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Transistoren (17799)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | Eingang | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Strom - Sammler Cutoff (max) | NTC Thermistor | Eingabekapazität (cies) @ vce | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | NTMFS4826NET3G | - - - |  | 7771 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NTMFS4 | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 30 v | 9,5a (TA), 66A (TC) | 4,5 V, 11,5 V. | 5.9mohm @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 20 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 1850 PF @ 12 V | - - - | 870 MW (TA), 41,7W (TC) | ||||||||||||||||||
 | Fqpf6n15 | - - - | | 4201 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | Fqpf6 | MOSFET (Metalloxid) | To-220f-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 150 v | 5a (TC) | 10V | 600 MOHM @ 2,5A, 10V | 4v @ 250 ähm | 8,5 NC @ 10 V | ± 25 V | 270 PF @ 25 V. | - - - | 38W (TC) | ||||||||||||||||||
 | 2N4125TFR | - - - | | 7393 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 2N4125 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 30 v | 200 ma | 50na (ICBO) | PNP | 400mv @ 5ma, 50 mA | 50 @ 2MA, 1V | - - - | ||||||||||||||||||||||
 | NTMFD1D4N02P1E | 2.5300 | | 2 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | NTMFD1 | MOSFET (Metalloxid) | 960 MW (TA), 1W (TA) | 8-PQFN (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (Dual) Asymmetrisch | 25 v | 13a (ta), 74a (TC), 24a (TA), 155A (TC) | 3,3 MOHM @ 20A, 10 V, 1,1MOHM @ 37A, 10 V. | 2 V @ 250 UA, 2 V @ 800 µA | 7,2nc @ 4,5 V, 21,5nc @ 4,5 V. | 1180pf @ 13v, 3603pf @ 13v | - - - | |||||||||||||||||||
 | FDZ2554p | - - - | | 9675 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 18-WFBGA | FDZ25 | MOSFET (Metalloxid) | 2.1W | 18-bga (2,5 x 4) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 6.5a | 28mohm @ 6,5a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 20nc @ 4,5 V | 1900pf @ 10v | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||||||
 | NXH80T120L2Q0P2G | 55.4179 | | 2527 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | NXH80T120 | 158 w | Standard | 20-PIM/Q0Pack (55x32,5) | Herunterladen | 488-NXH80T120L2Q0P2G | Ear99 | 8541.29.0095 | 24 | Drei -Level -Wechselrichter | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 67 a | 2,85 V @ 15V, 80a | 300 µA | Ja | 19.4 NF @ 20 V. | |||||||||||||||||||||
 | VEC2415-TL-E | - - - | | 1713 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | VEC2415 | MOSFET (Metalloxid) | 1W | SOT-28FL/VEC8 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 3a | 80MOHM @ 1,5A, 10V | 2,6 V @ 1ma | 10nc @ 10v | 505PF @ 20V | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||||||
 | NTB60N06L | - - - | | 3100 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | NTB60 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 60 v | 60a (ta) | 5v | 16mohm @ 30a, 5V | 2v @ 250 ähm | 65 NC @ 5 V | ± 15 V | 3075 PF @ 25 V. | - - - | 2,4W (TA), 150W (TJ) | |||||||||||||||||
 | FJN4312RBU | - - - | | 1428 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | Fjn431 | 300 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 40 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 1ma, 10 mA | 100 @ 1ma, 5V | 200 MHz | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||
| MPS6652RLRA | - - - | | 2449 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | MPS665 | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 40 v | 1 a | 100na | PNP | 600mv @ 100 mA, 1a | 50 @ 500 mA, 1V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||
| BC182_D27Z | - - - | | 6535 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC182 | 350 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 50 v | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 120 @ 2MA, 5V | 150 MHz | ||||||||||||||||||||||
 | FDMS86368-F085 | - - - | | 7187 | 0.00000000 | Onsemi | Automotive, AEC-Q101, Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | FDMS86368 | MOSFET (Metalloxid) | Power56 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 80A (TC) | 10V | 4,5 MOHM @ 80A, 10V | 4v @ 250 ähm | 75 NC @ 10 V | ± 20 V | 4350 PF @ 40 V | - - - | 214W (TC) | |||||||||||||||||
 | NTD5867NL-1G | - - - | | 4662 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | NTD58 | MOSFET (Metalloxid) | I-Pak | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 60 v | 20A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 39mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 15 NC @ 10 V | ± 20 V | 675 PF @ 25 V. | - - - | 36W (TC) | ||||||||||||||||||
