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Transistoren (17799)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Strom - Test | Leistung - Ausgabe | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | RAUSCHFIGUR | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Test | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | KSB1023TU | - - - |  | 4847 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | KSB10 | 2 w | To-220f-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 40 v | 3 a | 20 µA (ICBO) | PNP - Darlington | 1,5 V @ 4ma, 2a | 1000 @ 3a, 2v | - - - | |||||||||||||||||||||||||||
 | SI4467DYBAA005AP | - - - | | 6870 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | - - - | - - - | SI4467 | - - - | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 488-SI4467DYBAA005APTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||||
 | 2SB825R | 0,6200 | | 6 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3LP03m-tl-e | - - - | | 2551 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | MOSFET (Metalloxid) | 3-MCP | - - - | Rohs Nick Konform | Verkäfer undefiniert | 2156-3LP03M-TL-E-488 | 1 | P-Kanal | 30 v | 250 mA (TA) | 1,5 V, 4V | 1,9OHM @ 120 mA, 4V | 1,4 V @ 100 µA | 0,8 nc @ 4 v | -10V | 40 PF @ 10 V | - - - | 150 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||
 | KSC3123OMTF | - - - | | 3300 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | KSC3123 | 150 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 20 dB ~ 23 dB | 20V | 50 ma | Npn | 90 @ 5ma, 10V | 1,4 GHz | 3,8 dB ~ 5,5 dB bei 200 MHz | |||||||||||||||||||||||||||
 | SCH1337-TL-HX | - - - | | 7419 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | - - - | - - - | SCH133 | - - - | - - - | - - - | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||||||
 | 2SJ654 | 0,6300 | | 16 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SD1061R | 0,5700 | | 3 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MJD2955G | 0,9400 | | 1 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MJD2955 | 1,75 w | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | 60 v | 10 a | 50 µA | PNP | 8v @ 3,3a, 10a | 20 @ 4a, 4V | 2MHz | ||||||||||||||||||||||||||
 | NSVMUN2112T1G | 0,0363 | | 8214 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | NSVMUN2112 | 230 MW | SC-59 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 60 @ 5ma, 10V | 22 Kohms | 22 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||
 | Ntljs3113pt1g | 0,6200 | | 18 | 0.00000000 | Onsemi | µCool ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-WDFN Exponierte Pad | NTLJS3113 | MOSFET (Metalloxid) | 6-WDFN (2x2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 3,5a (TA) | 1,5 V, 4,5 V. | 40mohm @ 3a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 15,7 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 1329 PF @ 16 V. | - - - | 700 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||
 | 2N5771_D27Z | - - - | | 3107 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 2N5771 | 350 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 15 v | 200 ma | 10na | PNP | 600mv @ 5ma, 50 mA | 50 @ 10ma, 300mV | - - - | |||||||||||||||||||||||||||
 | FJX992TF | 0,4400 | | 1 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | FJX992 | 235 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 120 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | PNP | 300 mV @ 1ma, 10 mA | 200 @ 2ma, 6v | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
 | FDW2501NZ | - - - | | 6691 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | FDW25 | MOSFET (Metalloxid) | 600 MW | 8-tssop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 5.5a | 18mohm @ 5,5a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 17nc @ 4,5V | 1286PF @ 10V | Logikpegel -tor | |||||||||||||||||||||||||
 | J310zl1g | - - - | | 8888 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 25 v | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | J310 | 100 MHz | Jfet | To-92 (to-226) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 60 mA | 10 ma | - - - | 16 dB | - - - | 10 v | ||||||||||||||||||||||||||
| MPSA92RLRPG | - - - | | 5840 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | MPSA92 | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 300 V | 500 mA | 250na (ICBO) | PNP | 500 mv @ 2MA, 20 mA | 25 @ 30 Ma, 10V | 50 MHz | |||||||||||||||||||||||||||
 | 2SC3648T-TD-E | 0,6700 | | 45 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SC3648 | 500 MW | PCP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 160 v | 700 Ma | 100NA (ICBO) | Npn | 400 mv @ 25 mA, 250 mA | 100 @ 100 Ma, 5V | 120 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
| BC558ABU | - - - | | 9499 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | BC558 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 30 v | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 110 @ 2MA, 5V | 150 MHz | |||||||||||||||||||||||||||
 | FDB2532-F085 | 3.2604 | | 8537 | 0.00000000 | Onsemi | Automotive, AEC-Q101, Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | FDB2532 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 150 v | 79a (TC) | 6 V, 10V | 16mohm @ 33a, 10V | 4v @ 250 ähm | 107 NC @ 10 V | ± 20 V | 5870 PF @ 25 V. | - - - | 310W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | NSVMUN5113DW1T3G | 0,0931 | | 2314 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | NSVMUN5113 | 250 MW | SC-88/SC70-6/SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 1V | - - - | 47kohm | 47kohm | |||||||||||||||||||||||||
 | FQP6N50C | - - - | | 4922 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | FQP6 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 5.5a (TC) | 10V | 1,2OHM @ 2,8a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 25 NC @ 10 V | ± 30 v | 700 PF @ 25 V. | - - - | 98W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| BUD42D-001 | - - - | | 1560 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | BUD42 | 25 w | Dpak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | 350 V | 4 a | 100 µA | Npn | 1v @ 500 mA, 2a | 10 @ 2a, 5V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||
 | NTHS4101PT1G | 1.0800 | | 9 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | NTHS4101 | MOSFET (Metalloxid) | Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 4.8a (TJ) | 1,8 V, 4,5 V. | 34mohm @ 4,8a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 35 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 2100 PF @ 16 V | - - - | 1,3W (TA) | ||||||||||||||||||||||
| 2SC2812-6-TB-E | - - - | | 4596 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 200 MW | 3-CP | - - - | Rohs Nick Konform | Verkäfer undefiniert | 2156-2SC2812-6-TB-E-488 | 1 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | Npn | 500mv @ 5ma, 50 mA | 200 @ 1ma, 6v | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
| MTD6N20ET4G | - - - | | 8101 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Mtd6n | MOSFET (Metalloxid) | Dpak | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 200 v | 6a (TC) | 10V | 700 MOHM @ 3A, 10V | 4v @ 250 ähm | 21 NC @ 10 V | ± 20 V | 480 PF @ 25 V. | - - - | 1,75W (TA), 50W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| 2N3417_D74Z | - - - | | 4386 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 2N341 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 50 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 300mv @ 3ma, 50 mA | 180 @ 2MA, 4,5 V. | - - - | |||||||||||||||||||||||||||
 | MSD42WT1 | - - - | | 8234 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | MSD42 | 150 MW | SC-70-3 (SOT323) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 300 V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 2MA, 20 mA | 40 @ 30 ma, 10V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||
| BD240B | - - - | | 5715 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | BD240 | 30 w | To-220-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.200 | 80 v | 2 a | 300 µA | PNP | 700mv @ 200 Ma, 1a | 15 @ 1a, 4V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||
| MTD6P10E | - - - | | 9864 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Mtd6p | MOSFET (Metalloxid) | Dpak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MTD6P10EOS | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | P-Kanal | 100 v | 6a (TC) | 10V | 660Mohm @ 3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 22 NC @ 10 V. | ± 15 V | 840 PF @ 25 V. | - - - | 1,75W (TA), 50W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | TN6717A | - - - | | 5113 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | TN6717 | 1 w | To-226-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | 80 v | 1.2 a | 100NA (ICBO) | Npn | 350 MV @ 10 Ma, 250 mA | 50 @ 250 mA, 1V | - - - |
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