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Transistoren (17799)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | FET -Typ | Testedingung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Reverse Recovery Time (TRR) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) | Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Nvd4805nt4g | - - - |  | 6335 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | NVD480 | MOSFET (Metalloxid) | Dpak | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 12,7a (TA), 95A (TC) | 4,5 V, 11,5 V. | 5mohm @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 48 NC @ 11.5 V. | ± 20 V | 2865 PF @ 12 V | - - - | 1,41W (TA), 79W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | FQB27N25TM-F085 | - - - | | 1227 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | FQB27 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 250 V | 25,5a (TC) | 10V | 131mohm @ 25.5a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 49 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1800 PF @ 25 V. | - - - | 417W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | BS107AG | - - - | | 3515 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | BS107 | MOSFET (Metalloxid) | To-92 (to-226) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | BS107AGOS | Ear99 | 8541.21.0095 | 1.000 | N-Kanal | 200 v | 250 mA (TA) | 10V | 6.4ohm @ 250 mA, 10V | 3V @ 1ma | ± 20 V | 60 PF @ 25 V | - - - | 350 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||
 | MCH6336-TL-E-on | 0,1600 | | 14 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Flache Leitungen | MOSFET (Metalloxid) | SC-88FL/ MCPH6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 0000.00.0000 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 5a (ta) | 43mohm @ 3a, 4,5 V. | 1,4 V @ 1ma | 6,9 NC @ 4,5 V. | ± 10 V | 660 PF @ 6 V. | - - - | 1,5 W (TA) | ||||||||||||||||||||||||
 | NGTB20N120IHLWG | - - - | | 8923 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | NGTB20 | Standard | 192 w | To-247-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 600 V, 20A, 10OHM, 15 V. | - - - | 1200 V | 40 a | 200 a | 2,2 V @ 15V, 20a | 700 µJ (AUS) | 200 NC | -/235ns | ||||||||||||||||||||||||
 | FDD8445-F085 | - - - | | 1298 | 0.00000000 | Onsemi | Automotive, AEC-Q101, Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | FDD844 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 70a (TC) | 10V | 8.7mohm @ 50a, 10V | 4v @ 250 ähm | 59 NC @ 10 V | ± 20 V | 4050 PF @ 25 V. | - - - | 79W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | FQA18N50V2 | - - - | | 9188 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3, SC-65-3 | Fqa1 | MOSFET (Metalloxid) | To-3p | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | N-Kanal | 500 V | 20A (TC) | 10V | 265mohm @ 10a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 55 NC @ 10 V | ± 30 v | 3290 PF @ 25 V. | - - - | 277W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | BVSSS138LT1G | 0,3800 | | 5280 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BVSSS138 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 50 v | 200 Ma (TA) | 5v | 3,5OHM @ 200 Ma, 5V | 1,5 V @ 1ma | ± 20 V | 50 PF @ 25 V. | - - - | 225 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||
 | FDP083N15A-F102 | 5.0900 | | 1 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | FDP083 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 150 v | 83a (TC) | 10V | 8.3mohm @ 75a, 10V | 4v @ 250 ähm | 84 NC @ 10 V | ± 20 V | 6040 PF @ 25 V. | - - - | 294W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | FJC2098qtf | - - - | | 3528 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | FJC20 | 500 MW | SOT-89-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 20 v | 5 a | 500NA | Npn | 1v @ 100 mA, 4a | 120 @ 500 mA, 2V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||
| HUFA75321P3 | - - - | | 6162 | 0.00000000 | Onsemi | Ultrafet ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Hufa75 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | N-Kanal | 55 v | 35a (TC) | 10V | 34mohm @ 35a, 10V | 4v @ 250 ähm | 44 NC @ 20 V | ± 20 V | 680 PF @ 25 V. | - - - | 93W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | 2SA1707T-AN | - - - | | 6472 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | SC-71 | 2SA1707 | 1 w | 3-nmp | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 50 v | 3 a | 1 µA (ICBO) | PNP | 700mv @ 100 mA, 2a | 200 @ 100 Ma, 2V | 150 MHz | |||||||||||||||||||||||||||
 | FDR838p | - - - | | 7360 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-lsop (0,130 ", 3,30 mm Breit) | FDR83 | MOSFET (Metalloxid) | Supersot ™ -8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 8a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 17mohm @ 8a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 45 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 3300 PF @ 10 V. | - - - | 1,8W (TA) | |||||||||||||||||||||||
