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Transistoren (17799)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
NST30010MXV6T1G onsemi NST30010MXV6T1G 0,7200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 NST30010 500 MW SOT-563 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 4.000 30V 100 ma 15NA (ICBO) 2 PNP (Dual) Matchieres Paar 600mv @ 5ma, 100 mA 420 @ 2MA, 5V 100 MHz
NTLTD7900ZR2 onsemi NTLTD7900ZR2 0,2100
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet Ntltd79 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000
NSVT3906DXV6T1G onsemi NSVT3906DXV6T1G 0,1154
RFQ
 ECAD 4920 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 NSVT3906 500 MW SOT-563 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 4.000 40V 200 ma - - - 2 PNP (Dual) 400mv @ 5ma, 50 mA 100 @ 10 Ma, 1V 250 MHz
NSBC114YPDXV6T5G onsemi NSBC114YPDXV6T5G - - -
RFQ
 ECAD 8178 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 NSBC114 500 MW SOT-563 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 8.000 50V 100 ma 500NA 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) 250 mV @ 300 µA, 10 mA 80 @ 5ma, 10V - - - 10kohm 47kohm
BC547CTF onsemi BC547CTF - - -
RFQ
 ECAD 8603 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads BC547 500 MW To-92-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 2.000 45 V 100 ma 15NA (ICBO) Npn 600mv @ 5ma, 100 mA 420 @ 2MA, 5V 300 MHz
FQPF9N25CYDTU onsemi Fqpf9n25cydtu - - -
RFQ
 ECAD 7877 0.00000000 Onsemi QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Vollpackung, Geformete-Leads Fqpf9 MOSFET (Metalloxid) To-220F-3 (Y-Forming) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen 2832-fqpf9n25cydtu-488 Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 250 V 8.8a (TC) 10V 430mohm @ 4.4a, 10V 4v @ 250 ähm 35 NC @ 10 V ± 30 v 710 PF @ 25 V. - - - 38W (TC)
NTB30N20G onsemi NTB30N20G - - -
RFQ
 ECAD 2737 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab NTB30 MOSFET (Metalloxid) D²pak Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 200 v 30a (ta) 10V 81mohm @ 15a, 10V 4v @ 250 ähm 100 nc @ 10 v ± 30 v 2335 PF @ 25 V. - - - 2W (TA), 214W (TC)
FQU1N50TU onsemi Fqu1n50TU - - -
RFQ
 ECAD 7580 0.00000000 Onsemi QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa Fqu1 MOSFET (Metalloxid) I-Pak Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 5.040 N-Kanal 500 V 1.1a (TC) 10V 9OHM @ 550 mA, 10V 5 V @ 250 ähm 5,5 NC @ 10 V. ± 30 v 150 PF @ 25 V. - - - 2,5 W (TA), 25 W (TC)
NTD4865NT4G onsemi Ntd4865nt4g - - -
RFQ
 ECAD 7035 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 NTD48 MOSFET (Metalloxid) Dpak Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 25 v 8,5a (TA), 44a (TC) 4,5 V, 10 V. 10.9mohm @ 30a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 10,8 NC @ 4,5 V. ± 20 V 827 PF @ 12 V - - - 1,27W (TA), 33,3W (TC)
NTMFS5C410NLTT3G onsemi NTMFS5C410NLTT3G - - -
RFQ
 ECAD 3870 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn, 5 Leads NTMFS5 MOSFET (Metalloxid) 5-DFN (5x6) (8-SoFL) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 5.000 N-Kanal 40 v 50a (TA), 330a (TC) 4,5 V, 10 V. 0,9 MOHM @ 50a, 10 V. 2v @ 250 ähm 143 NC @ 10 V ± 20 V 8862 PF @ 25 V. - - - 3,8 W (TA), 167W (TC)
