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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MPS6514 | - - - | ![]() | 4920 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | MPS651 | 625 MW | To-92-3 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MPS6514-NDR | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 25 v | 200 ma | 50na (ICBO) | Npn | 500mv @ 5ma, 50 mA | 150 @ 2MA, 10V | - - - | |||||||||||||||||||
![]() | BC547CBU | 0,4000 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | BC547 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 420 @ 2MA, 5V | 300 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | NTL4502NT1 | - - - | ![]() | 6161 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 16-Powerqfn | NTL450 | MOSFET (Metalloxid) | 1.7W | 16-QFN-FBIP (10,5 x 10,5) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | 4 N-Kanal (Halbe Brücke) | 24 v | 11.4a | 11mohm @ 15a, 10V | 2v @ 250 ähm | 13nc @ 4,5V | 1605PF @ 20V | Logikpegel -tor | |||||||||||||||||
![]() | BC857BMTF | - - - | ![]() | 6772 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC857 | 310 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 150 MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | BUH100 | - - - | ![]() | 4380 | 0.00000000 | Onsemi | SwitchMode ™ | Rohr | Veraltet | -60 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | BUH10 | 100 w | To-220 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 700 V | 10 a | 100 µA | Npn | 750 MV @ 1,5a, 7a | 10 @ 5a, 5V | 23 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | KSA916YTA | 0,4900 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | KSA916 | 900 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 120 v | 800 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 100 Ma, 5V | 120 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | NTJD1155LT2G | 0,5400 | ![]() | 934 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | NTJD1155 | MOSFET (Metalloxid) | 400 MW | SC-88/SC70-6/SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 8v | - - - | 175mohm @ 1,2a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||
![]() | NVJD5121NT1G-M06 | 0,3900 | ![]() | 6448 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | NVJD5121 | MOSFET (Metalloxid) | 250 MW (TA) | SC-88/SC70-6/SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 295 Ma (TA) | 1,6OHM @ 500 mA, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 0,9nc @ 4,5 V | 26pf @ 20V | - - - | |||||||||||||||||
![]() | MMBT3906WT1G | 0,1600 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | MMBT3906 | 150 MW | SC-70-3 (SOT323) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 200 ma | - - - | PNP | 400mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 250 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | But12atu | - - - | ![]() | 9300 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | But12 | 100 w | To-220-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 450 V | 8 a | 1ma | Npn | 1,5 V @ 1,2a, 6a | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||
![]() | 2n5684g | 15.8900 | ![]() | 28 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Tablett | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-204ae | 2N5684 | 300 w | To-204 (to-3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 2N5684GOS | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | 80 v | 50 a | 1ma | PNP | 5v @ 10a, 50a | 15 @ 25a, 2v | 2MHz | ||||||||||||||||||
![]() | NSBC123TDP6T5G | 0,0672 | ![]() | 3343 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-963 | NSBC123 | 339 MW | SOT-963 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 250 mV @ 1ma, 10 mA | 160 @ 5ma, 10V | - - - | 2.2ko | - - - | ||||||||||||||||||
![]() | FJP13009 | - - - | ![]() | 8338 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | FJP13009 | 100 w | To-220-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.200 | 400 V | 12 a | - - - | Npn | 3v @ 3a, 12a | 8 @ 5a, 5V | 4MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | Ntlus4c12ntbg | - - - | ![]() | 1690 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-udfn exponiert pad | Ntlus4 | MOSFET (Metalloxid) | 6-udfn (2x2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 6.8a (ta) | 3,3 V, 10 V. | 9mohm @ 9a, 10V | 2,1 V @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1172 PF @ 15 V | - - - | 630 MW (TA) | |||||||||||||||
![]() | Mch6544-tl-e | - - - | ![]() | 7874 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Flache Leitungen | MCH6544 | 550 MW | 6-mcph | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 500 mA | 100NA (ICBO) | 2 NPN (Dual) | 100 mv @ 10 mA, 100 mA | 300 @ 10ma, 2v | 500 MHz | |||||||||||||||||||
