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Transistoren (17799)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Anwendungen | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | Eingang | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Spannung - Ausgang | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Testedingung | Stromspannung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Reverse Recovery Time (TRR) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) | Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id | Strom - Sammler Cutoff (max) | NTC Thermistor | Eingabekapazität (cies) @ vce | Ausfluss - rds (on) | Transistortyp | Strom Abfluss (ID) - Maximal | Spannung - Offset (VT) | Strom - Tor zu Anodenleckage (Igao) | Strom - tal (iv) | Strom - Peak |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | FJN598JCBU | - - - |  | 1133 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | FJN598 | 150 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1.000 | N-Kanal | 3.5PF @ 5v | 20 v | 100 µa @ 5 V | 600 mV @ 1 µA | 1 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KSK30RBU | - - - | | 2219 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 125 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | KSK30 | 100 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-Kanal | 8.2PF @ 0V | 50 v | 300 µa @ 10 V. | 400 mV @ 100 na | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | KSK596CBU | - - - | | 7639 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Kurzkörper | KSK59 | 100 MW | To-92s | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-Kanal | 3.5PF @ 5v | 20 v | 100 µa @ 5 V | 600 mV @ 1 µA | 1 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MMBFJ270 | 0,4400 | | 4 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBFJ2 | 225 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | - - - | 30 v | 2 ma @ 15 v | 500 mV @ 1 na | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J271 | - - - | | 6257 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | J271 | 350 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | P-Kanal | - - - | 30 v | 6 ma @ 15 V | 1,5 V @ 1 na | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Hgtd7N60C3S9A | 1.8200 | | 2 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Hgtd7n60 | Standard | 60 w | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | - - - | - - - | 600 V | 14 a | 56 a | 2v @ 15V, 7a | 165 µJ (EIN), 600 µJ (AUS) | 23 NC | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | J105_D27Z | - - - | | 1110 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | J105 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | N-Kanal | - - - | 25 v | 500 mA @ 15 V | 4,5 V @ 1 µA | 3 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J105_D74Z | - - - | | 5126 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | J105 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | N-Kanal | - - - | 25 v | 500 mA @ 15 V | 4,5 V @ 1 µA | 3 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2N6028RLRAG | - - - | | 6747 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 2N6028 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.30.0080 | 2.000 | 11V | 40V | 300 MW | 600 mv | 10 Na | 25 µA | 150 na | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLC530TU | - - - | | 9396 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | K. Loch | To-220-3 | TLC530 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 330 V | 7a (ta) | - - - | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FDC642P-F085 | - - - | | 2652 | 0.00000000 | Onsemi | Automotive, AEC-Q101, Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | FDC642 | MOSFET (Metalloxid) | Supersot ™ -6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 4a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 65mohm @ 4a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 16 NC @ 4,5 V | ± 8 v | 640 PF @ 10 V. | - - - | 1.2W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDD4141-F085 | - - - | | 4284 | 0.00000000 | Onsemi | Automotive, AEC-Q101, Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | FDD4141 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 40 v | 10.8a (TA), 50A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 12.3mohm @ 12.7a, 10V | 3v @ 250 ähm | 50 nc @ 10 v | ± 20 V | 2775 PF @ 20 V | - - - | 2,4W (TA), 69W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FQD7P06TM_F080 | - - - | | 1349 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Fqd7 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 60 v | 5.4a (TC) | 10V | 451mohm @ 2,7a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.2 NC @ 10 V | ± 25 V | 295 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 28 W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFS644B_FP001 | - - - | | 5541 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | IRFS6 | MOSFET (Metalloxid) | To-220f-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 250 V | 14a (TC) | 10V | 280mohm @ 7a, 10V | 4v @ 250 ähm | 60 nc @ 10 v | ± 30 v | 1600 PF @ 25 V. | - - - | 43W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFU220BTU_F080 | - - - | | 9676 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | Irfu2 | MOSFET (Metalloxid) | I-Pak | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 70 | N-Kanal | 200 v | 4.6a (TC) | 10V | 800 MOHM @ 