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Transistoren (17799)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Spannung - Bewort	Biebstemperatur	Anwendungen	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Technologie	Kraft - Max	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	FET -Typ	Aktuelle Bewertung (Verstärker)	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Strom - Sammler Cutoff (max)	Transistortyp	VCE -Sättigung (max) @ ib, ic	Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang
2SB1135R	- - -	RFQ	5138	Onsemi	- - -	Schüttgut	Veraltet		150 ° C (TJ)		K. Loch	To-220-3 Full Pack			2 w	To-220ml	- - -	Rohs Nick Konform		Verkäfer undefiniert	2156-2SB1135R-488			1														50 v	7 a	100 µA (ICBO)	PNP	400mv @ 400 mA, 4a	100 @ 1a, 2v	10 MHz
NTMFS4C808NAT1G	0,5438	RFQ	3351	Onsemi	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		Oberflächenhalterung	8-Powertdfn, 5 Leads		MOSFET (Metalloxid)		5-DFN (5x6) (8-SoFL)	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0095	1.500		N-Kanal		30 v	9A (TA), 52A (TC)	4,5 V, 10 V.	4,8 MOHM @ 18A, 10V	2,1 V @ 250 ähm	18.2 NC @ 10 V.	± 20 V	1670 PF @ 15 V	- - -	760 MW (TA), 25,5 W (TC)
KSC5502TU	1.6600	RFQ	9864	Onsemi	- - -	Rohr	Aktiv		150 ° C (TJ)		K. Loch	To-220-3	KSC5502		50 w	To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	Nicht Anwendbar	UnberÜHrt Ereichen	488-kSC5502TU	Ear99	8541.29.0095	1.000														600 V	2 a	100 µA	Npn	1,5 V @ 200 Ma, 1a	12 @ 500 mA, 2,5 V.	- - -
NSTB1005DXV5T1G	0,0975	RFQ	8408	Onsemi	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	50V		- - -	Oberflächenhalterung	SOT-553	NSTB1005			SOT-553	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0095	4.000			100 ma														1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual)
FQI5N40TU	- - -	RFQ	9499	Onsemi	QFET®	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		K. Loch	To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa	FQI5	MOSFET (Metalloxid)		I2pak (to-262)	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	50		N-Kanal		400 V	4,5a (TC)	10V	1,6OHM @ 2,25A, 10V	5 V @ 250 ähm	13 NC @ 10 V	± 30 v	460 PF @ 25 V.	- - -	3.13W (TA), 70 W (TC)
HUFA75309T3ST	- - -	RFQ	5853	Onsemi	Ultrafet ™	Band & Rollen (TR)	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		Oberflächenhalterung	To-261-4, to-261aa	Hufa75	MOSFET (Metalloxid)		SOT-223-4	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	2.500		N-Kanal		55 v	3a (ta)	10V	70 Mohm @ 3a, 10V	4v @ 250 ähm	23 NC @ 20 V	± 20 V	352 PF @ 25 V.	- - -	1.1W (TA)
Smun2232t1	- - -	RFQ	5443	Onsemi	*	Schüttgut	Aktiv						Smun2232				- - -	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen				3.000
NTMFS4823NT1G-IRH1	- - -	RFQ	2596	Onsemi	*	Band & Rollen (TR)	Veraltet										- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	488-NTMFS4823NT1G-IRH1TR	Veraltet		1.500
2SC3467E	0,1800	RFQ	5	Onsemi	*	Schüttgut	Aktiv										Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0075	1
NJVMJK44H11TWG	1.0500	RFQ	3375	Onsemi	Automobil, AEC-Q101	Band & Rollen (TR)	Aktiv		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)		Oberflächenhalterung	SOT-1023, 4-LFPAK	NJVMJK44		20 w	Lfpak4 (5x6)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0075	3.000														80 v	8 a	1 µA	Npn	1v @ 400 mA, 8a	60 @ 2a, 1V	85 MHz
