Tel: +86-0755-83501315
E-Mail:sales@sic-components.com
Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | Eingang | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Testedingung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Reverse Recovery Time (TRR) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | NTC Thermistor | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SBCP56-16T1G | 0,4100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | SBCP56 | 1,5 w | SOT-223 (to-261) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 2V | 130 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TN6707A | - - - | ![]() | 6016 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | TN6707 | 1 w | To-226-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.500 | 80 v | 1.2 a | 100NA (ICBO) | Npn | 1v @ 100 mA, 1a | 40 @ 250 mA, 2V | 50 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MJD127G | 1.0600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MJD127 | 1,75 w | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | 100 v | 8 a | 10 µA | PNP - Darlington | 4v @ 80 Ma, 8a | 1000 @ 4a, 4V | 4MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTA7002NT1G | 0,3600 | ![]() | 113 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | NTA7002 | MOSFET (Metalloxid) | SC-75, SOT-416 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 154 Ma (TJ) | 2,5 V, 4,5 V. | 7ohm @ 154 mA, 4,5 V. | 1,5 V @ 100 µA | ± 10 V | 20 PF @ 5 V | - - - | 300 MW (TJ) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BD677AS-on | - - - | ![]() | 4969 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | 40 w | To-126-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 0000.00.0000 | 686 | 60 v | 4 a | 500 ähm | NPN - Darlington | 2,8 V @ 40 Ma, 2a | 750 @ 2a, 3v | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPS650RLRA | - - - | ![]() | 1253 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | MPS650 | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 40 v | 2 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500mv @ 200 Ma, 2a | 75 @ 1a, 2v | 75 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NVH040N65S3F | 10.9686 | ![]() | 8098 | 0.00000000 | Onsemi | Superfet® III | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 488-NVH040N65S3F | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 650 V | 65a (TC) | 10V | 40mohm @ 32.5a, 10V | 5v @ 2,1 mA | 153 NC @ 10 V | ± 30 v | 5875 PF @ 400 V | - - - | 446W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC3400-AC | 0,1800 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCH029N65S3-F155 | 20.8400 | ![]() | 198 | 0.00000000 | Onsemi | Superfet® III | Rohr | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | FCH029 | MOSFET (Metalloxid) | To-247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 488-FCH029N65S3-F155 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 650 V | 75a (TC) | 29mohm @ 37,5a, 10V | 4,5 V @ 7ma | 201 NC @ 10 V | ± 30 v | 6340 PF @ 400 V | - - - | 463W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | NSVMUN5137DW1T1G | 0,1177 | ![]() | 6964 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | NSVMUN5137 | 250 MW | SC-88/SC70-6/SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | - - - | 47kohm | 22kohm | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSS138-T | - - - | ![]() | 4294 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-XFBGA | BSS138 | MOSFET (Metalloxid) | EFCP1313-4CC-037 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | N-Kanal | 50 v | 220 Ma (TA) | 4,5 V, 10 V. | 3,5OHM @ 220 Ma, 10 V. | 1,5 V @ 1ma | 2,4 NC @ 10 V. | ± 20 V | 27 PF @ 25 V. | - - - | 360 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC124EET1 | 0,0200 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | DTC124 | 200 MW | SC-75, SOT-416 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 60 @ 5ma, 10V | 22 Kohms | 22 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mun5212t1g | 0,2000 | ![]() | 663 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Mun5212 | 202 MW | SC-70-3 (SOT323) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 60 @ 5ma, 10V | 22 Kohms | 2.2 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Njvtip50g | 0,3200 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FPF2G120BF07asp | - - - | ![]() | 3746 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Modul | FPF2 | 156 w | Standard | F2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 70 | 3 Unabhängig | Feldstopp | 650 V | 40 a | 2,2 V @ 15V, 40a | 250 µA | Ja | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | NVMFS5C456NLWFT1G | - - - | ![]() | 6161 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NVMFS5 | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 40 v | 87a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,7 MOHM @ 20A, 10V | 2v @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1600 PF @ 25 V. | - - - | 3,6 W (TA), 55 W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
