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Transistoren (17799)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | Eingang | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Testedingung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Reverse Recovery Time (TRR) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) | Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id | Strom - Sammler Cutoff (max) | NTC Thermistor | Eingabekapazität (cies) @ vce | Ausfluss - rds (on) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDMC7672S | 1.1300 |  | 16 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench®, SyncFet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | FDMC7672 | MOSFET (Metalloxid) | 8-MLP (3,3x3,3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 14,8a (TA), 18a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6mohm @ 14.8a, 10V | 3V @ 1ma | 42 NC @ 10 V. | ± 20 V | 2520 PF @ 15 V | - - - | 2,3 W (TA), 36W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | Nta4153nt1 | - - - | | 5114 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | Nta41 | MOSFET (Metalloxid) | SC-75, SOT-416 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 915 Ma (TA) | 1,5 V, 4,5 V. | 230mohm @ 600 mA, 4,5 V. | 1,1 V @ 250 ähm | 1,82 NC @ 4,5 V. | ± 6 V | 110 PF @ 16 V | - - - | 300 MW (TJ) | |||||||||||||||||||||||||||
 | FDS3680 | - - - | | 5702 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | FDS36 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 5.2a (TA) | 6 V, 10V | 46mohm @ 5.2a, 10V | 4v @ 250 ähm | 53 NC @ 10 V | ± 20 V | 1735 PF @ 50 V | - - - | 2,5 W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
| FDS6892A | - - - | | 2912 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | FDS68 | MOSFET (Metalloxid) | 900 MW | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 7.5a | 18mohm @ 7,5a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 17nc @ 4,5V | 1333pf @ 10v | Logikpegel -tor | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Fqpf13n06 | - - - | | 4116 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | Fqpf1 | MOSFET (Metalloxid) | To-220f-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 60 v | 9,4a (TC) | 10V | 135mohm @ 4.7a, 10V | 4v @ 250 ähm | 7,5 NC @ 10 V | ± 25 V | 310 PF @ 25 V. | - - - | 24W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BC859BLT1G | - - - | | 3988 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC859 | 300 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 v | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 220 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NTMS4802NR2G | - - - | | 3226 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | NTMS4802 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 11.1a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 4mohm @ 18a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 36 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 5300 PF @ 25 V. | - - - | 910 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
 | NVMFS6H852NWFT1G | 1.2300 | | 7965 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NVMFS6 | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 80 v | 10a (ta), 40a (TC) | 10V | 14.2mohm @ 10a, 10V | 4v @ 45 ähm | 13 NC @ 10 V | ± 20 V | 760 PF @ 40 V | - - - | 3.6W (TA), 54W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | FDB5800 | 2.9200 | | 2 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | FDB580 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 60 v | 14A (TA), 80A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6mohm @ 80a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 135 NC @ 10 V | ± 20 V | 6625 PF @ 15 V | - - - | 242W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | 2SD1682T | 0,1500 | | 22 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NTNS3CS68NZT5G | 0,1200 | | 280 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Verkäfer undefiniert | UnberÜHrt Ereichen | 2156-NTNS3CS68NZT5G-488 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NTUD3170NZT5G | 0,6400 | | 38 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-963 | NTUD3170 | MOSFET (Metalloxid) | 125 MW | SOT-963 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 220 Ma | 1,5OHM @ 100 mA, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | - - - | 12.5PF @ 15V | Logikpegel -tor | |||||||||||||||||||||||||||||
 | NTB125N02R | - - - | | 9665 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | NTB12 | MOSFET (Metalloxid) | D2pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 24 v | 95A (TA), 120,5a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4.6mohm @ 20a, 10V | 2v @ 250 ähm | 28 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 3440 PF @ 20 V | - - - | 1,98W (TA), 113,6W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| NXH160T120L2Q2F2S1G | 114.2122 | | 6764 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | 500 w | Standard | 56-PIM/Q2Pack (93x47) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 488-NXH160T120L2Q2F2S1G | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | Drei -Level -Wechselrichter | - - - | 1200 V | 181 a | 2,7 V @ 15V, 160a | 500 µA | Ja | 38,8 NF @ 25 V. | |||||||||||||||||||||||||||||