HUF75631S3ST	4.2400	RFQ	464	Onsemi	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab	HUF75	MOSFET (Metalloxid)		D²pak (to-263)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	488-HUF75631S3STTR	Ear99	8541.29.0095	800		N-Kanal		100 v	33a (TC)	10V	40mohm @ 33a, 10V	4v @ 250 ähm	79 NC @ 20 V	± 20 V	1220 PF @ 25 V.	- - -	120W (TC)
TE02462T	0,4500	RFQ	12	Onsemi	*	Schüttgut	Aktiv										- - -	Rohs Nick Konform	3 (168 Stunden)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8542.39.0001	1
MPS750RLRP	- - -	RFQ	3761	Onsemi	- - -	Schüttgut	Veraltet						MPS750				Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	2.000
NSCD21LT3G	- - -	RFQ	2732	Onsemi	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet										- - -	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen	488-NSCD21LT3GTR	Veraltet		5.000
NTMFS4C922NAT3G	0.8003	RFQ	7091	Onsemi	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv						NTMFS4				- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	488-NTMFS4C922NAT3GTR	Ear99	8541.29.0095	5.000
NTD4865N-1G	- - -	RFQ	8383	Onsemi	- - -	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		K. Loch	TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa	NTD48	MOSFET (Metalloxid)		I-Pak	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	75		N-Kanal		25 v	8,5a (TA), 44a (TC)	4,5 V, 10 V.	10.9mohm @ 30a, 10V	2,5 V @ 250 ähm	10,8 NC @ 4,5 V.	± 20 V	827 PF @ 12 V	- - -	1,27W (TA), 33,3W (TC)
MJD45H11TF-ON	- - -	RFQ	3144	Onsemi	- - -	Schüttgut	Aktiv		150 ° C (TJ)		Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63			1,75 w	To-252-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	0000.00.0000	1														80 v	8 a	10 µA	PNP	1v @ 400 mA, 8a	40 @ 4a, 1V	40 MHz
FCH47N60N	- - -	RFQ	8948	Onsemi	Supremos ™	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		K. Loch	To-247-3	FCH47N60	MOSFET (Metalloxid)		To-247-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	Nicht Anwendbar	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	30		N-Kanal		600 V	47a (TC)	10V	62mohm @ 23.5a, 10V	4v @ 250 ähm	151 NC @ 10 V	± 30 v	6700 PF @ 100 V	- - -	368W (TC)
Fqu10n20ctu	0,3332	RFQ	3	Onsemi	QFET®	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		K. Loch	TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa	Fqu10n20	MOSFET (Metalloxid)		I-Pak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	Nicht Anwendbar	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	70		N-Kanal		200 v	7.8a (TC)	10V	360 MOHM @ 3,9a, 10V	4v @ 250 ähm	26 NC @ 10 V	± 30 v	510 PF @ 25 V.	- - -	50W (TC)
SFT1345-H	- - -	RFQ	5290	Onsemi	- - -	Schüttgut	Veraltet		150 ° C (TJ)		K. Loch	TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa	SFT134	MOSFET (Metalloxid)		Ipak/tp	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	500		P-Kanal		100 v	11a (ta)	4 V, 10V	275mohm @ 5,5a, 10V	- - -	21 NC @ 10 V	± 20 V	1020 PF @ 20 V	- - -	1W (TA), 35W (TC)
RFP15N05L	- - -	RFQ	4378	Onsemi	- - -	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		K. Loch	To-220-3	RFP15	MOSFET (Metalloxid)		To-220-3	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	400		N-Kanal		50 v	15a (TC)	5v	140mohm @ 15a, 5V	2v @ 250 ähm		± 10 V	900 PF @ 25 V.	- - -	60 W (TC)
