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Transistoren (17799)
| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Betriebstemperatur | Montageart | Paket/Koffer | Basisproduktnummer | Technologie | Leistung – max | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | REACH-Status | Andere Namen | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Konfiguration | FET-Typ | Drain-Source-Spannung (Vdss) | Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | Rds On (Max) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Max) @ Id | Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | Vgs (Max) | Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | FET-Funktion | Verlustleistung (max.) | Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | Strom - Kollektor (Ic) (Max) | Spannung - Durchschlag (V(BR)GSS) | Strom – Entleerung (Idss) @ Vds (Vgs=0) | Spannung – Abschaltung (VGS aus) @ Id | Strom – Kollektorabschaltung (max.) | Widerstand – RDS(Ein) | Transistortyp | Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | Häufigkeit – Übergang | Widerstand - Basis (R1) | Widerstand – Emitterbasis (R2) | Stromaufnahme (Id) – max |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | FJAFS1720TU | - |  | 2555 | 0,00000000 | onsemi | ESBC™ | Rohr | Veraltet | -55°C ~ 125°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-3P-3 Komplettpaket | FJAFS172 | 60 W | TO-3PF | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 800 V | 12 A | 100 µA | NPN | 250 mV bei 3,33 A, 10 A | 8,5 bei 11A, 5V | 15 MHz | |||||||||||||||||||||||
 | NVTFS5C453NLTAG | 1.5900 | | 9000 | 0,00000000 | onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-PowerWDFN | NVTFS5 | MOSFET (Metalloxid) | 8-WDFN (3,3x3,3) | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 40 V | 107A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 3,1 mOhm bei 40 A, 10 V | 2V bei 250µA | 35 nC bei 10 V | ±20V | 2100 pF bei 25 V | - | 68W (Tc) | ||||||||||||||||||
 | J271 | - | | 6257 | 0,00000000 | onsemi | - | Schüttgut | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | J271 | 350 mW | TO-92-3 | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.000 | P-Kanal | - | 30 V | 6 mA bei 15 V | 1,5 V bei 1 nA | |||||||||||||||||||||||||
 | HUF76013D3S | - | | 6900 | 0,00000000 | onsemi | UltraFET™ | Rohr | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 | HUF76 | MOSFET (Metalloxid) | TO-252AA | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.800 | N-Kanal | 20 V | 20A (Tc) | 5V, 10V | 22 mOhm bei 20 A, 10 V | 3 V bei 250 µA | 17 nC bei 10 V | ±20V | 624 pF bei 20 V | - | 50 W (Tc) | |||||||||||||||||||
 | FDMS1D4N03S | - | | 6227 | 0,00000000 | onsemi | PowerTrench®, SyncFET™ | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-PowerTDFN | FDMS1D4 | MOSFET (Metalloxid) | 8-PQFN (5x6) | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 V | 211A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 1,09 mOhm bei 38 A, 10 V | 3V bei 1mA | 65 nC bei 4,5 V | ±16V | 10250 pF bei 15 V | Schottky-Diode (Körper) | 74W (Tc) | ||||||||||||||||||
 | FDS6898AZ | 1.2600 | | 6214 | 0,00000000 | onsemi | PowerTrench® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) | FDS6898 | MOSFET (Metalloxid) | 900 mW | 8-SOIC | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 2 N-Kanal (Dual) | 20V | 9,4A | 14 mOhm bei 9,4 A, 4,5 V | 1,5 V bei 250 µA | 23 nC bei 4,5 V | 1821pF bei 10V | Logikpegel-Gate | ||||||||||||||||||||
 | FQI27N25TU | - | | 8160 | 0,00000000 | onsemi | QFET® | Rohr | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-262-3 lange Leitungen, I²Pak, TO-262AA | FQI27N25 | MOSFET (Metalloxid) | I2PAK (TO-262) | herunterladen | ROHS3-konform | Nicht zutreffend | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 250 V | 25,5 A (Tc) | 10V | 110 mOhm bei 12,75 A, 10 V | 5 V bei 250 µA | 65 nC bei 10 V | ±30V | 2450 pF bei 25 V | - | 3,13 W (Ta), 180 W (Tc) | ||||||||||||||||||