KSC2688OS | - - - | ![]() | 6230 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | KSC2688 | 1,25 w | To-126 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | 300 V | 200 ma | 100 µA (ICBO) | Npn | 1,5 V @ 5ma, 50 mA | 60 @ 10 ma, 10V | 80MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MJ11030g | - - - | ![]() | 1044 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Tablett | Veraltet | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-204ae | MJ110 | 300 w | To-204 (to-3) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | 90 v | 50 a | 2ma | NPN - Darlington | 3,5 V @ 500 Ma, 50a | 1000 @ 25a, 5v | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqpf3n80 | - - - | ![]() | 5645 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | Fqpf3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220f-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 800 V | 1,8a (TC) | 10V | 5ohm @ 900 mA, 10V | 5 V @ 250 ähm | 19 NC @ 10 V | ± 30 v | 690 PF @ 25 V. | - - - | 39W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | NTB35N15T4G | - - - | ![]() | 6173 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | NTB35 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 150 v | 37a (ta) | 10V | 50mohm @ 18.5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 100 nc @ 10 v | ± 20 V | 3200 PF @ 25 V. | - - - | 2W (TA), 178W (TJ) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | NTMFS4934NT3G | - - - | ![]() | 1900 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NTMFS4 | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 30 v | 17.1a (TA), 147a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2mohm @ 30a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 34 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 5505 PF @ 15 V | - - - | 930 MW (TA), 69.44 W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | PCF6294W | - - - | ![]() | 6729 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 488-PCF6294W | Veraltet | 1 | 13a (TJ) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AFGHL75T65SQDT | 6.5000 | ![]() | 5594 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | AFGHL75 | Standard | 375 w | To-247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 488-AFGHL75T65SQDT | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 75A, 4,7OHM, 15 V. | 75 ns | TRABENFELD STOPP | 650 V | 80 a | 300 a | 2,1 V @ 15V, 75a | 2,12 MJ (EIN), 1,14 MJ (AUS) | 136 NC | 24ns/106ns | |||||||||||||||||||||||
![]() | NDP7060L | - - - | ![]() | 2694 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 | NDP706 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 45 | N-Kanal | 60 v | 75a (TC) | 15mohm @ 37,5a, 5V | 2v @ 250 ähm | 115 NC @ 5 V. | 4000 PF @ 25 V. | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDZ4670S | - - - | ![]() | 7566 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench®, SyncFet ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 30-WFBGA | FDZ46 | MOSFET (Metalloxid) | 30-FLFBGA (3,55 x 4) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 25a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 2,4 MOHM @ 25a, 10V | 3V @ 1ma | 69 NC @ 10 V | ± 20 V | 3845 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK4087LS-1E | - - - | ![]() | 1229 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | 2SK4087 | MOSFET (Metalloxid) | To-220F-3Fs | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 9.2a (TC) | 10V | 610mohm @ 7a, 10V | - - - | 46 NC @ 10 V | ± 30 v | 1200 PF @ 30 V | - - - | 2W (TA), 40W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB031N08 | 6.7700 | ![]() | 1840 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | FDB031 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | FDB031N08TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 75 V | 120a (TC) | 10V | 3.1MOHM @ 75A, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 220 NC @ 10 V | ± 20 V | 15160 PF @ 25 V. | - - - | 375W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | KSC1009OTA | - - - | ![]() | 2771 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | KSC1009 | 800 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 140 v | 700 Ma | 100NA (ICBO) | Npn | 700mv @ 20 mA, 200 Ma | 70 @ 50 Ma, 2V | 50 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MJ11022 | - - - | ![]() | 7973 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Tablett | Veraltet | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-204aa, to-3 | MJ110 | 175 w | To-204 (to-3) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | 250 V | 15 a | 1ma | NPN - Darlington | 3,4 V @ 150 Ma, 15a | 400 @ 10a, 5v | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCH5818-tl-e | - - - | ![]() | 2233 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus