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Transistoren (17799)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Testedingung ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Reverse Recovery Time (TRR) IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
IRFS644BYDTU_AS001 onsemi IRFS644BYDTU_AS001 - - -
RFQ
 ECAD 7435 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack IRFS6 MOSFET (Metalloxid) To-220f-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 250 V 14a (TC) 10V 280mohm @ 7a, 10V 4v @ 250 ähm 60 nc @ 10 v ± 30 v 1600 PF @ 25 V. - - - 43W (TC)
ISL9V2540S3ST onsemi ISL9V2540S3ST - - -
RFQ
 ECAD 9628 0.00000000 Onsemi ECOSPARK® Band & Rollen (TR) Lets Kaufen -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab ISL9v2540 Logik 166,7 w D²pak (to-263) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 800 300 V, 1kohm, 5V - - - 430 v 15.5 a 1,8 V @ 4V, 6a - - - 15.1 NC -/3,64 µs
KSH112GTM_NB82051 onsemi KSH112GTM_NB82051 - - -
RFQ
 ECAD 6169 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 KSH11 1,75 w D-Pak Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 100 v 2 a 20 µA NPN - Darlington 3v @ 40 mA, 4a 1000 @ 2a, 3v 25 MHz
FGI40N60SFTU onsemi FGI40N60SFTU - - -
RFQ
 ECAD 1154 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa FGI4 Standard 290 w I2pak (to-262) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 400 V, 40a, 10ohm, 15 V. Feldstopp 600 V 80 a 120 a 2,9 V @ 15V, 40a 1,13 MJ (EIN), 310 µJ (AUS) 120 NC 25ns/115ns
FDD3682-F085 onsemi FDD3682-F085 - - -
RFQ
 ECAD 4876 0.00000000 Onsemi Automotive, AEC-Q101, Powertrench® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 FDD368 MOSFET (Metalloxid) To-252aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 100 v 5,5a (TA), 32A (TC) 6 V, 10V 36mohm @ 32a, 10V 4v @ 250 ähm 28 NC @ 10 V ± 20 V 1250 PF @ 25 V. - - - 95W (TC)
FDD5N50TF_WS onsemi FDD5N50TF_WS - - -
RFQ
 ECAD 2766 0.00000000 Onsemi Unifet ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 FDD5 MOSFET (Metalloxid) To-252aa Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 500 V 4a (TC) 10V 1,4ohm @ 2a, 10 V. 5 V @ 250 ähm 15 NC @ 10 V ± 30 v 640 PF @ 25 V. - - - 40W (TC)
FDD6N50TM onsemi FDD6N50TM - - -
RFQ
 ECAD 6395 0.00000000 Onsemi Unifet ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 FDD6N50 MOSFET (Metalloxid) To-252aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 500 V 6a (TC) 10V 900mohm @ 3a, 10V 5 V @ 250 ähm 16.6 NC @ 10 V. ± 30 v 9400 PF @ 25 V. - - - 89W (TC)
FDD8445-F085 onsemi FDD8445-F085 - - -
RFQ
 ECAD 1298 0.00000000 Onsemi Automotive, AEC-Q101, Powertrench® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 FDD844 MOSFET (Metalloxid) To-252aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 40 v 70a (TC) 10V 8.7mohm @ 50a, 10V 4v @ 250 ähm 59 NC @ 10 V ± 20 V 4050 PF @ 25 V. - - - 79W (TC)
FDPF3860T onsemi FDPF3860T 1.5100
RFQ
 ECAD 2576 0.00000000 Onsemi Powertrench® Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack FDPF3860 MOSFET (Metalloxid) To-220f-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 100 v 20A (TC) 10V 38.2mohm @ 5.9a, 10V 4,5 V @ 250 ähm 35 NC @ 10 V ± 20 V 1800 PF @ 25 V. - - - 33.8W (TC)
FDS3680 onsemi FDS3680 - - -
RFQ
 ECAD 5702 0.00000000 Onsemi Powertrench® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) FDS36 MOSFET (Metalloxid) 8-soic Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 100 v 5.2a (TA) 6 V, 10V 46mohm @ 5.2a, 10V 4v @ 250 ähm 53 NC @ 10 V ± 20 V 1735 PF @ 50 V - - - 2,5 W (TA)
FDS6680S onsemi FDS6680s - - -
RFQ
 ECAD 6061 0.00000000 Onsemi Powertrench® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) FDS66 MOSFET (Metalloxid) 8-soic Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 30 v 11,5a (ta) 4,5 V, 10 V. 11mohm @ 11.5a, 10V 3v @ 250 ähm 24 nc @ 5 v ± 20 V 2010 PF @ 15 V - - - 2,5 W (TA)
FDS6990AS onsemi FDS6990As - - -
RFQ
 ECAD 3532 0.00000000 Onsemi Powertrench®, SyncFet ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) FDS6990 MOSFET (Metalloxid) 900 MW 8-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 2.500 2 n-kanal (dual) 30V 7.5a 22mohm @ 7,5a, 10V 3V @ 1ma 14nc @ 5v 550pf @ 15V Logikpegel -tor
FDS8978 onsemi FDS8978 1.0100
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Onsemi Powertrench® Band & Rollen (TR) Lets Kaufen -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) FDS89 MOSFET (Metalloxid) 1.6W 8-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 2 n-kanal (dual) 30V 7.5a 18Mohm @ 7.5a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 26nc @ 10v 1270PF @ 15V Logikpegel -tor
FDV303N_NB9U008 onsemi FDV303N_NB9U008 - - -
RFQ
