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Transistoren (17799)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | Eingang | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Spannung - Ausgang | FET -Typ | Testedingung | Stromspannung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) | Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id | Strom - Sammler Cutoff (max) | NTC Thermistor | Eingabekapazität (cies) @ vce | Ausfluss - rds (on) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Spannung - Offset (VT) | Strom - Tor zu Anodenleckage (Igao) | Strom - tal (iv) | Strom - Peak |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | FCPF21N60NT | - - - |  | 9839 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | K. Loch | To-220-3 Full Pack | FCPF21 | MOSFET (Metalloxid) | To-220f-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | KSP26BU | - - - | | 2998 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | KSP26 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 50 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Darlington | 1,5 V @ 100 µA, 100 mA | 10000 @ 100 mA, 5V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | EC4301C-TL | 0,0600 | | 350 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Ntmt190N65S3HF | 6.6500 | | 3892 | 0.00000000 | Onsemi | Superfet® III, FRFET® | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-Powertsfn | MOSFET (Metalloxid) | 4-pqfn (8x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 488-NTMT190N65S3HFTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 650 V | 20A (TC) | 10V | 190mohm @ 10a, 10V | 5 V @ 430 ähm | 34 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1610 PF @ 400 V | - - - | 162W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZT3904 | - - - | | 3899 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | PZT390 | 1 w | SOT-223-4 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 40 v | 200 ma | - - - | Npn | 300mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 300 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NVLJWS6D0N04CLTAG | 0,3652 | | 7658 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 6-Powerwdfn | NVLJWS6 | MOSFET (Metalloxid) | 6-WDFNW (2.05x2.05) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 488-NVLJWS6D0N04ClTAGTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 15a (ta), 68a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5mohm @ 10a, 10V | 2 V @ 34 µA | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 1150 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 46 W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | Ntd3813nt4g | - - - | | 8313 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Ntd38 | MOSFET (Metalloxid) | Dpak | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 16 v | 9,6a (TA), 51A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8.75mohm @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 12,8 NC @ 4,5 V. | ± 16 v | 963 PF @ 12 V | - - - | 1,2W (TA), 34,9W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FMG2G75US60 | - - - | | 8439 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | 19 Uhr-Ga | Fmg2 | 310 w | Standard | 19 Uhr-Ga | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 15 | Halbbrücke | - - - | 600 V | 75 a | 2,8 V @ 15V, 75a | 250 µA | NEIN | 7.056 NF @ 30 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FDW256P | - - - | | 5143 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | FDW25 | MOSFET (Metalloxid) | 8-tssop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 8a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 13,5 MOHM @ 8a, 10V | 3v @ 250 ähm | 38 NC @ 5 V. | ± 25 V | 2267 PF @ 15 V | - - - | 1,3W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC3952d | - - - | | 2933 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2N6028RLRMG | - - - | | 3674 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 2N6028 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.30.0080 | 2.000 | 11V | 40V | 300 MW | 600 mv | 10 Na | 25 µA | 150 na | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD1684S | 0,2900 | | 7 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Fdd24an06la0_sb82179 | - - - | | 3218 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | FDD24 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | - - - | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 60 v | 7.1a (TA), 40a (TC) | 5v, 10V | 19Mohm @ 40a, 10V | 2v @ 250 ähm | 21 NC @ 5 V | ± 20 V | 1850 PF @ 25 V. | - - - | 75W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK3816-dl-e | - - - | | 4454 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 2SK3816 | MOSFET (Metalloxid) | SMP-FD | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 60 v | 40a (ta) | 4 V, 10V | 26mohm @ 20a, 10V | 2,6 V @ 1ma | 40 nc @ 10 v | ± 20 V | 1780 PF @ 20 V | - - - | 1,65W (TA), 50W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Fqpf3p20 | - - - | | 3390 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | Fqpf3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220f-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | P-Kanal | 200 v | 2.2a (TC) | 10V | 2,7OHM @ 1,1a, 10 V. | 5 V @ 250 ähm | 8 NC @ 10 V | ± 30 v | 250 PF @ 25 V. | - - - | 32W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| NDD05N50ZT4G | - - - | | 1306 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | NDD05 | MOSFET (Metalloxid) | Dpak | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 500 V | 4.7a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 2,2a, 10 V. | 4,5 V @ 50 µA | 18,5 NC @ 10 V. | ± 30 v | 530 PF @ 25 V. | - - - | 83W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFC2K112NUZTDG | - - - | | 5123 | 0.00000000 | Onsemi | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | EFC2K112 | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 488-efc2k112nuztdgtr | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NVBG020N120SC1 | 55.8500 | | 3527 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-8, d²pak (7 Leitungen + Tab), to-263ca | NVBG020 | Sicfet (Silziumkarbid) | D2pak-7 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 488-NVBG020N120SC1TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 1200 V | 8.6a (TA), 98A (TC) | 20V | 28mohm @ 60a, 20V | 4,3 V @ 20 mA | 220 NC @ 20 V | +25 V, -15 V | 2943 PF @ 800 V | - - - | 3,7W (TA), 468W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| PN4392_D26Z | - - - | | 6300 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | PN439 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | N-Kanal | 14pf @ 20V | 30 v | 25 mA @ 20 V | 2 V @ 1 na | 60 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FDBL0330N80 | 5.6900 | | 1 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerfn | FDBL0330 | MOSFET (Metalloxid) | 8-hpsof | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 80 v | 220a (TC) | 10V | 3mohm @ 80a, 10V | 4v @ 250 ähm | 112 NC @ 10 V | ± 20 V | 6320 PF @ 40 V | - - - | 300 W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| J202_D74Z | - - - | | 9343 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | J202 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | N-Kanal | - - - | 40 v | 900 µa @ 20 V | 800 mv @ 10 na | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FDP075N15A-F102 | 6.6100 | | 871 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | FDP075 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 150 v | 130a (TC) | 10V | 7,5 MOHM @ 100A, 10V | 4v @ 250 ähm | 100 nc @ 10 v | ± 20 V | 7350 PF @ 75 V | - - - | 333W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FDMC15N06 | 0,7788 | | 6654 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | FDMC15 | MOSFET (Metalloxid) | 8-MLP (3,3x3,3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 55 v | 2,4a (TA), 15a (TC) | 10V | 900mohm @ 15a, 10V | 4v @ 250 ähm | 11,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 350 PF @ 25 V. | - - - | 2,3 W (TA), 35 W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TIP42 | - - - | | 6291 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | TIP42 | 2 w | To-220-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 200 | 40 v | 6 a | 700 ähm | PNP | 1,5 V @ 600 Ma, 6a | 15 @ 3a, 4V | 3MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FGD3040G2-F085D | - - - | | 1620 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | FGD3040 | - - - | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC849CLT1G | 0,1400 | | 4 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC849 | 300 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 v | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 420 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PCFG40T65SQF | - - - | | 2037 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Sterben | Standard | Wafer | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 488-PCFG40T65SQFTR | Ear99 | 8541.29.0040 | 2.500 | - - - | Feldstopp | 650 V | 160 a | 2,1 V @ 15V, 40a | - - - | 80 nc | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDD9509L | - - - | | 3302 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 488-FDD9509L | Veraltet | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FDB3652 | 2.2200 | | 5895 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | FDB365 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 100 v | 9A (TA), 61A (TC) | 6 V, 10V | 16mohm @ 61a, 10V | 4v @ 250 ähm | 53 NC @ 10 V | ± 20 V | 2880 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2N6519RLRA | 0,1000 | | 12 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 |
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