 | FDMS8090 | 6.6100 | | 5148 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | FDMS80 | MOSFET (Metalloxid) | 2.2W | 8-mlp (5x6), Power56 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 100V | 10a | 13mohm @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | 27nc @ 10v | 1800pf @ 50V | Logikpegel -tor | |||||||||||||||||||||||||||||
 | FGH20N60SFDTU | 3.8000 | | 450 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | FGH20 | Standard | 165 w | To-247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 2266-fgh20N60Sfdtu | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 20A, 10OHM, 15 V. | 34 ns | Feldstopp | 600 V | 40 a | 60 a | 2,8 V @ 15V, 20a | 370 µJ (EIN), 160 µJ (AUS) | 65 NC | 13ns/90ns | ||||||||||||||||||||||||||
 | KSA1013OTA | - - - | | 2657 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | KSA1013 | 900 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 160 v | 1 a | 1 µA (ICBO) | PNP | 1,5 V @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 200 Ma, 5V | 50 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
| PN4392_D75Z | - - - | | 9766 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | PN439 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | N-Kanal | 14pf @ 20V | 30 v | 25 mA @ 20 V | 2 V @ 1 na | 60 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC550 | - - - | | 7765 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | BC550 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 110 @ 2MA, 5V | 300 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| J112RLRAG | - - - | | 6973 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | J112 | 350 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | N-Kanal | - - - | 35 V | 5 ma @ 15 V | 1 V @ 1 µA | 50 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FQA19N20C | - - - | | 4983 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3, SC-65-3 | Fqa1 | MOSFET (Metalloxid) | To-3p | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 200 v | 21,8a (TC) | 10V | 170mohm @ 10.9a, 10V | 4v @ 250 ähm | 53 NC @ 10 V | ± 30 v | 1080 PF @ 25 V. | - - - | 180W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
| FDB9409-F085 | - - - | | 8389 | 0.00000000 | Onsemi | Automotive, AEC-Q101, Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | FDB9409 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 40 v | 80A (TC) | 10V | 3,5 MOHM @ 80A, 10V | 4v @ 250 ähm | 56 NC @ 10 V | ± 20 V | 2980 PF @ 25 V. | - - - | 94W (TJ) | |||||||||||||||||||||||||||
 | 2SK3747-1e | - - - | | 1108 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | SC-94 | 2SK3747 | MOSFET (Metalloxid) | To-3PF-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 1500 V | 2a (ta) | 10V | 13ohm @ 1a, 10V | - - - | 37,5 NC @ 10 V. | ± 35 V | 380 PF @ 30 V | - - - | 3W (TA), 50 W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | MMDFS3P303R2 | 0,1800 | | 77 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMUN5216DW1T1G-M02 | 0,5100 | | 96 | 0.00000000 | Onsemi | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Smun5216 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | 2832-Smun5216DW1T1G-M02TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 981 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC487 | 0,0600 | | 7 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FDAF69N25 | - - - | | 4318 | 0.00000000 | Onsemi | Unifet ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3 Full Pack | FDAF69 | MOSFET (Metalloxid) | To-3Pf | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 250 V | 34a (TC) | 10V | 41mohm @ 17a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 100 nc @ 10 v | ± 30 v | 4640 PF @ 25 V. | - - - | 115W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | MMBF0201NLT1G | 0,3700 | | 3737 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBF0201 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 300 mA (TA) | 4,5 V, 10 V. | 1OHM @ 300 mA, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | ± 20 V | 45 PF @ 5 V. | - - - | 225 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | NGTB20N120LWG | - - - | | 2411 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | NGTB20 | Standard | 192 w | To-247-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 600 V, 20A, 10OHM, 15 V. | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 40 a | 200 a | 2,2 V @ 15V, 20a | 3,1 MJ (EIN), 700 µJ (AUS) | 200 NC | 86ns/235ns | |||||||||||||||||||||||||||||
 | NJVMJD45H11T4G-VF01 | - - - | | 3646 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | NJVMJD45 | 1,75 w | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 80 v | 8 a | 1 µA | PNP | 1v @ 400 mA, 8a | 40 @ 4a, 1V | 90 MHz |
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