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Transistoren (17799)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Testedingung ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Reverse Recovery Time (TRR) IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
FDD5690 onsemi FDD5690 1.6100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Onsemi Powertrench® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 FDD569 MOSFET (Metalloxid) To-252aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 60 v 30a (TC) 6 V, 10V 27mohm @ 9a, 10V 4v @ 250 ähm 32 NC @ 10 V ± 20 V 1110 PF @ 25 V - - - 3.2W (TA), 50W (TC)
FJNS4202RBU onsemi FJNS4202RBU - - -
RFQ
 ECAD 5118 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet K. Loch To-226-3, bis 92-3 Kurzkörper Fjns42 300 MW To-92s Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 10.000 50 v 100 ma 100NA (ICBO) PNP - VoreInensmen 300 mV @ 500 µA, 10 mA 30 @ 5ma, 5v 200 MHz 10 Kohms 10 Kohms
2SJ652-1E onsemi 2SJ652-1e - - -
RFQ
 ECAD 1252 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack 2SJ652 MOSFET (Metalloxid) To-220F-3SG - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 P-Kanal 60 v 28a (ta) 4 V, 10V 38mohm @ 14a, 10V - - - 80 nc @ 10 v ± 20 V 4360 PF @ 20 V - - - 2W (TA), 30W (TC)
FGA6560WDF onsemi FGA6560WDF 4.8600
RFQ
 ECAD 421 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 FGA6560 Standard 306 w To-3pn Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 400 V, 60A, 6OHM, 15 V. 110 ns TRABENFELD STOPP 650 V 120 a 180 a 2,3 V @ 15V, 60a 2,46MJ (EIN), 520 µJ (AUS) 84 NC 25,6ns/71ns
NVB082N65S3F onsemi NVB082N65S3F 9.0600
RFQ
 ECAD 7306 0.00000000 Onsemi Automotive, AEC-Q101, Superfet® III, FRFET® Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab NVB082 MOSFET (Metalloxid) D²pak-3 (to-263-3) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 650 V 40a (TC) 10V 82mohm @ 20a, 10V 5v @ 4ma 81 NC @ 10 V ± 30 v 3410 PF @ 400 V - - - 313W (TC)
FQD30N06LTF onsemi FQD30N06LTF - - -
RFQ
 ECAD 6638 0.00000000 Onsemi QFET® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 Fqd3 MOSFET (Metalloxid) To-252aa Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 60 v 24a (TC) 5v, 10V 39mohm @ 12a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 20 NC @ 5 V ± 20 V 1040 PF @ 25 V. - - - 2,5 W (TA), 44W (TC)
FDR6580 onsemi FDR6580 - - -
RFQ
 ECAD 8055 0.00000000 Onsemi Powertrench® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-lsop (0,130 ", 3,30 mm Breit) FDR65 MOSFET (Metalloxid) Supersot ™ -8 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 20 v 11.2a (ta) 2,5 V, 4,5 V. 9mohm @ 11.2a, 4,5 V. 1,5 V @ 250 ähm 48 NC @ 4,5 V. ± 8 v 3829 PF @ 10 V. - - - 1,8W (TA)
PN4250_D74Z onsemi PN4250_D74Z - - -
RFQ
 ECAD 3746 0.00000000 Onsemi - - - Band & Box (TB) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads PN425 625 MW To-92-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 2.000 40 v 500 mA 10NA (ICBO) PNP 250 mV @ 500 µA, 10 mA 250 @ 100 µA, 5V - - -
FDS2734 onsemi FDS2734 2.1000
RFQ
 ECAD 5402 0.00000000 Onsemi Ultrafet ™ Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) FDS27 MOSFET (Metalloxid) 8-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 250 V 3a (ta) 6 V, 10V 117mohm @ 3a, 10V 4v @ 250 ähm 45 nc @ 10 v ± 20 V 2610 PF @ 100 V - - - 2,5 W (TA)
FDMB3900N onsemi FDMB3900N - - -
RFQ