 | CPH3322-TL-E | 0,1500 | | 222 | 0,00000000 | onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - | Nicht zutreffend | 1 (Unbegrenzt) | Anbieter nicht definiert | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NTD3813NT4G | - | | 8313 | 0,00000000 | onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -55°C ~ 175°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 | NTD38 | MOSFET (Metalloxid) | DPAK | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 16 V | 9,6 A (Ta), 51 A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 8,75 mOhm bei 15 A, 10 V | 2,5 V bei 250 µA | 12,8 nC bei 4,5 V | ±16V | 963 pF bei 12 V | - | 1,2 W (Ta), 34,9 W (Tc) | |||||||||||||||||||
 | NZT6717-ON | 0,1400 | | 1478 | 0,00000000 | onsemi | - | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-261-4, TO-261AA | 1 W | SOT-223-4 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 0000.00.0000 | 4.000 | 80 V | 1,2 A | 100nA (ICBO) | NPN | 350 mV bei 10 mA, 250 mA | 80 bei 50 mA, 1 V | - | |||||||||||||||||||||||
 | 2SA2127X | 0,1800 | | 12 | 0,00000000 | onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | herunterladen | Anbieter nicht definiert | REACH Unberührt | 2156-2SA2127X-488 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ATP113-TL-H | 1.5900 | | 8535 | 0,00000000 | onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | ATPAK (2 Ableitungen + Tab) | ATP113 | MOSFET (Metalloxid) | ATPAK | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 V | 35A (Ta) | 4V, 10V | 29,5 mOhm bei 18 A, 10 V | - | 55 nC bei 10 V | ±20V | 2400 pF bei 20 V | - | 50 W (Tc) | ||||||||||||||||||
 | NTHD3102CT1G | 1.0700 | | 1 | 0,00000000 | onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-SMD, Flachanschluss | NTHD3102 | MOSFET (Metalloxid) | 1,1 W | ChipFET™ | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N- und P-Kanal | 20V | 4A, 3,1A | 45 mOhm bei 4,4 A, 4,5 V | 1,2 V bei 250 µA | 7,9 nC bei 4,5 V | 510pF bei 10V | Logikpegel-Gate | ||||||||||||||||||||
 | FJN13003TA | - | | 4238 | 0,00000000 | onsemi | - | Schnittband (CT) | Veraltet | 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) geformte Leitungen | FJN130 | 1,1 W | TO-92-3 | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.000 | 400 V | 1,5 A | - | NPN | 3 V bei 500 mA, 1,5 A | 9 bei 500 mA, 2 V | 4 MHz | |||||||||||||||||||||||
 | FQP19N20CTSTU | - | | 3686 | 0,00000000 | onsemi | QFET® | Rohr | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-220-3 | FQP1 | MOSFET (Metalloxid) | TO-220-3 | - | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 200 V | 19A (Tc) | 10V | 170 mOhm bei 9,5 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 53 nC bei 10 V | ±30V | 1080 pF bei 25 V | - | 139W (Tc) | |||||||||||||||||||
 | NSBC143ZF3T5G | 0,4000 | | 8 | 0,00000000 | onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | Oberflächenmontage | SOT-1123 | NSBC143 | 254 mW | SOT-1123 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50 V | 100mA | 500nA | NPN – Voreingestellt | 250 mV bei 1 mA, 10 mA | 80 bei 5 mA, 10 V | 4,7 kOhm | 47 kOhm | ||||||||||||||||||||||
 | 2SC536KF-NP-AA | 0,0200 | | 105 | 0,00000000 | onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | herunterladen | Nicht zutreffend | 1 (Unbegrenzt) | Anbieter nicht definiert | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HUFA75344S3 | - | | 3253 | 0,00000000 | onsemi | UltraFET™ | Rohr | Veraltet | -55°C ~ 175°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-262-3 lange Leitungen, I²Pak, TO-262AA | HUFA75 | MOSFET (Metalloxid) | I2PAK (TO-262) | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N-Kanal | 55 V | 75A (Tc) | 10V | 8 mOhm bei 75 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 210 nC bei 20 V | ±20V | 3200 pF bei 25 V | - | 285 W (Tc) | |||||||||||||||||||