Fdj128n | - - - | ![]() | 7771 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-75-6 FLMP | FDJ128 | MOSFET (Metalloxid) | SC75-6 FLMP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 5.5a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 35mohm @ 5,5a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 8 NC @ 5 V | ± 12 V | 543 PF @ 10 V. | - - - | 1.6W (TA) | |||||||||||||||||
![]() | 2n5210ta | - - - | ![]() | 4889 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 2N5210 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 50 v | 100 ma | 50na (ICBO) | Npn | 700 mv @ 1ma, 10 mA | 200 @ 100 µA, 5V | 30 MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | KSD5018 | - - - | ![]() | 1218 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | KSD5018 | 40 w | To-220-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.200 | 275 v | 4 a | 1ma | NPN - Darlington | 1,5 V @ 20 Ma, 3a | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||
![]() | MCH3374-TL-W | - - - | ![]() | 5263 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-3 Flache Leitungen | MCH33 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70FL/MCPH3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 3a (ta) | 1,8 V, 4V | 70 MOHM @ 1,5A, 4,5 V. | 1,4 V @ 1ma | 5.6 NC @ 4.5 V | ± 8 v | 405 PF @ 6 V | - - - | 1W (TA) | ||||||||||||||||
![]() | NDS9430 | - - - | ![]() | 9015 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | NDS943 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 5.3a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 60mohm @ 5.3a, 10V | 3v @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 20 V | 528 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA) | ||||||||||||||||
![]() | 2SD1803T-e | 0,8300 | ![]() | 399 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | 2SD1803 | 1 w | Tp | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | 50 v | 5 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 400 MV @ 150 mA, 3a | 200 @ 500 Ma, 2V | 180 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | MPS2369G | - - - | ![]() | 2299 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | MPS236 | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MPS2369GOS | Ear99 | 8541.21.0095 | 5.000 | 15 v | 200 ma | 400na | Npn | 250 mV @ 1ma, 10 mA | 40 @ 10 Ma, 1V | - - - | |||||||||||||||||||
![]() | KSP12BU | - - - | ![]() | 3362 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | KSP12 | 625 MW | To-92-3 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1.000 | 20 v | 100na | NPN - Darlington | 1 V @ 10 µA, 10 mA | 20000 @ 10ma, 5V | - - - | |||||||||||||||||||||
![]() | MPS5172RLRM | - - - | ![]() | 4486 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | MPS517 | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 25 v | 100 ma | 100na | Npn | 250 mV @ 1ma, 10 mA | 100 @ 10 mA, 10 V. | - - - | |||||||||||||||||||
![]() | KSC838YBU | - - - | ![]() | 3680 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | KSC838 | 250 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 30 v | 30 ma | 100NA (ICBO) | Npn | 400mv @ 1ma, 10 mA | 120 @ 2MA, 12V | 250 MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | FQD10N20TM | - - - | ![]() | 6874 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Fqd1 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 200 v | 7.6a (TC) | 10V | 360 MOHM @ 3,8a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 30 v | 670 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 51W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | 2N6518BU | - - - | ![]() | 7658 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 2N6518 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 250 V | 500 mA | 50na (ICBO) | PNP | 1v @ 5 ma, 50 mA | 45 @ 50 Ma, 10 V. | 200 MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | Fqu5n60ctu | 0,9400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | Fqu5n60 | MOSFET (Metalloxid) | I-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 70 | N-Kanal | 600 V | 2.8a (TC) | 10V | 2,5OHM @ 1,4a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 19 NC @ 10 V | ± 30 v | 670 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 49W (TC) | |||||||||||||||
![]() | MPSH10RLRAG | - - - | ![]() | 4606 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | MPSH10 | 350 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MPSH10RLRAGOS | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | - - - | 25 v | - - - | Npn | 60 @ 4ma, 10V | 650 MHz | - - - | |||||||||||||||||||
![]() | KSD1020YBU | - - - | ![]() | 7960 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Kurzkörper | KSD1020 | 350 MW | To-92s | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 25 v | 700 Ma | 100NA (ICBO) | Npn | 400 mV @ 70 mA, 700 mA | 120 @ 100 mA, 1V | 170 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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