 ECAD 4895 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet FDMB3900 - - - - - - Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Veraltet 0000.00.0000 1 - - -
CPH3356-TL-W onsemi CPH3356-TL-W. - - -
RFQ
 ECAD 4668 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 CPH3356 MOSFET (Metalloxid) 3-cph Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 P-Kanal 20 v 2,5a (TA) 1,8 V, 4,5 V. 137mohm @ 1a, 4,5 V. 1,4 V @ 1ma 3,3 NC @ 4,5 V. ± 10 V 250 PF @ 10 V - - - 1W (TA)
FQD4P25TF onsemi Fqd4p25tf - - -
RFQ
 ECAD 3804 0.00000000 Onsemi QFET® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 Fqd4 MOSFET (Metalloxid) To-252aa Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.000 P-Kanal 250 V 3.1a (TC) 10V 2,1OHM @ 1,55A, 10V 5 V @ 250 ähm 14 NC @ 10 V ± 30 v 420 PF @ 25 V. - - - 2,5 W (TA), 45W (TC)
ECH8320-TL-H onsemi Ech8320-tl-H - - -
RFQ
 ECAD 3245 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-smd, Flaches Blei Ech8320 MOSFET (Metalloxid) 8-Ech - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 P-Kanal 20 v 9,5a (TA) 1,8 V, 4,5 V. 14,5 MOHM @ 5A, 4,5 V. - - - 25 NC @ 10 V ± 10 V 2300 PF @ 10 V. - - - 1.6W (TA)
FDN357N onsemi Fdn357n 0,5300
RFQ
 ECAD 4795 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 FDN357 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 30 v 1,9a (ta) 4,5 V, 10 V. 60MOHM @ 2,2a, 10V 2v @ 250 ähm 5,9 NC @ 5 V. ± 20 V 235 PF @ 10 V - - - 500 MW (TA)
FDPF7N50U-G onsemi FDPF7N50U-G - - -
RFQ
 ECAD 8588 0.00000000 Onsemi Ultrafrfet ™, Unifet ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack FDPF7 MOSFET (Metalloxid) To-220f-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 500 V 5a (TC) 10V 1,5OHM @ 2,5a, 10 V. 5 V @ 250 ähm 16.6 NC @ 10 V. ± 30 v 940 PF @ 25 V. - - - 31.3W (TC)
NTJS4405NT4G onsemi Ntjs4405nt4g - - -
RFQ
 ECAD 7406 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 NTJS44 MOSFET (Metalloxid) SC-88/SC70-6/SOT-363 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 10.000 N-Kanal 25 v 1a (ta) 2,7 V, 4,5 V. 350MOHM @ 600 Ma, 4,5 V. 1,5 V @ 250 ähm 1,5 NC @ 4,5 V. ± 8 v 60 PF @ 10 V - - - 630 MW (TA)
FDC6320C onsemi FDC6320c - - -
RFQ
 ECAD 6101 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 FDC6320 MOSFET (Metalloxid) 700 MW Supersot ™ -6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N und p-kanal 25 v 220 mA, 120 mA 4OHM @ 400 mA, 4,5 V. 1,5 V @ 250 ähm 0,4nc @ 4,5 V 9.5PF @ 10V Logikpegel -tor
MCH3486-TL-H onsemi MCH3486-TL-H - - -
RFQ
 ECAD 7386 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-3 Flache Leitungen MCH34 MOSFET (Metalloxid) SC-70FL/MCPH3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 60 v 2a (ta) 4 V, 10V 137mohm @ 1a, 10V - - - 7 NC @ 10 V ± 20 V 310 PF @ 20 V - - - 1W (TA)
HUF75339P3 onsemi HUF75339P3 1.9500
RFQ
 ECAD 142 0.00000000 Onsemi Ultrafet ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 HUF75339 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen 2166-HUF75339P3-488 Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 55 v 75a (TC) 10V 12mohm @ 75a, 10V 4v @ 250 ähm 130 NC @ 20 V ± 20 V 2000 PF @ 25 V. - - - 200W (TC)
EMF5XV6T1G onsemi EMF5XV6T1G - - -
RFQ
 ECAD 8250 0.00000000 Onsemi EMF Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 EMF5XV 357 MW SOT-563 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 488-emf5xv6t1gtr Ear99 8541.21.0095 1 50 V, 12 V 100 mA, 500 mA 500NA, 100NA (ICBO) 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) 250 mV @ 300 µA, 10 mA / 250 mV @ 10 mA, 200 mA 80 @ 5ma, 10v / 270 @ 10 mA, 2 V. - - - 47kohm - - -