 ECAD 5764 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 FDV30 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 25 v 680 Ma (TA) 2,7 V, 4,5 V. 450MOHM @ 500 Ma, 4,5 V. 1,5 V @ 250 ähm 2,3 NC @ 4,5 V. 8v 50 PF @ 10 V - - - 350 MW (TA)
FGA25N120ANTDTU-F109 onsemi FGA25N120ANTDTU-F109 - - -
RFQ
 ECAD 7814 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 FGA25N120 Standard 312 w To-3p Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 600 V, 25a, 10ohm, 15 V. 350 ns Npt und griffen 1200 V 50 a 90 a 2,65 V @ 15V, 50A 4,1MJ (EIN), 960 UJ (AUS) 200 NC 50ns/190ns
FGA50N100BNTDTU onsemi FGA50N100BNTDU - - -
RFQ
 ECAD 5546 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 FGA50N100 Standard 156 w To-3p Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 450 - - - 1,5 µs Npt und griffen 1000 v 50 a 100 a 2,9 V @ 15V, 60a - - - 275 NC - - -
2SA1962RTU onsemi 2SA1962Rtu - - -
RFQ
 ECAD 8819 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 2SA1962 130 w To-3p Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen 2832-2SA1962Rtu Ear99 8541.29.0075 450 250 V 17 a 5 µA (ICBO) PNP 3v @ 800 mA, 8a 55 @ 1a, 5v 30 MHz
BC183C_J35Z onsemi BC183C_J35Z - - -
RFQ
 ECAD 9672 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads BC183 350 MW To-92-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 2.000 30 v 100 ma 15NA (ICBO) Npn 600mv @ 5ma, 100 mA 120 @ 2MA, 5V 150 MHz
BC184C_J35Z onsemi BC184C_J35Z - - -
RFQ
 ECAD 8199 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads BC184 350 MW To-92-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 2.000 30 v 500 mA 15NA (ICBO) Npn 250mv @ 5ma, 100 mA 250 @ 2MA, 5V 150 MHz
BC212LB_J35Z onsemi BC212LB_J35Z - - -
RFQ
 ECAD 2882 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads BC212 350 MW To-92-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 2.000 50 v 100 ma 15NA (ICBO) PNP 600mv @ 5ma, 100 mA 60 @ 2MA, 5V - - -
BC237A_J35Z onsemi BC237A_J35Z - - -
RFQ
 ECAD 4496 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads BC237 500 MW To-92-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 2.000 45 V 100 ma 15na Npn 600mv @ 5ma, 100 mA 120 @ 2MA, 5V 250 MHz
BC238A_J35Z onsemi BC238A_J35Z - - -
RFQ
 ECAD 6170 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads BC238 500 MW To-92-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 2.000 25 v 100 ma 15na Npn 600mv @ 5ma, 100 mA 120 @ 2MA, 5V 250 MHz
BC308A_J35Z onsemi BC308A_J35Z - - -
RFQ
 ECAD 6361 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads BC308 500 MW To-92-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 2.000 25 v 100 ma 15na PNP 500 mV @ 5ma, 100 mA 120 @ 2MA, 5V 130 MHz
BC32716_J35Z onsemi BC32716_J35Z - - -
RFQ
 ECAD 4611 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads BC327 625 MW To-92-3 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 2.000 45 V 800 mA 100na PNP 700 mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 100 mA, 1V 100 MHz
BC32725_J35Z onsemi BC32725_J35Z - - -
RFQ
 ECAD 2010 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads BC327 625 MW To-92-3 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 2.000 45 V 800 mA 100na PNP 700 mv @ 50 mA, 500 mA 160 @ 100 mA, 1V 100 MHz
BC327A_J35Z onsemi BC327A_J35Z - - -
RFQ
 ECAD 2701 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads BC327 625 MW To-92-3 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 2.000 45 V 800 mA 100na PNP 700 mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 100 mA, 1V 100 MHz
BC547_J35Z onsemi BC547_J35Z - - -
RFQ
 ECAD 8620 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads BC547 500 MW To-92-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 2.000 45 V 100 ma 15NA (ICBO) Npn 600mv @ 5ma, 100 mA 110 @ 2MA, 5V 300 MHz
BC550_J35Z onsemi BC550_J35Z - - -
RFQ
 ECAD 6001 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads BC550 500 MW To-92-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 2.000 45 V 100 ma 15NA (ICBO) Npn 600mv @ 5ma, 100 mA 110 @ 2MA, 5V 300 MHz
BF246A_J35Z onsemi BF246A_J35Z - - -
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 ECAD 6753 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads BF246 350 MW To-92-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 2.000 N-Kanal - - - 30 v 30 mA @ 15 V 600 mv @ 100 na
BF246B_J35Z onsemi BF246B_J35Z - - -
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 ECAD 3850 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads BF246 625 MW To-92-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 2.000 N-Kanal - - - 25 v 60 mA @ 15 V 600 mv @ 10 na
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