| PN4275_D26Z | - - - | | 1626 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | PN427 | 350 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 15 v | 200 ma | 400NA (ICBO) | Npn | 500mv @ 10 mA, 100 mA | 35 @ 10 mA, 1V | - - - | ||||||||||||||||||||||
 | NVTFWS005N04CTAG | 1.5800 | | 2130 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 8-Powerwdfn | NVTFWS005 | MOSFET (Metalloxid) | 8-WDFN (3,3x3,3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 40 v | 17a (ta), 69a (TC) | 10V | 5.6mohm @ 35a, 10V | 3,5 V @ 40 ähm | 16 NC @ 10 V | ± 20 V | 1000 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 50W (TC) | |||||||||||||||||
 | FQD7N10TM | - - - | | 6517 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Fqd7 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 5.8a (TC) | 10V | 350 MOHM @ 2,9a, 10V | 4v @ 250 ähm | 7,5 NC @ 10 V | ± 25 V | 250 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | ||||||||||||||||||
 | FDP8447L | - - - | | 4013 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | FDP8447 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 40 v | 12A (TA), 50A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8.7mohm @ 14a, 10V | 3v @ 250 ähm | 49 NC @ 10 V. | ± 20 V | 2500 PF @ 20 V | - - - | 2W (TA), 60 W (TC) | |||||||||||||||||
 | NZT753 | 0,9200 | | 6 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | NZT753 | 1,2 w | SOT-223-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 100 v | 4 a | 100NA (ICBO) | PNP | 300 mV @ 50 Ma, 1a | 100 @ 500 mA, 2V | 75 MHz | |||||||||||||||||||||
 | FDG6320C_D87Z | - - - | | 8642 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | FDG6320 | MOSFET (Metalloxid) | 300 MW | SC-88 (SC-70-6) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N und p-kanal | 25 v | 220 mA, 140 mA | 4OHM @ 220 Ma, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 0,4nc @ 4,5 V | 9.5PF @ 10V | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||||||
| 2SA1753-7-TB-E | 0,0700 | | 351 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTMFS4C03NT1G | 2.0300 | | 2 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NTMFS4 | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 30 v | 30a (ta), 136a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,1 MOHM @ 30a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 45,2 NC @ 10 V. | ± 20 V | 3071 PF @ 15 V | - - - | 3.1W (TA), 64W (TC) | |||||||||||||||||
| Nttfs4c08ntag | 1.0800 | | 7075 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | NTTFS4 | MOSFET (Metalloxid) | 8-WDFN (3,3x3,3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 30 v | 9.3a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 5.9mohm @ 30a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 18.2 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1113 PF @ 15 V | - - - | 820 MW (TA), 25,5 W (TC) | |||||||||||||||||
 | 2SA1339S-AC | 0,0800 | | 41 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.806 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK212F-Spa | 1.0000 | | 3395 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SK3816-DL-1E | - - - | | 2697 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | 2SK3816 | MOSFET (Metalloxid) | To-263-2 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 60 v | 40a (ta) | 4 V, 10V | 26mohm @ 20a, 10V | - - - | 40 nc @ 10 v | ± 20 V | 1780 PF @ 20 V | - - - | 1,65W (TA), 50W (TC) | ||||||||||||||||||
| NVMFS5C466NWFT1G | 1.6800 | | 9075 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NVMFS5 | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 40 v | 15a (ta), 49a (TC) | 10V | 8.1MOHM @ 15a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 10 nc @ 10 v | ± 20 V | 625 PF @ 25 V. | - - - | 3,5 W (TA), 37W (TC) | |||||||||||||||||
 | MTD20P06HDL | - - - | | 4146 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SA1435 | 0,2200 | | 9659 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Nvmfd5877nlwft3g | - - - | | 2988 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | NVMFD5877 | MOSFET (Metalloxid) | 3.2W | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 6a | 39mohm @ 7.5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 20nc @ 10v | 540PF @ 25V | Logikpegel -tor | |||||||||||||||||||
 | NTD23N03R | - - - | | 8327 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Ntd23 | MOSFET (Metalloxid) | Dpak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 25 v | 3,8a (TA), 17,1a (TC) | 4V, 5V | 45mohm @ 6a, 10V | 2v @ 250 ähm | 3,76 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 225 PF @ 20 V | - - - | 1,14W (TA), 22,3W (TC) |
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