FDS6680 onsemi FDS6680 - - -
RFQ
 ECAD 1005 0.00000000 Onsemi Powertrench® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) FDS66 MOSFET (Metalloxid) 8-soic Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 30 v 11,5a (ta) 4,5 V, 10 V. 10Mohm @ 11.5a, 10V 3v @ 250 ähm 27 NC @ 5 V ± 20 V 2070 PF @ 15 V - - - 2,5 W (TA)
FJN3309RBU onsemi FJN3309RBU - - -
RFQ
 ECAD 3904 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) Fjn330 300 MW To-92-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 1.000 40 v 100 ma 100NA (ICBO) NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 1ma, 10 mA 100 @ 1ma, 5V 250 MHz 4.7 Kohms
BD1376S onsemi BD1376S - - -
RFQ
 ECAD 2748 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-225aa, to-126-3 BD137 1,25 w To-126-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 250 60 v 1,5 a 100NA (ICBO) Npn 500 mv @ 50 mA, 500 mA 40 @ 150 mA, 2V - - -
TIP115G onsemi TIP115G 1.0200
RFQ
 ECAD 510 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 TIP115 2 w To-220 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 60 v 2 a 2ma PNP - Darlington 2,5 V @ 8ma, 2a 1000 @ 1a, 4V - - -
FQD7P20TM onsemi FQD7P20TM 1.2000
RFQ
 ECAD 3462 0.00000000 Onsemi QFET® Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 FQD7P20 MOSFET (Metalloxid) To-252aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 P-Kanal 200 v 5.7a (TC) 10V 690 MOHM @ 2,85A, 10V 5 V @ 250 ähm 25 NC @ 10 V ± 30 v 770 PF @ 25 V. - - - 2,5 W (TA), 55 W (TC)
NVTFS5116PLWFTAG onsemi NVTFS5116PLWFTAG 1.5100
RFQ
 ECAD 7388 0.00000000 Onsemi Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powerwdfn NVTFS5116 MOSFET (Metalloxid) 8-WDFN (3,3x3,3) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.500 P-Kanal 60 v 6a (ta) 4,5 V, 10 V. 52mohm @ 7a, 10V 3v @ 250 ähm 25 NC @ 10 V ± 20 V 1258 PF @ 25 V. - - - 3.2W (TA), 21W (TC)
MJL4302AG onsemi MJL4302AG 6.3100
RFQ
 ECAD 3275 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-264-3, to-264aa MJL4302 230 w To-264 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen MJL4302AGOS Ear99 8541.29.0075 25 350 V 15 a 100 µA PNP 1v @ 800 mA, 8a 80 @ 5a, 5V 35 MHz
NDP6060L onsemi NDP6060L 3.1000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Aktiv -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 NDP6060 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen NDP6060L-NDR Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 60 v 48a (TC) 5v, 10V 20mohm @ 24a, 10V 2v @ 250 ähm 60 NC @ 5 V ± 16 v 2000 PF @ 25 V. - - - 100 W (TC)
HUF76609D3S onsemi HUF76609D3S - - -
RFQ
 ECAD 8644 0.00000000 Onsemi Ultrafet ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 HUF76 MOSFET (Metalloxid) To-252aa Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.800 N-Kanal 100 v 10a (TC) 4,5 V, 10 V. 160 Mohm @ 10a, 10V 3v @ 250 ähm 16 NC @ 10 V ± 16 v 425 PF @ 25 V. - - - 49W (TC)
FDP075N15A-F102 onsemi FDP075N15A-F102 6.6100
RFQ
 ECAD 871 0.00000000 Onsemi Powertrench® Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 FDP075 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 150 v 130a (TC) 10V 7,5 MOHM @ 100A, 10V 4v @ 250 ähm 100 nc @ 10 v ± 20 V 7350 PF @ 75 V - - - 333W (TC)
