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Transistoren (17799)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Testedingung Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2) RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
NDP6060L onsemi NDP6060L 3.1000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Aktiv -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 NDP6060 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen NDP6060L-NDR Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 60 v 48a (TC) 5v, 10V 20mohm @ 24a, 10V 2v @ 250 ähm 60 NC @ 5 V ± 16 v 2000 PF @ 25 V. - - - 100 W (TC)
FQPF8N60CYDTU onsemi Fqpf8n60cydtu - - -
RFQ
 ECAD 4299 0.00000000 Onsemi QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Vollpackung, Geformete-Leads Fqpf8 MOSFET (Metalloxid) To-220F-3 (Y-Forming) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 600 V 7.5a (TC) 10V 1,2OHM @ 3,75A, 10 V. 4v @ 250 ähm 36 NC @ 10 V ± 30 v 1255 PF @ 25 V. - - - 48W (TC)
NTD5C648NLT4G onsemi NTD5C648NLT4G 4.6800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 NTD5C648 MOSFET (Metalloxid) Dpak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 60 v 22A (TA), 91A (TC) 4,5 V, 10 V. 4.1MOHM @ 45A, 10V 2,1 V @ 250 ähm 17 NC @ 10 V ± 20 V 2900 PF @ 30 V - - - 4,4W (TA), 76W (TC)
NSBA144EDXV6T1G onsemi NSBA144EDXV6T1G 0,1141
RFQ
 ECAD 6549 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 NSBA144 500 MW SOT-563 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100 ma 500NA 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) 250 mV @ 300 µA, 10 mA 80 @ 5ma, 10V - - - 47kohm 47kohm
FDD8444 onsemi FDD8444 2.3000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Onsemi Powertrench® Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 FDD844 MOSFET (Metalloxid) To-252aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 40 v 145a (TC) 10V 5.2mohm @ 50a, 10V 4v @ 250 ähm 116 nc @ 10 v ± 20 V 6195 PF @ 25 V. - - - 153W (TC)
2SD1012F-SPA onsemi 2SD1012F-Spa - - -
RFQ
 ECAD 2226 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet 125 ° C (TJ) K. Loch 3-sip 2SD1012 250 MW 3-Spa - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 500 15 v 700 Ma 1 µA (ICBO) Npn 80 mV @ 10 mA, 100 mA 160 @ 50 Ma, 2V 250 MHz
NTHS2101PT1G onsemi NTHS2101PT1G - - -
RFQ
 ECAD 1439 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet - - - Oberflächenhalterung 8-smd, Flaches Blei NTHS21 MOSFET (Metalloxid) Chipfet ™ Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 P-Kanal 8 v 5.4a (TJ) 1,8 V, 4,5 V. 25mo @ 5,4a, 4,5 V. 1,5 V @ 250 ähm 30 NC @ 4,5 V. ± 8 v 2400 PF @ 6.4 V. - - - 1,3W (TA)
FQD20N06TF onsemi FQD20N06TF - - -
RFQ
 ECAD 8278 0.00000000 Onsemi QFET® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 Fqd2 MOSFET (Metalloxid) To-252aa - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 60 v 16,8a (TC) 10V 63mohm @ 8.4a, 10V 4v @ 250 ähm 15 NC @ 10 V ± 25 V 590 PF @ 25 V. - - - 2,5 W (TA), 38W (TC)
NTTFS4941NTWG onsemi Nttfs4941ntwg - - -
RFQ
 ECAD 4153 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powerwdfn NTTFS4941 MOSFET (Metalloxid) 8-WDFN (3,3x3,3) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 5.000 N-Kanal 30 v 8.3A (TA), 46A (TC) 4,5 V, 10 V. 6,2 MOHM @ 20A, 10V 2,2 V @ 250 ähm 22.8 NC @ 10 V. ± 20 V 1619 PF @ 15 V - - - 840 MW (TA), 25,5W (TC)
KSC3488GTA onsemi KSC3488GTA - - -
RFQ
 ECAD 9626 0.00000000 Onsemi - - - Band & Box (TB) Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 Kurzkörper KSC3488 300 MW To-92s Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 25 v 300 ma 100NA (ICBO) Npn 400mv @ 30 mA, 300 mA 200 @ 50 Ma, 1V - - -
FJV992PMTF onsemi FJV992PMTF - - -
RFQ
 ECAD 2460 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 FJV992 300 MW SOT-23-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 120 v 50 ma - - - PNP 300 mV @ 1ma, 10 mA 200 @ 1ma, 6v 50 MHz
TN6725A_D27Z onsemi TN6725A_D27Z - - -
RFQ
 ECAD 3941 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) TN6725 1 w To-226 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.000 50 v 1.2 a 100NA (ICBO) NPN - Darlington 1,5 V @ 2MA, 1a 4000 @ 1a, 5v - - -
CPH3240-TL-E onsemi CPH3240-TL-E - - -
RFQ
 ECAD 7624 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-96 CPH3240 900 MW 3-cph Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 100 v 1 a 100NA (ICBO) Npn 400mv @ 40 mA, 400 mA 140 @ 100 mA, 5V 120 MHz
MMBTA42LT3G onsemi MMBTA42LT3G 0,2300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MMBTA42 225 MW SOT-23-3 (to-236) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 10.000 300 V 500 mA 100NA (ICBO) Npn 500 mv @ 2MA, 20 mA 40 @ 30 ma, 10V 50 MHz
