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Transistoren (17799)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket FET -Typ Testedingung ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min rds an) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Reverse Recovery Time (TRR) IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
PF5102 onsemi PF5102 - - -
RFQ
 ECAD 8936 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) PF5102 625 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 10.000 N-Kanal 16pf @ 15V 40 v 4 ma @ 15 v 700 mv @ 1 na
HUFA76629D3 onsemi HUFA76629D3 - - -
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 ECAD 2028 0.00000000 Onsemi Ultrafet ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa Hufa76 MOSFET (Metalloxid) I-Pak Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 75 N-Kanal 100 v 20A (TC) 4,5 V, 10 V. 52mohm @ 20a, 10V 3v @ 250 ähm 46 NC @ 10 V ± 16 v 1285 PF @ 25 V. - - - 110W (TC)
FQB4N20TM onsemi FQB4N20TM - - -
RFQ
 ECAD 5115 0.00000000 Onsemi QFET® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab FQB4 MOSFET (Metalloxid) D²pak (to-263) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 200 v 3.6a (TC) 10V 1,4OHM @ 1,8a, 10V 5 V @ 250 ähm 6,5 NC @ 10 V. ± 30 v 220 PF @ 25 V. - - - 3.13W (TA), 45W (TC)
FQP13N50C-G onsemi FQP13N50C-G 1.1500
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 ECAD 2505 0.00000000 Onsemi QFET® Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 - - - ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar 2832-FQP13N50C-G Ear99 8541.29.0095 218 N-Kanal 500 V 13a (TC) 10V 480MOHM @ 6.5a, 10V 4v @ 250 ähm 56 NC @ 10 V ± 30 v 2055 PF @ 25 V. - - - 195W (TC)
NVD5C446NT4G onsemi Nvd5c446nt4g 2.3300
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 ECAD 6989 0.00000000 Onsemi Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 NVD5C4 MOSFET (Metalloxid) Dpak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 488-nvd5c446nt4gtr Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 40 v 22A (TA), 105A (TC) 10V 3,5 MOHM @ 50A, 10V 4v @ 250 ähm 34,3 NC @ 10 V. ± 20 V 2300 PF @ 25 V. - - - 3.1W (TA), 66W (TC)
FQD7N20LTF onsemi FQD7N20LTF - - -
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 ECAD 5928 0.00000000 Onsemi QFET® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 Fqd7 MOSFET (Metalloxid) To-252aa Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 200 v 5.5a (TC) 5v, 10V 750MOHM @ 2.75a, 10 V 2v @ 250 ähm 9 NC @ 5 V ± 20 V 500 PF @ 25 V. - - - 2,5 W (TA), 45W (TC)
NTD20P06LG onsemi NTD20P06LG - - -
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 ECAD 8240 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 NTD20 MOSFET (Metalloxid) Dpak Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 75 P-Kanal 60 v 15,5a (TA) 5v 150 MOHM @ 7,5A, 5V 2v @ 250 ähm 26 NC @ 5 V ± 20 V 1190 PF @ 25 V. - - - 65W (TC)
NTD3055L170-1G onsemi NTD3055L170-1G - - -
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 ECAD 2880 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa NTD30 MOSFET (Metalloxid) I-Pak Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 75 N-Kanal 60 v 9a (ta) 5v 170 MOHM @ 4,5A, 5V 2v @ 250 ähm 10 nc @ 5 v ± 15 V 275 PF @ 25 V. - - - 1,5W (TA), 28,5W (TJ)
FDMS86550ET60 onsemi FDMS86550ET60 7.5300
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 ECAD 8 0.00000000 Onsemi Powertrench® Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn FDMS86550 MOSFET (Metalloxid) 8-PQFN (5x6) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen FDMS86550ET60TR Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 60 v 32A (TA), 245A (TC) 8 V, 10V 1,65 MOHM @ 32A, 10V 4,5 V @ 250 ähm 154 NC @ 10 V. ± 20 V 8235 PF @ 30 V - - - 3.3W (TA), 187W (TC)
MPSW92RLRAG onsemi MPSW92RLRAG - - -
RFQ
 ECAD 9898 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) MPSW92 1 w To-92 (to-226) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 2.000 300 V 500 mA 250na (ICBO) PNP 500 mv @ 2MA, 20 mA 25 @ 30 Ma, 10V 50 MHz
2SC5888 onsemi 2SC5888 - - -
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 ECAD 2934 0.00000000 Onsemi - - - Tasche Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack 2SC5888 2 w To-220ml Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-2SC5888-on Ear99 8541.29.0075 100 50 v 10 a 10 µA (ICBO) Npn 360 mv @ 250 mA, 5a 200 @ 1a, 2v 200 MHz
FCD600N65S3R0 onsemi FCD600N65S3R0 1.8300
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 ECAD 2859 0.00000000 Onsemi Superfet® III Band & Rollen (TR) Nicht für Designs -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 FCD600 MOSFET (Metalloxid) D-Pak (to-252) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 650 V 6a (TC) 10V 600mohm @ 3a, 10V 4,5 V @ 600 ähm 11 NC @ 10 V ± 30 v 465 PF @ 400 V - - - 54W (TC)
2SC3646S-P-TD-E onsemi 2SC3646S-P-TD-E - - -
RFQ
 ECAD 1038 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet - - - Oberflächenhalterung To-243aa 2SC3646 500 MW PCP - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 1.000 100 v 1 a 100NA (ICBO) Npn 400mv @ 40 mA, 400 mA 140 @ 100 mA, 5V 120 MHz
FGD3N60LSDTM onsemi FGD3N60LSDTM 1.3600
RFQ
 ECAD 7055 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 FGD3N60 Standard 40 w To-252aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 480 V, 3A, 470OHM, 10V 234 ns - - - 600 V 6 a 25 a 1,5 V @ 10V, 3a 250 µJ (EIN), 1MJ (AUS) 12,5 NC 40ns/600ns