| FDB075N15A-F085C | - | | 6223 | 0,00000000 | onsemi | - | Schüttgut | Letzter Kauf | FDB075 | - | 488-FDB075N15A-F085C | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTHD5903T1 | - | | 5698 | 0,00000000 | onsemi | - | Schüttgut | Veraltet | NTHD59 | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS6892A | - | | 2912 | 0,00000000 | onsemi | PowerTrench® | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) | FDS68 | MOSFET (Metalloxid) | 900 mW | 8-SOIC | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 2 N-Kanal (Dual) | 20V | 7,5A | 18 mOhm bei 7,5 A, 4,5 V | 1,5 V bei 250 µA | 17 nC bei 4,5 V | 1333pF bei 10V | Logikpegel-Gate | ||||||||||||||||||||
| 2N5551RLRMG | - | | 9644 | 0,00000000 | onsemi | - | Klebeband & Box (TB) | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-226-3, TO-92-3 langer Körper (geformte Leitungen) | 2N5551 | 625 mW | TO-92 (TO-226) | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 160 V | 600 mA | 50nA (ICBO) | NPN | 200 mV bei 5 mA, 50 mA | 80 bei 10 mA, 5 V | 300 MHz | |||||||||||||||||||||||
| IRF630B_FP001 | - | | 1027 | 0,00000000 | onsemi | - | Rohr | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-220-3 | IRF63 | MOSFET (Metalloxid) | TO-220-3 | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 200 V | 9A (Tc) | 10V | 400 mOhm bei 4,5 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 29 nC bei 10 V | ±30V | 720 pF bei 25 V | - | 72W (Tc) | |||||||||||||||||||
| NVTFWS052P04M8LTAG | 0,9100 | | 8917 | 0,00000000 | onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-PowerWDFN | NVTFWS052 | MOSFET (Metalloxid) | 8-WDFN (3,3x3,3) | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | P-Kanal | 40 V | 4,7 A (Ta), 13,2 A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 69 mOhm bei 5 A, 10 V | 2,4 V bei 95 µA | 6,3 nC bei 10 V | ±20V | 424 pF bei 20 V | - | 2,9 W (Ta), 23 W (Tc) | ||||||||||||||||||
| BC557BG | - | | 6660 | 0,00000000 | onsemi | - | Schüttgut | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-226-3, TO-92-3 Langkörper | BC557 | 625 mW | TO-92 (TO-226) | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 45 V | 100mA | 100nA | PNP | 650 mV bei 5 mA, 100 mA | 180 bei 2 mA, 5 V | 320 MHz | |||||||||||||||||||||||
 | 2SK3748-1E | - | | 9720 | 0,00000000 | onsemi | - | Rohr | Veraltet | 150°C (TJ) | Durchgangsloch | SC-94 | 2SK3748 | MOSFET (Metalloxid) | TO-3PF-3 | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 1500 V | 4A (Ta) | 10V | 7 Ohm bei 2 A, 10 V | - | 80 nC bei 10 V | ±20V | 790 pF bei 30 V | - | 3W (Ta), 65W (Tc) | |||||||||||||||||||
| RFP15N05L | - | | 4378 | 0,00000000 | onsemi | - | Rohr | Veraltet | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-220-3 | RFP15 | MOSFET (Metalloxid) | TO-220-3 | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N-Kanal | 50 V | 15A (Tc) | 5V | 140 mOhm bei 15 A, 5 V | 2V bei 250µA | ±10V | 900 pF bei 25 V | - | 60 W (Tc) | ||||||||||||||||||||
| EC3A04B-3-TL-H | - | | 6251 | 0,00000000 | onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 3-XFDFN | EC3A04 | 100 mW | ECSP1006-3 | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.21.0095 | 8.000 | N-Kanal | 30 V | 4pF bei 10V | 1,2 mA bei 10 V | 180 mV bei 1 µA | 200 Ohm | 10mA | |||||||||||||||||||||||
 | NVTYS007N04CTWG | 0,6142 | | 8578 | 0,00000000 | onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Oberflächenmontage | SOT-1205, 8-LFPAK56 | MOSFET (Metalloxid) | 8-LFPAK | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 488-NVTYS007N04CTWGTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 V | 14A (Ta), 49A (Tc) | 10V | 8,6 mOhm bei 15 A, 10 V | 3,5 V bei 30 µA | 10 nC bei 10 V | ±20V | 674 pF bei 25 V | - | 3,1 W (Ta), 38 W (Tc) | ||||||||||||||||||
| EFC8822R-X-TF | - | | 2791 | 0,00000000 | onsemi | * | Tape & Reel (TR) | Veraltet | EFC8822 | - | - | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | VERALTET | 0000.00.0000 | 5.000 | - |
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