FDB6690S onsemi FDB6690S - - -
RFQ
 ECAD 6678 0.00000000 Onsemi Powertrench®, SyncFet ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab FDB669 MOSFET (Metalloxid) D²pak (to-263) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 30 v 42a (ta) 4,5 V, 10 V. 15,5 MOHM @ 21A, 10V 3V @ 1ma 15 NC @ 5 V ± 20 V 1238 PF @ 15 V - - - 48W (TC)
FSB649 onsemi FSB649 0,4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 FSB649 500 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 25 v 3 a 100NA (ICBO) Npn 600mv @ 300 mA, 3a 100 @ 1a, 2v 150 MHz
HUFA76407D3 onsemi HUFA76407D3 - - -
RFQ
 ECAD 6747 0.00000000 Onsemi Ultrafet ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa Hufa76 MOSFET (Metalloxid) I-Pak Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 75 N-Kanal 60 v 12a (TC) 4,5 V, 10 V. 92mohm @ 13a, 10V 3v @ 250 ähm 11.3 NC @ 10 V ± 16 v 350 PF @ 25 V. - - - 38W (TC)
FQAF16N25 onsemi FQAF16N25 - - -
RFQ
 ECAD 1420 0.00000000 Onsemi QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3 Full Pack Fqaf1 MOSFET (Metalloxid) To-3Pf Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 360 N-Kanal 250 V 12,4a (TC) 10V 230mohm @ 6.2a, 10 V. 5 V @ 250 ähm 35 NC @ 10 V ± 30 v 1200 PF @ 25 V. - - - 85W (TC)
FQI16N25CTU onsemi FQI16N25CTU - - -
RFQ
 ECAD 1232 0.00000000 Onsemi QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa Fqi1 MOSFET (Metalloxid) I2pak (to-262) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 250 V 15,6a (TC) 10V 270 MOHM @ 7.8a, 10V 4v @ 250 ähm 53,5 NC @ 10 V. ± 30 v 1080 PF @ 25 V. - - - 3.13W (TA), 139W (TC)
NTMFS5C442NT3G onsemi NTMFS5C442NT3G 3.0900
RFQ
 ECAD 9373 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn, 5 Leads NTMFS5 MOSFET (Metalloxid) 5-DFN (5x6) (8-SoFL) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 5.000 N-Kanal 40 v 29a (TA), 140a (TC) 10V 2,3 MOHM @ 50A, 10V 4v @ 250 ähm 32 NC @ 10 V ± 20 V 2100 PF @ 25 V - - - 3.7W (TA), 83W (TC)
2SA1827S-AY onsemi 2SA1827S-ay - - -
RFQ
 ECAD 6695 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet - - - K. Loch To-220-3 Keine RegisterKarte 2SA1827 1,5 w FLP - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1.000 100 v 4 a 1 µA (ICBO) PNP 500mv @ 200 Ma, 2a 100 @ 500 mA, 5V 180 MHz
FDS7288N3 onsemi FDS7288N3 - - -
RFQ
 ECAD 3045 0.00000000 Onsemi Powertrench® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soikale (0,154 ", 3,90 mm Breit) Exponiertebad FDS72 MOSFET (Metalloxid) 8-SO FLMP Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 30 v 20a (ta) 4,5 V, 10 V. 4,5 MOHM @ 20,5a, 10V 3v @ 250 ähm 69 NC @ 10 V ± 20 V 3300 PF @ 15 V - - - 3W (TA)
NTD3055L104-1G onsemi NTD3055L104-1G - - -
RFQ
 ECAD 7004 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa NTD3055 MOSFET (Metalloxid) I-Pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 75 N-Kanal 60 v 12a (ta) 5v 104mohm @ 6a, 5V 2v @ 250 ähm 20 NC @ 5 V ± 15 V 440 PF @ 25 V. - - - 1,5W (TA), 48W (TJ)
NVTFS4824NWFTWG onsemi Nvtfs4824nwftwg - - -
RFQ
 ECAD 6474 0.00000000 Onsemi Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powerwdfn NVTFS4824 MOSFET (Metalloxid) 8-WDFN (3,3x3,3) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 5.000 N-Kanal 30 v 18,2a (TA) 4,5 V, 10 V. 4,7 MOHM @ 23A, 10V 2,5 V @ 250 ähm 29 NC @ 10 V ± 20 V 1740 PF @ 12 V - - - 3.2W (TA), 21W (TC)
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