| FQA6N80 | - - - | | 1717 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3, SC-65-3 | FQA6 | MOSFET (Metalloxid) | To-3p | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 800 V | 6.3a (TC) | 10V | 1,95OHM @ 3.15a, 10 V | 5 V @ 250 ähm | 31 NC @ 10 V | ± 30 v | 1500 PF @ 25 V. | - - - | 185W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| KSD1621UTF | - - - | | 4365 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | KSD1621 | 500 MW | SOT-89-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 4.000 | 25 v | 2 a | 100NA (ICBO) | Npn | 400mv @ 75 mA, 1,5a | 280 @ 100 mA, 2V | 150 MHz | |||||||||||||||||||||||||||
| PN3685 | - - - | | 8705 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | PN368 | MOSFET (Metalloxid) | To-92-3 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||
 | NTTFS010N10MCLTAG | 1.7200 | | 2611 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | NTTFS010 | MOSFET (Metalloxid) | 8-WDFN (3,3x3,3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 100 v | 10.7a (TA), 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 10.6mohm @ 15a, 10V | 3v @ 85 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 20 V | 2150 PF @ 50 V | 2,3 W (TA), 52W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | Si4410dy | - - - | | 7856 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI441 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 10a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 13,5 MOHM @ 10a, 10V | 1V @ 250 ähm | 60 nc @ 10 v | ± 20 V | 1350 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA) | |||||||||||||||||||||||
 | NTBGS001N06C | 14.4800 | | 659 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-7, d²pak (6 Leads + Tab) | MOSFET (Metalloxid) | D2pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 60 v | 42A (TA), 342A (TC) | 10V, 12V | 1,1 MOHM @ 112A, 12V | 4V @ 562 µA | 139 NC @ 10 V | ± 20 V | 11110 PF @ 30 V | - - - | 3,7W (TA), 245W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | FGH75T65UPD-F155 | 4.2327 | | 1001 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | FGH75 | Standard | 375 w | To-247 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 75A, 3OHM, 15 V. | 85 ns | TRABENFELD STOPP | 650 V | 150 a | 225 a | 2,3 V @ 15V, 75a | 3,68MJ (EIN), 1,6mj (AUS) | 68 NC | 42ns/216ns | ||||||||||||||||||||||
 | NTTFS030N06CTAG | 1.2300 | | 4506 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | NTTFS030 | MOSFET (Metalloxid) | 8-WDFN (3,3x3,3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 60 v | 6a (ta), 19a (TC) | 10V | 29.7mohm @ 3a, 10V | 4 V @ 13 µA | 4,7 NC @ 10 V. | ± 20 V | 255 PF @ 30 V | - - - | 2,5 W (TA), 23 W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| NSVMMBT6517LT1G | - - - | | 6532 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | NSVMMBT6 | 225 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 350 V | 100 ma | 50na (ICBO) | Npn | 1v @ 5 ma, 50 mA | 20 @ 50 Ma, 10 V | 200 MHz | |||||||||||||||||||||||||||
| FDMT800150DC-22897 | 4.1478 | | 3920 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | MOSFET (Metalloxid) | 8-Dual Cool ™ 88 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 488-FDMT800150DC-22897TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 150 v | 15a (ta), 99a (TC) | 6 V, 10V | 6,5 MOHM @ 15a, 10V | 4v @ 250 ähm | 108 NC @ 10 V | ± 20 V | 8205 PF @ 75 V | - - - | 3,2 W (TA), 156W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | NVMFS5C442NLWFAFT1G | 2.3000 | | 7857 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NVMFS5 | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 40 v | 29a (TA), 130a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,5 MOHM @ 50A, 10V | 2v @ 250 ähm | 50 nc @ 10 v | ± 20 V | 3100 PF @ 25 V. | - - - | 3.7W (TA), 83W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | 2SD1724T | 0,3000 | | 2 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 5285-MBFJ201 | - - - | | 8113 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBFJ2 | 350 MW | SOT-23-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | - - - | 40 v | 200 µa @ 20 V | 300 mv @ 10 na | ||||||||||||||||||||||||||||
| FQP3N90 | - - - | | 1800 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | FQP3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 900 V | 3.6a (TC) | 10V | 4,25OHM @ 1,8a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 26 NC @ 10 V | ± 30 v | 910 PF @ 25 V. | - - - | 130W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| Nvd4810nt4g | - - - | | 1465 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | NVD481 | MOSFET (Metalloxid) | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 9A (TA), 54a (TC) | 4,5 V, 11,5 V. | 10Mohm @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 11 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 1350 PF @ 12 V | - - - | 1,4W (TA), 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| Mun2237t1 | 0,0200 | | 920 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | Mun2237 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NST3904DXV6T1 | 0,0500 | | 857 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | NST3904 | 500 MW | SOT-563 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 4.000 | 40V | 200 ma | 2 NPN (Dual) | 300mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 300 MHz |
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