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Transistoren (17799)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | Eingang | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Testedingung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Reverse Recovery Time (TRR) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | NTC Thermistor | Eingabekapazität (cies) @ vce | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDS8949 | 1.1500 |  | 274 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | FDS89 | MOSFET (Metalloxid) | 2W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | FDS8949TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 6a | 29mohm @ 6a, 10V | 3v @ 250 ähm | 11nc @ 5v | 955PF @ 20V | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||||||||||
 | Fqi1p50TU | - - - | | 3005 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | Fqi1 | MOSFET (Metalloxid) | I2pak (to-262) | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | P-Kanal | 500 V | 1,5a (TC) | 10V | 10.5OHM @ 750 mA, 10V | 5 V @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 30 v | 350 PF @ 25 V. | - - - | 3.13W (TA), 63W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | BC337-016G | - - - | | 9876 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | BC337 | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 45 V | 800 mA | 100na | Npn | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 210 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
 | NSV60200DMTWTBG | - - - | | 8310 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-WDFN Exponierte Pad | NSV60200 | 6-WDFN (2x2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 100NA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 450 mV @ 200 Ma, 2a | 150 @ 100 mA, 2V | 155 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | FGB3236-F085 | 1.8066 | | 5013 | 0.00000000 | Onsemi | Automotive, AEC-Q101, EcoSospark® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | FGB3236 | Logik | 187 w | D²pak (to-263) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | 300 V, 1kohm, 5V | - - - | 360 V | 44 a | 1,4 V @ 4V, 6a | - - - | 20 NC | -/5,4 µs | |||||||||||||||||||||||||
 | Nttfs4c55ntag | - - - | | 7229 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | NTTFS4 | - - - | 8-WDFN (3,3x3,3) | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Fdd45an06la0_f085 | - - - | | 3627 | 0.00000000 | Onsemi | Automotive, AEC-Q101, Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | FDD45 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 5.2a (TA), 25a (TC) | 5v, 10V | 36mohm @ 25a, 10V | 3v @ 250 ähm | 11 NC @ 5 V | ± 20 V | 880 PF @ 25 V. | - - - | 55W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | NGTB40N65IHL2WG | - - - | | 4683 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | NGTB40 | Standard | 300 w | To-247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 40a, 10ohm, 15 V. | 465 ns | TRABENFELD STOPP | 650 V | 80 a | 160 a | 2,2 V @ 15V, 40a | 360 µJ (AUS) | 135 NC | -/140ns | |||||||||||||||||||||||
 | 2SC3576 | 0,0800 | | 35 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | HGTP3N60A4D | - - - | | 5957 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | HGTP3N60 | Standard | 70 w | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | 390 V, 3a, 50 Ohm, 15 V | 29 ns | - - - | 600 V | 17 a | 40 a | 2,7 V @ 15V, 3a | 37 µJ (EIN), 25 µJ (AUS) | 21 NC | 6ns/73ns | |||||||||||||||||||||||
| KSC2335R | - - - | | 1241 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | KSC2335 | 1,5 w | To-220-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 200 | 400 V | 7 a | 10 µA (ICBO) | Npn | 1v @ 600 mA, 3a | 20 @ 1a, 5V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||
| NSV60200SMTWTBG | 0,2218 | | 4610 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-WDFN Exponierte Pad | NSV60200 | 1,8 w | 6-WDFN (2x2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 60 v | 2 a | 100NA (ICBO) | PNP | 450 mV @ 200 Ma, 2a | 150 @ 100 mA, 2V | 155 MHz | |||||||||||||||||||||||||||
 | NSS12100M3T5G | 0,6600 | | 7 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-723 | NSS12100 | 625 MW | SOT-723 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 12 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 410mv @ 100 mA, 1a | 120 @ 500 mA, 2V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||
 | FMS7G20US60 | - - - | | 6702 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Kasten | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | 25 Uhr-aa | Fms7 | 89 w | DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER | 25 Uhr-aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | Dreiphasen -Wechselrichter mit Bremse | - - - | 600 V | 20 a | 2,7 V @ 15V, 20a | 250 µA | Ja | 1.277 NF @ 30 V | ||||||||||||||||||||||||||