NTTFS4941NTAG onsemi NTTFS4941NTAG - - -
RFQ
 ECAD 4226 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powerwdfn NTTFS4 MOSFET (Metalloxid) 8-WDFN (3,3x3,3) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.500 N-Kanal 30 v 8.3A (TA), 46A (TC) 4,5 V, 10 V. 6,2 MOHM @ 20A, 10V 2,2 V @ 250 ähm 22.8 NC @ 10 V. ± 20 V 1619 PF @ 15 V - - - 840 MW (TA), 25,5W (TC)
FDS4435 onsemi FDS4435 - - -
RFQ
 ECAD 6045 0.00000000 Onsemi Powertrench® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) FDS44 MOSFET (Metalloxid) 8-soic Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 P-Kanal 30 v 8.8a (ta) 4,5 V, 10 V. 20mohm @ 8.8a, 10V 3v @ 250 ähm 24 nc @ 5 v ± 25 V 1604 PF @ 15 V - - - 2,5 W (TA)
FQPF33N10 onsemi Fqpf33n10 1.5600
RFQ
 ECAD 324 0.00000000 Onsemi QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack Fqpf3 MOSFET (Metalloxid) To-220f-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 100 v 18a (TC) 10V 52mohm @ 9a, 10V 4v @ 250 ähm 51 NC @ 10 V ± 25 V 1500 PF @ 25 V. - - - 41W (TC)
FCP190N60E onsemi FCP190N60E - - -
RFQ
 ECAD 3433 0.00000000 Onsemi Superfet® II Rohr Nicht für Designs -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 FCP190 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 600 V 20,6a (TC) 10V 190mohm @ 10a, 10V 3,5 V @ 250 ähm 82 NC @ 10 V ± 20 V 3175 PF @ 25 V. - - - 208W (TC)
FDMS2506SDC onsemi FDMS2506SDC - - -
RFQ
 ECAD 4733 0.00000000 Onsemi Dual Cool ™, Powertrench®, Syncfet ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn FDMS25 MOSFET (Metalloxid) 8-PQFN (5x6) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 25 v 39a (TA), 49A (TC) 4,5 V, 10 V. 1,45 MOHM @ 30a, 10V 3V @ 1ma 93 NC @ 10 V ± 20 V 5945 PF @ 13 V - - - 3.3W (TA), 89W (TC)
2SC6015-TD-E onsemi 2SC6015-TD-e - - -
RFQ
 ECAD 4418 0.00000000 Onsemi * Schüttgut Aktiv - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0075 1.000
FDI038AN06A0 onsemi FDI038AN06A0 - - -
RFQ
 ECAD 5351 0.00000000 Onsemi Powertrench® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa FDI038 MOSFET (Metalloxid) I2pak (to-262) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 60 v 17A (TA), 80A (TC) 6 V, 10V 3,8 MOHM @ 80A, 10V 4v @ 250 ähm 124 NC @ 10 V ± 20 V 6400 PF @ 25 V. - - - 310W (TC)
NVLJS053N12MCLTAG onsemi NVLJS053N12MCLTAG 0,3040
RFQ
 ECAD 5208 0.00000000 Onsemi Superfet® III, FRFET® Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-udfn exponiert pad MOSFET (Metalloxid) 6-udfn (2x2) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 488-NVLJS053N12MCLTAGTR Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 120 v 4.8a (TA) 4,5 V, 10 V. 53mohm @ 5.2a, 10V 3 V @ 30 µA 7,8 NC @ 10 V ± 20 V 520 PF @ 60 V - - - 620 MW (TA)
J111RLRP onsemi J111RLRP - - -
RFQ
 ECAD 4298 0.00000000 Onsemi * Schüttgut Aktiv Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.21.0095 1
BC559BTAR onsemi BC559BTAR - - -
RFQ
 ECAD 4515 0.00000000 Onsemi - - - Band & Box (TB) Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads BC559 500 MW To-92-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 2.000 30 v 100 ma 15NA (ICBO) PNP 650 mv @ 5ma, 100 mA 200 @ 2MA, 5V 150 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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