2SA1478E	0,2600	RFQ	15	Onsemi	*	Schüttgut	Aktiv										Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0075	1
MPSW3725	- - -	RFQ	8521	Onsemi	- - -	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)	MPSW37		1 w	To-226-3	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0075	1.500														40 v	1.2 a	100NA (ICBO)	Npn	950 mv @ 100 mA, 1a	60 @ 100 mA, 1V	250 MHz
NVH040N65S3F	10.9686	RFQ	8098	Onsemi	Superfet® III	Rohr	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		K. Loch	To-247-3		MOSFET (Metalloxid)		To-247-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	Nicht Anwendbar	UnberÜHrt Ereichen	488-NVH040N65S3F	Ear99	8541.29.0095	30		N-Kanal		650 V	65a (TC)	10V	40mohm @ 32.5a, 10V	5v @ 2,1 mA	153 NC @ 10 V	± 30 v	5875 PF @ 400 V	- - -	446W (TC)
MCH6631-tl-e	0,1000	RFQ	6	Onsemi	*	Schüttgut	Aktiv						MCH6631	- - -			- - -	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8542.39.0001	3.000												- - -
NVD5802NT4G-VF01	- - -	RFQ	4739	Onsemi	Automobil, AEC-Q101	Band & Rollen (TR)	Veraltet		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63	NVD5802	MOSFET (Metalloxid)		Dpak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	2.500		N-Kanal		40 v	16,4a (TA), 101a (TC)	5v, 10V	4.4mohm @ 50a, 10V	3,5 V @ 250 ähm	100 nc @ 10 v	± 20 V	5300 PF @ 12 V	- - -	2,5 W (TA), 93,75 W (TC)
FDC6333C-G	- - -	RFQ	6759	Onsemi	Powertrench®	Band & Rollen (TR)	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		Oberflächenhalterung	SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6	FDC6333	MOSFET (Metalloxid)	700 MW (TA)	Supersot ™ -6	- - -		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	488-FDC6333C-GTR	Ear99	8541.21.0095	3.000	N und p-kanal			30V	2,5a (ta), 2a (ta)		95mohm @ 2,5a, 10 V, 130MOHM @ 2a, 10 V.	3v @ 250 ähm	6,6nc @ 10v, 5,7nc @ 10v		282pf @ 15V, 185pf @ 15V	- - -
NVMFWS0D7N04XMT1G	1.4039	RFQ	3415	Onsemi	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke	8-Powertdfn, 5 Leads		MOSFET (Metalloxid)		5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	488-NVMFWS0D7N04XMT1GTR	Ear99	8541.29.0095	1.500		N-Kanal		40 v	331a (TC)	10V	0,7 MOHM @ 50a, 10 V.	3,5 V @ 180 ähm	74,5 NC @ 10 V	± 20 V	4657 PF @ 25 V.	- - -	134W (TC)
NTMFS4825NFET3G	- - -	RFQ	4700	Onsemi	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)		Oberflächenhalterung	8-Powertdfn, 5 Leads	NTMFS4	MOSFET (Metalloxid)		5-DFN (5x6) (8-SoFL)	Herunterladen		3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	5.000		N-Kanal		30 v	17a (ta), 171a (TC)	4,5 V, 10 V.	2mohm @ 22a, 10V	2,5 V @ 1ma	40,2 NC @ 4,5 V.	± 20 V	5660 PF @ 15 V	- - -	950 MW (TA), 96,2W (TC)
Nthl185N60S5H	3.3784	RFQ	4176	Onsemi	Superfet® III	Rohr	Nicht für Designs		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		K. Loch	To-247-3		MOSFET (Metalloxid)		To-247-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	Nicht Anwendbar	UnberÜHrt Ereichen	488-nthl185N60S5H	Ear99	8541.29.0095	30		N-Kanal		600 V	15a (TC)	10V	185mohm @ 7.5a, 10V	4,3 V @ 1,4 mA	25 NC @ 10 V	± 30 v	1350 PF @ 400 V	- - -	116W (TC)

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Transistoren (17799)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²