 | TIP115G | 1.0200 | | 510 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | TIP115 | 2 w | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 60 v | 2 a | 2ma | PNP - Darlington | 2,5 V @ 8ma, 2a | 1000 @ 1a, 4V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||
 | FDMD8280 | - - - | | 7510 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 12-Powerwdfn | FDMD82 | MOSFET (Metalloxid) | 1W | 12-Power3.3x5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 80V | 11a | 8.2mohm @ 11a, 10V | 4v @ 250 ähm | 44nc @ 10v | 3050pf @ 40V | - - - | |||||||||||||||||||||||||
 | NGTB40N120FL2WAG | - - - | | 5248 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-4 | NGTB40 | Standard | 536 w | To-247-4l | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 600 V, 40a, 10ohm, 15 V. | 240 ns | Feldstopp | 1200 V | 160 a | 160 a | 2,4 V @ 15V, 40a | 1,7MJ (EIN), 1,1MJ (AUS) | 313 NC | 30ns/145ns | |||||||||||||||||||||||
 | KSB1151YSTU | 0,9500 | | 1 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | KSB1151 | 1,3 w | To-126-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 60 | 60 v | 5 a | 10 µA (ICBO) | PNP | 300mv @ 200 Ma, 2a | 160 @ 2a, 1V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||
| KSE13003H3astu | - - - | | 7971 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | KSE13003 | 20 w | To-126-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 60 | 400 V | 1,5 a | - - - | Npn | 3v @ 500 mA, 1,5a | 19 @ 500 mA, 2V | 4MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
| HUF76645S3S | - - - | | 2376 | 0.00000000 | Onsemi | Ultrafet ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | HUF76 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 75a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 14mohm @ 75a, 10V | 3v @ 250 ähm | 153 NC @ 10 V | ± 16 v | 4400 PF @ 25 V. | - - - | 310W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | BCW33LT1 | - - - | | 3185 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BCW33 | 300 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 32 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | Npn | 250 mV @ 500 µA, 10 mA | 420 @ 2MA, 5V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||
 | FGA40S65SH | - - - | | 7242 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3, SC-65-3 | FGA40S65 | Standard | 268 w | To-3pn | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | 400 V, 40a, 6OHM, 15 V. | TRABENFELD STOPP | 650 V | 80 a | 120 a | 1,81v @ 15V, 40a | 194 µJ (Ein), 388 µj (AUS) | 73 NC | 19,2ns/68.8ns | ||||||||||||||||||||||||
 | MPS4356RLRA | 0,0800 | | 14 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | To-92 | - - - | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8542.39.0001 | 2.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PN200A_D75Z | - - - | | 3009 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | PN200 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 45 V | 500 mA | 50na | PNP | 400mv @ 20 mA, 200 mA | 300 @ 10 mA, 1V | 250 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
 | HGTG27N120BN | - - - | | 8218 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Hgtg27 | Standard | 500 w | To-247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | 960V, 27a, 3OHM, 15 V. | Npt | 1200 V | 72 a | 216 a | 2,7 V @ 15V, 27a | 2,2mj (EINS), 2,3mj (AUS) | 270 NC | 24ns/195ns | ||||||||||||||||||||||||
| FPF2G120BF07asp | - - - | | 3746 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Modul | FPF2 | 156 w | Standard | F2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 70 | 3 Unabhängig | Feldstopp | 650 V | 40 a | 2,2 V @ 15V, 40a | 250 µA | Ja | ||||||||||||||||||||||||||
| NGTB75N60SWG | - - - | | 4324 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | NGTB75 | Standard | 595 w | To-247-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 75A, 10OHM, 15 V. | 80 ns | - - - | 600 V | 100 a | 200 a | 2v @ 15V, 75a | 1,5mj (Ein), 1MJ (AUS) | 310 NC | 110ns/270ns | ||||||||||||||||||||||||
| 2SA984KE-AA | 0,0600 | | 10 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FGD5T120SH | 1.7400 | | 1717 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | FGD5T120 | Standard | 69 w | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 600 V, 5a, 30ohm, 15 V. | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 10 a | 12.5 a | 3,6 V @ 15V, 5a | 247 µJ (EIN), 94 µJ (AUS) | 6.7 NC | 4,8ns/24,8ns | ||||||||||||||||||||||||
 | Fw261-tl-e | 0,1100 | | 25 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.664 |
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