2,3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 16 NC @ 10 V | ± 30 v | 390 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 40 W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Ntd4963nt4g | - - - | | 5225 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | NTD49 | MOSFET (Metalloxid) | Dpak | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 8.1a (TA), 44a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9.6mohm @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 16.2 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1035 PF @ 12 V | - - - | 1,1W (TA), 35,7W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NTP6410ang | 3.3800 | | 119 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | NTP6410 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 76a (TC) | 10V | 13mohm @ 76a, 10V | 4v @ 250 ähm | 120 nc @ 10 v | ± 20 V | 4500 PF @ 25 V. | - - - | 188W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFR31LT1 | - - - | | 7022 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BFR31 | 225 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 25 v | 5pf @ 10v | 1 ma @ 10 v | 2,5 V @ 0,5 na | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NSTB1005DXV5T1 | - - - | | 3403 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 50V | - - - | Oberflächenhalterung | SOT-553 | NSTB10 | SOT-553 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 100 ma | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FQA28N50_F109 | - - - | | 6882 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3, SC-65-3 | FQA2 | MOSFET (Metalloxid) | To-3p | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 500 V | 28,4a (TC) | 10V | 160 MOHM @ 14.2a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 140 nc @ 10 v | ± 30 v | 5600 PF @ 25 V. | - - - | 310W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FQD6N60CTM-WS | - - - | | 7740 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | FQD6N60 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 600 V | 4a (TC) | 10V | 2OHM @ 2a, 10V | 4v @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 30 v | 810 PF @ 25 V. | - - - | 80W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FDMS7578 | - - - | | 4054 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | FDMS75 | MOSFET (Metalloxid) | 8-PQFN (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 25 v | 17a (ta), 28a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.8mohm @ 17a, 10V | 3v @ 250 ähm | 25 NC @ 10 V | ± 20 V | 1625 PF @ 13 V. | - - - | 2,5 W (TA), 33W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMS7580 | 1.6200 | | 2 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | FDMS75 | MOSFET (Metalloxid) | 8-PQFN (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 25 v | 15a (ta), 29a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7,5 MOHM @ 15a, 10V | 3v @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 1190 PF @ 13 V | - - - | 2,5 W (TA), 27W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FGH60N60SMD | 6.6800 | | 2165 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | FGH60 | Standard | 600 w | To-247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 60A, 3OHM, 15 V. | 39 ns | Feldstopp | 600 V | 120 a | 180 a | 2,5 V @ 15V, 60a | 1,26 MJ (EIN), 450 µJ (AUS) | 189 NC | 18ns/104ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Nvd5803nt4g | - - - | | 3395 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | NVD580 | MOSFET (Metalloxid) | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 85a (TC) | 5v, 10V | 5.7mohm @ 50a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 51 NC @ 10 V | ± 20 V | 3220 PF @ 25 V. | - - - | 83W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NVTP2955G | - - - | | 3278 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | - - - | - - - | NVTP29 | - - - | - - - | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NXH100B120H3Q0PTG | 90.1200 | | 24 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | NXH100 | 186 w | Standard | 22-Pim (55x32,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 488-NXH100B120H3Q0PTG | Ear99 | 8541.29.0095 | 24 | 2 Unabhängig | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 50 a | 2,3 V @ 15V, 50a | 200 µA | NEIN | 9.075 NF @ 20 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NTTFS003N04CTAG | - - - | | 1149 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | NTTFS003 | MOSFET (Metalloxid) | 8-WDFN (3,3x3,3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 40 v | 22A (TA), 103a (TC) | 10V | 3,5 MOHM @ 50A, 10V | 3,5 V @ 60 ähm | 23 NC @ 10 V | ± 20 V | 1600 PF @ 25 V. | - - - | 3.2W (TA), 69W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTTFS5C460NLTAG | 1.4100 | | 1530 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | NTTFS5 | 8-WDFN (3,3x3,3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 19A (TA), 74a (TC) | 4,8 MOHM @ 35A, 10V | 2 V @ 40 µA | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVTFS5C460NLWFTAG | 0,8764 | | 6237 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | NVTFS5 | MOSFET (Metalloxid) | 8-WDFN (3,3x3,3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 40 v | 19A (TA), 74a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4,8 MOHM @ 35A, 10V | 2 V @ 40 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 50W (TC) |
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