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Transistoren (17799)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Testedingung | Leistung - Ausgang | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | RAUSCHFIGUR | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) | Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id | Strom - Sammler Cutoff (max) | Ausfluss - rds (on) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | NVMFS6H864NT1G | 0,9300 |  | 3414 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NVMFS6 | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 80 v | 6.7A (TA), 21A (TC) | 10V | 32mohm @ 5a, 10V | 4V @ 20 ähm | 6,9 NC @ 10 V. | ± 20 V | 370 PF @ 40 V | - - - | 3,5 W (TA), 33W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Fcmt299n60 | 4.3400 | | 2 | 0.00000000 | Onsemi | Superfet® II | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-Powertsfn | Fcmt299 | MOSFET (Metalloxid) | Power88 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 600 V | 12a (ta) | 10V | 299Mohm @ 6a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 51 NC @ 10 V | ± 20 V | 1948 PF @ 380 V. | - - - | 125W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFS5C430NLT1G | - - - | | 4574 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NVMFS5 | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 40 v | 200a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,5 MOHM @ 50a, 10V | 2v @ 250 ähm | 70 nc @ 10 v | ± 20 V | 4300 PF @ 20 V | - - - | 3,8 W (TA), 110 W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | FDB390N15A | 2.1800 | | 4 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | FDB390 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 150 v | 27a (TC) | 10V | 39mohm @ 27a, 10V | 4v @ 250 ähm | 18,6 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1285 PF @ 75 V | - - - | 75W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | FCD380N60E | 2.4600 | | 5228 | 0.00000000 | Onsemi | Superfet® II | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | FCD380 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 600 V | 10.2a (TC) | 10V | 380Mohm @ 5a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 45 nc @ 10 v | ± 20 V | 1770 PF @ 25 V. | - - - | 106W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Ntd4815nt4g | - - - | | 2034 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | NTD48 | MOSFET (Metalloxid) | Dpak | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 6,9a (TA), 35A (TC) | 4,5 V, 11,5 V. | 15mohm @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 6,6 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 770 PF @ 12 V | - - - | 1,26W (TA), 32,6W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | FDS6692A | - - - | | 7280 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | FDS6692 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 9a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 11,5 MOHM @ 9A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 29 NC @ 10 V | ± 20 V | 1610 PF @ 15 V | - - - | 1.47W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Fdpf18n20ft | 1.6300 | | 4568 | 0.00000000 | Onsemi | Unifet ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | FDPF18 | MOSFET (Metalloxid) | To-220f-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 200 v | 18a (TC) | 10V | 140MOHM @ 9A, 10V | 5 V @ 250 ähm | 26 NC @ 10 V | ± 30 v | 1180 PF @ 25 V. | - - - | 41W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | EFC4630R-tr | - - - | | 9188 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-XFBGA | EFC4630 | MOSFET (Metalloxid) | 1.6W | EFCP1313-4CC-037 | - - - | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 N-Kanal (dual) gemeinsame Abfluss | 24 v | 6a (ta) | 45mohm @ 3a, 4,5 V. | 1,3 V @ 1ma | 7nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -Tor, 2,5 V. | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | J304_D26Z | - - - | | 2792 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 30 v | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | J304 | - - - | Jfet | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | N-Kanal | 15 Ma | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | HUF75339P3 | 1.9500 | | 142 | 0.00000000 | Onsemi | Ultrafet ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | HUF75339 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 2166-HUF75339P3-488 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 55 v | 75a (TC) | 10V | 12mohm @ 75a, 10V | 4v @ 250 ähm | 130 NC @ 20 V | ± 20 V | 2000 PF @ 25 V. | - - - | 200W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
| NTMFS5C677NLT1G | 4.8059 | | 5192 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NTMFS5 | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 60 v | 11a (ta), 36a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 15mohm @ 10a, 10V | 2 V @ 25 µA | 9.7 NC @ 10 V. | ± 20 V | 620 PF @ 25 V. | - - - | 3,5 W (TA), 37W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Sft1341-c-tl-e | - - - | | 7694 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SFT134 | MOSFET (Metalloxid) | Dpak/tp-fa | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 40 v | 10a (ta) | 112mohm @ 5a, 4,5 V. | 1,4 V @ 1ma | 8 NC @ 4,5 V. | 650 PF @ 20 V | - - - | 1W (TA), 15W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BD180 | - - - | | 8678 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | BD180 | 30 w | To-126 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | 80 v | 3 a | 1ma (ICBO) | PNP | 800mv @ 100 mA, 1a | 40 @ 150 mA, 2V | 3MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| J175_D75Z | - - - | | 7943 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | J175 | 350 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | P-Kanal | - - - | 30 v | 7 ma @ 15 V | 3 v @ 10 na | 125 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HUF755545S3S | - - - | | 5219 | 0.00000000 | Onsemi | Ultrafet ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | HUF75 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 80 v | 75a (TC) | 10V | 10MOHM @ 75A, 10V | 4v @ 250 ähm | 235 NC @ 20 V | ± 20 V | 3750 PF @ 25 V. | - - - | 270W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SGR15N40LTM | - - - | | 2330 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SGR15 | Standard | 45 w | To-252aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | - - - | Graben | 400 V | 130 a | 8v @ 4,5 V, 130a | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FDMS2D5N08C | 3.0200 | | 2462 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | FDMS2D5 | MOSFET (Metalloxid) | Power56 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 166a (TC) | 6 V, 10V | 2,7 MOHM @ 68A, 10V | 4V @ 380 ua | 84 NC @ 10 V | ± 20 V | 6240 PF @ 40 V | - - - | 138W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | CPH3341-TL-E | 0,2500 | | 53 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-96 | MOSFET (Metalloxid) | 3-cph | Herunterladen | Nicht Anwendbar | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 5a (ta) | 45mohm @ 2,5a, 10V | - - - | 21.8 NC @ 10 V | 1115 PF @ 10 V | - - - | 1.2W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NVTFWS052P04M8LTAG | 0,9100 | | 8917 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | NVTFWS052 | MOSFET (Metalloxid) | 8-WDFN (3,3x3,3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | P-Kanal | 40 v | 4,7a (TA), 13,2a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 69mohm @ 5a, 10V | 2,4 V @ 95 ähm | 6.3 NC @ 10 V | ± 20 V | 424 PF @ 20 V | - - - | 2,9W (TA), 23W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
| FQD10N20CTM | - - - | | 2561 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | FQD10N20 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 200 v | 7.8a (TC) | 10V | 360 MOHM @ 3,9a, 10V | 4v @ 250 ähm | 26 NC @ 10 V | ± 30 v | 510 PF @ 25 V. | - - - | 50W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | NGTB20N120IHLWG | - - - | | 8923 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | NGTB20 | Standard | 192 w | To-247-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 600 V, 20A, 10OHM, 15 V. | - - - | 1200 V | 40 a | 200 a | 2,2 V @ 15V, 20a | 700 µJ (AUS) | 200 NC | -/235ns | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | MCH6336-TL-E-on | 0,1600 | | 14 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Flache Leitungen | MOSFET (Metalloxid) | SC-88FL/ MCPH6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 0000.00.0000 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 5a (ta) | 43mohm @ 3a, 4,5 V. | 1,4 V @ 1ma | 6,9 NC @ 4,5 V. | ± 10 V | 660 PF @ 6 V. | - - - | 1,5 W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| FDPF18N50 | 3.0600 | | 9 | 0.00000000 | Onsemi | Unifet ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | FDPF18 | MOSFET (Metalloxid) | To-220f-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 18a (TC) | 10V | 265mohm @ 9a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 60 nc @ 10 v | ± 30 v | 2860 PF @ 25 V. | - - - | 38,5W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | FMBS5551 | - - - | | 7112 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | Fmbs5 | 700 MW | Supersot ™ -6 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 160 v | 600 mA | 50na (ICBO) | Npn | 200mv @ 5ma, 50 mA | 80 @ 10ma, 5V | 300 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FCPF190N65FL1-F154 | 4.7500 | | 971 | 0.00000000 | Onsemi | FRFET®, Superfet® II | Rohr | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | FCPF190 | MOSFET (Metalloxid) | To-220f-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 650 V | 20,6a (TC) | 190mohm @ 10a, 10V | 5v @ 2MA | 78 NC @ 10 V | ± 20 V | 3055 PF @ 100 V | - - - | 39W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | FQA18N50V2 | - - - | | 9188 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3, SC-65-3 | Fqa1 | MOSFET (Metalloxid) | To-3p | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | N-Kanal | 500 V | 20A (TC) | 10V | 265mohm @ 10a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 55 NC @ 10 V | ± 30 v | 3290 PF @ 25 V. | - - - | 277W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| FDD8445-F085 | - - - | | 1298 | 0.00000000 | Onsemi | Automotive, AEC-Q101, Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | FDD844 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 70a (TC) | 10V | 8.7mohm @ 50a, 10V | 4v @ 250 ähm | 59 NC @ 10 V | ± 20 V | 4050 PF @ 25 V. | - - - | 79W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Ntlus3a18pzctcg | - - - | | 4015 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | 6-udfn exponiert pad | Ntlus3 | MOSFET (Metalloxid) | 6-udfn (2x2) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 5.1a (ta) | 1,5 V, 4,5 V. | 18mohm @ 7a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 28 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 2240 PF @ 15 V | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | BC859CMTF | - - - | | 4743 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC859 | 310 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 v | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 420 @ 2MA, 5V | 150 MHz |
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