NTMFS5C410NLTT3G onsemi NTMFS5C410NLTT3G - - -
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 ECAD 3870 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn, 5 Leads NTMFS5 MOSFET (Metalloxid) 5-DFN (5x6) (8-SoFL) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 5.000 N-Kanal 40 v 50a (TA), 330a (TC) 4,5 V, 10 V. 0,9 MOHM @ 50a, 10 V. 2v @ 250 ähm 143 NC @ 10 V ± 20 V 8862 PF @ 25 V. - - - 3,8 W (TA), 167W (TC)
MUN5138T1G onsemi Mun5138t1g 0,0271
RFQ
 ECAD 2089 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 Mun5138 202 MW SC-70-3 (SOT323) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 500NA PNP - VoreInensmen 250 mV @ 300 µA, 10 mA 160 @ 5ma, 10V 2.2 Kohms
2SC4486T-AN onsemi 2Sc4486t-an - - -
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 ECAD 9626 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet - - - K. Loch SC-71 2SC4486 3-nmp - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 - - - - - - - - - - - - - - -
FQD4P40TM-AM002 onsemi FQD4P40TM-Am002 - - -
RFQ
 ECAD 3742 0.00000000 Onsemi QFET® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 Fqd4 MOSFET (Metalloxid) To-252aa - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 P-Kanal 400 V 2.7a (TC) 10V 3,1OHM @ 1,35A, 10 V. 5 V @ 250 ähm 23 NC @ 10 V ± 30 v 680 PF @ 25 V. - - - 2,5 W (TA), 50 W (TC)
MSB92T1 onsemi MSB92T1 - - -
RFQ
 ECAD 6880 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet - - - Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MSB92 150 MW SC-59 - - - Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 300 V 150 Ma 250na (ICBO) PNP 500 mv @ 2MA, 20 mA 25 @ 30 Ma, 10V 50 MHz
2SA1344-TB-E onsemi 2SA1344-TB-E 0,0600
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 Onsemi * Schüttgut Aktiv - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0075 3.000
FJP3307DH2TU onsemi FJP3307DH2TU - - -
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 ECAD 4066 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 FJP330 80 w To-220-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 200 400 V 8 a - - - Npn 3v @ 2a, 8a 26 @ 2a, 5V - - -
2SA1943OTU onsemi 2SA1943OTU 5.1500
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 ECAD 2638 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Aktiv -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-264-3, to-264aa 2SA1943 150 w To-264-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 25 250 V 17 a 5 µA (ICBO) PNP 3v @ 800 mA, 8a 80 @ 1a, 5V 30 MHz
FGB20N6S2 onsemi FGB20N6S2 - - -
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 ECAD 1762 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab FGB2 Standard 125 w D²pak (to-263) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 390 V, 7a, 25 Ohm, 15 V - - - 600 V 28 a 40 a 2,7 V @ 15V, 7a 25 µJ (EIN), 58 µJ (AUS) 30 NC 7.7ns/87ns
DTC124EET1 onsemi DTC124EET1 0,0200
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 ECAD 27 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet Oberflächenhalterung SC-75, SOT-416 DTC124 200 MW SC-75, SOT-416 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 500NA NPN - VORGEPANNT 250 mV @ 300 µA, 10 mA 60 @ 5ma, 10V 22 Kohms 22 Kohms
NTMS4706NR2 onsemi NTMS4706NR2 - - -
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 ECAD 3226 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) NTMS47 MOSFET (Metalloxid) 8-soic Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 2.500 N-Kanal 30 v 6.4a (ta) 4,5 V, 10 V. 12mohm @ 10.3a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 15 NC @ 4,5 V ± 20 V 950 PF @ 24 V - - - 830 MW (TA)
MJ802 onsemi MJ802 1.7300
RFQ
 ECAD 4853 0.00000000 Onsemi - - - Tablett Veraltet - - - K. Loch To-204aa, to-3 MJ802 200 w To-204 (to-3) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 100 90 v 30 a - - - Npn 800 MV @ 750 Ma, 7,5a 25 @ 7,5a, 2v 2MHz
BC337TFR onsemi BC337TFR - - -
RFQ
 ECAD 5070 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads BC337 625 MW To-92-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 2.000 45 V 800 mA 100na Npn 700 mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 100 mA, 1V 100 MHz
MJ11030G onsemi MJ11030g - - -
RFQ
 ECAD 1044 0.00000000 Onsemi - - - Tablett Veraltet -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-204ae MJ110 300 w To-204 (to-3) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 100 90 v 50 a 2ma NPN - Darlington 3,5 V @ 500 Ma, 50a 1000 @ 25a, 5v - - -
NTJS4160NT1G onsemi NTJS4160NT1G - - -
RFQ
 ECAD 9537 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 NTJS41 MOSFET (Metalloxid) SC-88/SC70-6/SOT-363 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 30 v 1,8a (ta) 4,5 V, 10 V. 60MOHM @ 2,6a, 10V 2,4 V @ 250 ähm 2,75 NC @ 4,5 V. ± 20 V 230 PF @ 10 V. - - - 300 MW (TA)
BC184L_D27Z onsemi BC184L_D27Z - - -
RFQ
 ECAD 2861 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads BC184 350 MW To-92-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 2.000 30 v 500 mA 15NA (ICBO) Npn 250mv @ 5ma, 100 mA 130 @ 100 mA, 5V 150 MHz
  • Daily average RFQ Volume

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    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

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    15.000 m2

    Lagerhaus

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