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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Leistung - Ausgabe | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | RAUSCHFIGUR | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) | Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | Strom Abfluss (ID) - Maximal |
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![]() | FQA16N50 | - - - | ![]() | 5078 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3, SC-65-3 | Fqa1 | MOSFET (Metalloxid) | To-3p | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | N-Kanal | 500 V | 16a (TC) | 10V | 320mohm @ 8a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 75 NC @ 10 V | ± 30 v | 3000 PF @ 25 V. | - - - | 200W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | TF262TH-4-TL-H | - - - | ![]() | 4613 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, flaches blei | TF262 | 100 MW | Vtfp | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | N-Kanal | 3.5PF @ 2V | 140 µa @ 2 V | 200 mV @ 1 µA | 1 Ma | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mun2212t3 | 0,0200 | ![]() | 1211 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF245A | - - - | ![]() | 9806 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 30 v | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | BF245 | - - - | Jfet | To-92 (to-226) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | N-Kanal | 100 ma | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD675AS-on | 0,3400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | 40 w | To-126-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 45 V | 4 a | 500 ähm | NPN - Darlington | 2,8 V @ 40 Ma, 2a | 750 @ 2a, 3v | - - - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSD73YTSTU | - - - | ![]() | 5207 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | KSD73 | 30 w | To-220-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 60 v | 5 a | 5 mA (ICBO) | Npn | 2v @ 500 mA, 5a | 120 @ 1a, 10 V. | 20MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMC2674 | 1.7900 | ![]() | 6441 | 0.00000000 | Onsemi | Unifet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | FDMC26 | MOSFET (Metalloxid) | 8-MLP (3,3x3,3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 220 V | 1a (ta), 7a (TC) | 10V | 366mohm @ 1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1180 PF @ 100 V | - - - | 2.1W (TA), 42W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | MMBFJ305 | - - - | ![]() | 1824 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBFJ3 | 225 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | - - - | 30 v | 8 ma @ 15 V | 500 mV @ 1 na | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | J202_D74Z | - - - | ![]() | 9343 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | J202 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | N-Kanal | - - - | 40 v | 900 µa @ 20 V | 800 mv @ 10 na | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPS5172RLRMG | - - - | ![]() | 6698 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | MPS517 | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 25 v | 100 ma | 100na | Npn | 250 mV @ 1ma, 10 mA | 100 @ 10 mA, 10 V. | - - - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS0309AS_SN00347 | - - - | ![]() | 8645 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench®, SyncFet ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | FDMS03 | MOSFET (Metalloxid) | 8-PQFN (5x6) | - - - | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 21A (TA), 49A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,5 MOHM @ 21A, 10V | 3V @ 1ma | 47 NC @ 10 V | ± 20 V | 3000 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA), 50 W (TC) | |||||||||||||||||||||||
FJZ733LTF | - - - | ![]() | 3136 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-623F | FJZ733 | 100 MW | SOT-623F | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 300mv @ 10 mA, 100 mA | 350 @ 1ma, 6v | 180 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD1356S | - - - | ![]() | 4532 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | BD135 | 1,25 w | To-126-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | 45 V | 1,5 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 40 @ 150 mA, 2V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC3596E | 0,6300 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC114TET1 | - - - | ![]() | 9370 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | DTC114 | 200 MW | SC-75, SOT-416 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 250 mV @ 1ma, 10 mA | 160 @ 5ma, 10V | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPSA65_D27Z | - - - | ![]() | 2439 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | MPSA65 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 30 v | 1.2 a | 100NA (ICBO) | PNP - Darlington | 1,5 V @ 100 µA, 100 mA | 20000 @ 100ma, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTMFS5C404NT3G | - - - | ![]() | 6714 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NTMFS5 | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 40 v | 53a (TA), 378a (TC) | 10V | 0,7 MOHM @ 50a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 128 NC @ 10 V | ± 20 V | 8400 PF @ 25 V. | - - - | 3,9W (TA), 200W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC3954E | 0,5500 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDG313N | - - - | ![]() | 9370 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | FDG313 | MOSFET (Metalloxid) | SC-88 (SC-70-6) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 25 v | 950 Ma (TA) | 2,7 V, 4,5 V. | 450MOHM @ 500 Ma, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 2,3 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 50 PF @ 10 V | - - - | 750 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||
![]() | Nvtfs6H888ntag | 0,6200 | ![]() | 1998 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | NVTFS6 | MOSFET (Metalloxid) | 8-WDFN (3,3x3,3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 80 v | 4,7a (TA), 12A (TC) | 10V | 55mohm @ 5a, 10V | 4 V @ 15 µA | 4,7 NC @ 10 V. | ± 20 V | 220 PF @ 40 V | - - - | 2,9W (TA), 18W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | MPS9418at | 1.0000 | ![]() | 7196 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Reichweiite Betroffen | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC4027S-H | - - - | ![]() | 5101 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | 2SC4027 | 1 w | Tp | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | 160 v | 1,5 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 450 MV @ 50 Ma, 500 mA | 140 @ 100 mA, 5V | 120 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mun2213t1g | 0,2000 | ![]() | 2597 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Mun2213 | 338 MW | SC-59 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | 47 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | PN200A | - - - | ![]() | 4505 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | PN200 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 45 V | 500 mA | 50na | PNP | 400mv @ 20 mA, 200 mA | 300 @ 10 mA, 1V | 250 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IMH20TR1G | 0,1063 | ![]() | 5046 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-74, SOT-457 | IMH20 | 300 MW | SC-74R | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 15 v | 600 mA | - - - | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 80 MV @ 2,5 mA, 50 mA | 100 @ 50 Ma, 5V | - - - | 2.2ko | - - - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | NVMFD5485NLWFT1G | 1.2055 | ![]() | 7009 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | NVMFD5483 | MOSFET (Metalloxid) | 2.9W | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 5.3a | 44mohm @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 20nc @ 10v | 560PF @ 25v | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Fdn327n | 0,4900 | ![]() | 9795 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | FDN327 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 2a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 70 MOHM @ 2A, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 6,3 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 423 PF @ 10 V. | - - - | 500 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | FDC642p | 0,5800 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | FDC642 | MOSFET (Metalloxid) | Supersot ™ -6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 4a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 65mohm @ 4a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 16 NC @ 4,5 V | ± 8 v | 925 PF @ 10 V | - - - | 1.6W (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC3752M-CB11 | 0,7000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NVMFS6H852NWFT1G | 1.2300 | ![]() | 7965 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NVMFS6 | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 80 v | 10a (ta), 40a (TC) | 10V | 14.2mohm @ 10a, 10V | 4v @ 45 ähm | 13 NC @ 10 V | ± 20 V | 760 PF @ 40 V | - - - | 3.6W (TA), 54W (TC) |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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