FCPF7N60T onsemi FCPF7N60T - - -
RFQ
 ECAD 4450 0.00000000 Onsemi Superfet ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack FcPf7 MOSFET (Metalloxid) To-220f-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 600 V 7a (TC) 10V 600 MOHM @ 3,5A, 10 V. 5 V @ 250 ähm 30 NC @ 10 V ± 30 v 920 PF @ 25 V. - - - 31W (TC)
SGP15N60RUFTU onsemi SGP15N60RUFTU - - -
RFQ
 ECAD 2859 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 SGP15N Standard 160 w To-220-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 300 V, 15a, 13ohm, 15 V. - - - 600 V 24 a 45 a 2,8 V @ 15V, 15a 320 µJ (EIN), 356 µJ (AUS) 42 NC 17ns/44ns
FQA13N50C onsemi FQA13N50C - - -
RFQ
 ECAD 1796 0.00000000 Onsemi QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 Fqa1 MOSFET (Metalloxid) To-3p Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 450 N-Kanal 500 V 13,5a (TC) 10V 480MOHM @ 6.75A, 10V 4v @ 250 ähm 56 NC @ 10 V ± 30 v 2055 PF @ 25 V. - - - 218W (TC)
HUFA75433S3ST onsemi HUFA75433S3ST - - -
RFQ
 ECAD 9306 0.00000000 Onsemi Ultrafet ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Hufa75 MOSFET (Metalloxid) D²pak (to-263) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 60 v 64a (TC) 10V 16mohm @ 64a, 10V 4v @ 250 ähm 117 NC @ 20 V ± 20 V 1550 PF @ 25 V. - - - 150W (TC)
NDS8858H onsemi NDS8858H - - -
RFQ
 ECAD 4176 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) NDS885 MOSFET (Metalloxid) 1W 8-soic Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N und p-kanal 30V 6,3a, 4,8a 35mohm @ 4,8a, 10V 2,8 V @ 250 ähm 30nc @ 10v 720PF @ 15V Logikpegel -tor
NTR4501NT3G onsemi NTR4501NT3G - - -
RFQ
 ECAD 1248 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 NTR450 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 (to-236) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10.000 N-Kanal 20 v 3.2a (ta) 1,8 V, 4,5 V. 80MOHM @ 3,6a, 4,5 V. 1,2 V @ 250 ähm 6 NC @ 4,5 V. ± 12 V 200 PF @ 10 V. - - - 1,25W (TJ)
SFP9Z24 onsemi SFP9Z24 - - -
RFQ
 ECAD 5720 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 SFP9Z2 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 P-Kanal 60 v 9.7a (TC) 10V 280 MOHM @ 4,9a, 10V 4v @ 250 ähm 19 NC @ 10 V ± 30 v 600 PF @ 25 V. - - - 49W (TC)
TIP49 onsemi TIP49 - - -
RFQ
 ECAD 7005 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 TIP49 2 w To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.200 350 V 1 a 1ma Npn 1v @ 200 Ma, 1a 30 @ 300 mA, 10V 10 MHz
NTMFS5C404NLTWFT1G onsemi NTMFS5C404NLTWFT1G - - -
RFQ
 ECAD 4558 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn, 5 Leads NTMFS5 MOSFET (Metalloxid) 5-DFN (5x6) (8-SoFL) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.500 N-Kanal 40 v 370a (TC) 4,5 V, 10 V. 0,75 MOHM @ 50A, 10 V. 2v @ 250 ähm 181 NC @ 10 V. ± 20 V 12168 PF @ 25 V. - - - 3,9W (TA), 200W (TC)
NST4617MX2T5G onsemi NST4617MX2T5G 0,0601
RFQ
 ECAD 4645 0.00000000 Onsemi * Band & Rollen (TR) Aktiv NST4617 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 8.000
HUFA76413D3S onsemi HUFA76413D3S - - -
RFQ
 ECAD 6885 0.00000000 Onsemi Ultrafet ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 Hufa76 MOSFET (Metalloxid) To-252aa Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.800 N-Kanal 60 v 20A (TC) 4,5 V, 10 V. 49mohm @ 20a, 10V 3v @ 250 ähm 20 nc @ 10 v ± 16 v 645 PF @ 25 V. - - - 60 W (TC)
HUFA76429D3S onsemi HUFA76429D3S - - -
RFQ
 ECAD 4445 0.00000000 Onsemi Ultrafet ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 Hufa76 MOSFET (Metalloxid) To-252aa Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.800 N-Kanal 60 v 20A (TC) 4,5 V, 10 V. 23mohm @ 20a, 10V 3v @ 250 ähm 46 NC @ 10 V ± 16 v 1480 PF @ 25 V. - - - 110W (TC)
MPS5179RLRPG onsemi MPS5179RLRPG - - -
RFQ
 ECAD 9784 0.00000000 Onsemi - - - Band & Box (TB) Veraltet - - - K. Loch To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) MPS517 200W To-92 (to-226) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 2.000 - - - 12V 50 ma Npn 25 @ 3ma, 1V 2GHz - - -
PN100_G onsemi PN100_G - - -
RFQ
 ECAD 8156 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) PN100 625 MW To-92-3 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 1 45 V 500 mA 50na Npn 400mv @ 20 mA, 200 mA 100 @ 150 mA, 5V 250 MHz
2SB1120G-TD-E onsemi 2SB1120G-TD-E 0,1600
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 Onsemi * Schüttgut Aktiv - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0075 1.000
NTP6N60 onsemi NTP6N60 0,8500
RFQ
 ECAD 79 0.00000000 Onsemi * Schüttgut Aktiv Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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