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 4a (ta) | 1,5 V, 4,5 V. | 29mohm @ 6.4a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 29 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 2600 PF @ 15 V | - - - | 700 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGY120T65SPD-F085 | 15.4300 | ![]() | 406 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | FGY120 | Standard | 882 w | To-247-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 120a, 5ohm, 15 V. | 123 ns | TRABENFELD STOPP | 650 V | 240 a | 378 a | 1,85 V @ 15V, 120a | 6,8 µJ (EIN), 3,5 µJ (AUS) | 162 NC | 53ns/102ns | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | P2N2222Arl1g | - - - | ![]() | 5457 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | P2N222 | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 40 v | 600 mA | 10na | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 300 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NVMFS5C670NLWFT3G | - - - | ![]() | 9298 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NVMFS5 | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 60 v | 17a (Ta), 71a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6.1MOHM @ 35A, 10V | 2v @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 1400 PF @ 25 V. | - - - | 3.6W (TA), 61W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EFC4619R-a-tr | 0,2576 | ![]() | 2501 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-XFBGA, FCBGA | EFC4619 | - - - | EFCP1616-4CE-022 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SB1225 | 0,4300 | ![]() | 31 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Dta143z | 0,0200 | ![]() | 41 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Dta143 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mch3383-tl-w | - - - | ![]() | 9522 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-3 Flache Leitungen | MCH3383 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70FL/MCPH3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 3,5a (TA) | 0,9 V, 2,5 V. | 69mohm @ 1,5a, 2,5 V. | 800 mV @ 1ma | 6,2 NC @ 2,5 V. | ± 5 V | 1010 PF @ 6 V | - - - | 1W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CPH5905G-TL-E | - - - | ![]() | 9918 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 50 V NPN, 15 V N-Kanal | Allgemein Zweck | Oberflächenhalterung | SOT-23-5 Dünn, TSOT-23-5 | CPH5905 | 5-cph | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 150 Ma npn, 50 Ma n-kanal | NPN, N-Kanal | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EFC4618R-P-tr | - - - | ![]() | 4266 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-XFBGA, FCBGA | EFC4618 | MOSFET (Metalloxid) | 1.6W | EFCP1818-4CC-037 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 2 N-Kanal (dual) gemeinsame Abfluss | - - - | - - - | - - - | - - - | 25.4nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -Tor, 2,5 V. | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6341G | - - - | ![]() | 2016 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Tablett | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-204aa, to-3 | 2N6341 | 200 w | To-204 (to-3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 100 | 150 v | 25 a | 50 µA | Npn | 1,8 V @ 2,5a, 25a | 50 @ 500 mA, 2V | 40 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NGB18N40CLBT4G | - - - | ![]() | 1887 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Ngb18n | Logik | 115 w | D²pak | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | NGB18N40CLBT4GOS | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | - - - | - - - | 430 v | 18 a | 50 a | 2,5 V @ 4V, 15a | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TIP32CPWD | - - - | ![]() | 4887 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | TIP32 | - - - | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDU8580 | - - - | ![]() | 2141 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | FDU85 | MOSFET (Metalloxid) | I-Pak | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 20 v | 35a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9mohm @ 35a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 27 NC @ 10 V | ± 20 V | 1445 PF @ 10 V. | - - - | 49,5W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Nsvmmun2135lt1g | 0,3300 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Nsvmmun2135 | 246 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | 2.2 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK3666-3-TB-E | - - - | ![]() | 2574 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 2SK3666 | 200 MW | SMCP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 4pf @ 10v | 1,2 mA @ 10 v | 180 mV @ 1 µA | 200 Ohm | 10 ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF246A_J35Z | - - - | ![]() | 6753 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BF246 | 350 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | N-Kanal | - - - | 30 v | 30 mA @ 15 V | 600 mv @ 100 na | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NVMFS5A140PLZT3G | - - - | ![]() | 5188 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NVMFS5 | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | P-Kanal | 40 v | 20A (TA), 140a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4.2mohm @ 50a, 10V | 2,6 V @ 1ma | 136 NC @ 10 V | ± 20 V | 7400 PF @ 20 V | - - - | 3,8 W (TA), 200W (TC) |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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