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Transistoren (17799)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Anwendungen | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Testedingung | Strom - Test | Leistung - Ausgang | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | RAUSCHFIGUR | Reverse Recovery Time (TRR) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Spannung - Test | Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) | Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkt (Hfe) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | Strom Abfluss (ID) - Maximal |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 50c02sp-Ac | 0,1500 |  | 12 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NVMD4N03R2G | 1.3700 | | 5434 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | NVMD4 | MOSFET (Metalloxid) | 2W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 4a | 60mohm @ 4a, 10V | 3v @ 250 ähm | 16nc @ 10v | 400PF @ 20V | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MMBFJ309 | - - - | | 8466 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 25 v | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBFJ3 | 450 MHz | Jfet | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | N-Kanal | 30 ma | 10 ma | - - - | 12 dB | 3DB | 10 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | D45C12g | - - - | | 8316 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | D45C | 30 w | To-220 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | 80 v | 4 a | 100na | PNP | 500mv @ 50 Ma, 1a | 40 @ 200 Ma, 1V | 40 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NSVJ3910SB3T1G | 0,6000 | | 1 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | NSVJ3910 | 400 MW | 3-cph | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 25 v | 6pf @ 5v | 25 v | 20 mA @ 5 V | 600 mV @ 100 µA | 50 ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK2167-TD-e | 0,4200 | | 4 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NTMFS4C805NAT3G | 1.3900 | | 4 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 30 v | 11,9a (TA), 78A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,8 MOHM @ 30a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 20 V | 1972 PF @ 15 V | - - - | 770 MW (TA), 33W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Dtc115eet1 | - - - | | 4761 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | DTC115 | 200 MW | SC-75, SOT-416 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | 100 Kohms | 100 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Ntlus3a40pzctbg | - - - | | 6677 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-udfn exponiert pad | Ntlus3a | MOSFET (Metalloxid) | 6-udfn (2x2) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 4a (ta) | 1,5 V, 4,5 V. | 29mohm @ 6.4a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 29 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 2600 PF @ 15 V | - - - | 700 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FGP20N6S2D | - - - | | 2180 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | FGP2 | Standard | 125 w | To-220-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | 390 V, 7a, 25 Ohm, 15 V | 31 ns | - - - | 600 V | 28 a | 40 a | 2,7 V @ 15V, 7a | 25 µJ (EIN), 58 µJ (AUS) | 30 NC | 7.7ns/87ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FDMS7600As | - - - | | 8908 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | FDMS7600 | MOSFET (Metalloxid) | 1W | Power56 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 12a, 22a | 7,5 MOHM @ 12A, 10V | 3v @ 250 ähm | 28nc @ 10v | 1750pf @ 15V | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC4406-3-tl-e | 0,0500 | | 78 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SC3646S-TD-E | 0,6500 | | 3 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SC3646 | 500 MW | PCP | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 100 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 400mv @ 40 mA, 400 mA | 100 @ 100 Ma, 5V | 120 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FDS6064N3 | - - - | | 1849 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soikale (0,154 ", 3,90 mm Breit) Exponiertebad | FDS60 | MOSFET (Metalloxid) | 8-SO FLMP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 20 v | 23a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 4mohm @ 23a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 98 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 7191 PF @ 10 V | - - - | 3W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FQP9N25C | - - - | | 6085 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | FQP9 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 250 V | 8.8a (TC) | 10V | 430mohm @ 4.4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 35 NC @ 10 V | ± 30 v | 710 PF @ 25 V. | - - - | 74W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FQAF9P25 | - - - | | 7365 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3 Full Pack | Fqaf9 | MOSFET (Metalloxid) | To-3Pf | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 360 | P-Kanal | 250 V | 7.1a (TC) | 10V | 620mohm @ 3,55a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 30 v | 1180 PF @ 25 V. | - - - | 70W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDP5690 | - - - | | 9516 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Rohr | Veraltet | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | FDP56 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | N-Kanal | 60 v | 32a (TC) | 6 V, 10V | 27mohm @ 16a, 10V | 4v @ 250 ähm | 33 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1120 PF @ 25 V. | - - - | 58W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Fjv3104rmtf | - - - | | 3314 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | FJV310 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NSS35200CF8TIG | 1.0000 | | 6223 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | 635 MW | Chipfet ™ | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 35 V | 2 a | 100na | PNP | 300 mv @ 20 mA, 2a | 100 @ 1,5a, 2V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BCW61BMTF-ON | - - - | | 1560 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 0000.00.0000 | 3.000 | 32 v | 100 ma | 20na | PNP | 550 MV @ 1,25 mA, 50 mA | 140 @ 2MA, 5V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTMS4503NR2 | - - - | | 6979 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | NTMS45 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.500 | N-Kanal | 28 v | 9a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 8mohm @ 14a, 10V | 2v @ 250 ähm | 23 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 2400 PF @ 16 V | - - - | 930 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SC4413-tl-e | 0,3300 | | 174 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2Sc4616e-tl-e | 0,4300 | | 19 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0075 | 700 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Ech8659-m-tl-H | - - - | | 2188 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | Ech8659 | MOSFET (Metalloxid) | 1,5W | 8-Ech | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 7a | 24MOHM @ 3,5a, 10V | - - - | 11.8nc @ 10v | 710PF @ 10V | Logikpegel -Tor, 4V Laufwerk | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FDB8445 | 2.8500 | | 9 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | FDB844 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 40 v | 70a (TC) | 10V | 9mohm @ 70a, 10V | 4v @ 250 ähm | 62 NC @ 10 V | ± 20 V | 3805 PF @ 25 V. | - - - | 92W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NSTB1005DXV5T1G | 0,0975 | | 8408 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 50V | - - - | Oberflächenhalterung | SOT-553 | NSTB1005 | SOT-553 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 100 ma | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SMMBTA56LT3G | 0,4000 | | 59 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SMMBTA56 | 225 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 80 v | 500 mA | 100na | PNP | 250mv @ 10 mA, 100 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 50 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FCP104N60F | 6.3200 | | 5216 | 0.00000000 | Onsemi | Hiperfet ™, polar ™ | Rohr | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | FCP104 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 37a (TC) | 10V | 104mohm @ 18.5a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 145 NC @ 10 V. | ± 20 V | 6130 PF @ 25 V. | - - - | 357W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2n2904 | - - - | | 2033 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2n2904 | 600 MW | To-39 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 200 | 40 v | 600 mA | - - - | PNP | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 40 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC4520T-TD-E | 0,2800 | | 7 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 |
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