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Transistoren (3861)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | FET -Typ | Testedingung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Reverse Recovery Time (TRR) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | STP77N6F6 | 1.5200 |  | 1 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Deepgate ™, Stripfet ™ vi | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | STP77N | MOSFET (Metalloxid) | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 60 v | 77a (TC) | 10V | 7mohm @ 38,5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 76 NC @ 10 V | ± 20 V | 5300 PF @ 25 V. | - - - | 80W (TC) | ||||||||||||||
| STP105N3ll | 1.5200 | | 830 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Deepgate ™, Stripfet ™ vi | Rohr | Aktiv | 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | STP105 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 30 v | 80A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,5 MOHM @ 40A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 42 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 3100 PF @ 25 V. | - - - | 140W (TC) | ||||||||||||||
 | STFI11NM65N | - - - | | 7002 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Mdmesh ™ II | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 Full Pack, i²pak | Stfi11n | MOSFET (Metalloxid) | I2pakfp (to-281) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 497-13388-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 650 V | 11a (TC) | 10V | 455mohm @ 5,5a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 29 NC @ 10 V | ± 25 V | 800 PF @ 50 V | - - - | 25W (TC) | |||||||||||||
 | STU2LN60K3 | - - - | | 100 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Supermesh3 ™ | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | STU2LN60 | MOSFET (Metalloxid) | To-251 (ipak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 600 V | 2a (TC) | 10V | 4,5OHM @ 1a, 10V | 4,5 V @ 50 µA | 12 NC @ 10 V | ± 30 v | 235 PF @ 50 V | - - - | 45W (TC) | ||||||||||||||
| STP10P6F6 | 1.2600 | | 1 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Deepgate ™, Stripfet ™ vi | Rohr | Veraltet | 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | STP10 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 60 v | 10a (TC) | 10V | 160Mohm @ 5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 6.4 NC @ 10 V | ± 20 V | 340 PF @ 48 V | - - - | 30W (TC) | ||||||||||||||
| STP46NF30 | 3.7100 | | 5655 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | StripFet ™ II | Rohr | Aktiv | 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | STP46 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 497-13442 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 300 V | 42a (TC) | 10V | 75mohm @ 17a, 10V | 4v @ 250 ähm | 90 nc @ 10 v | ± 20 V | 3200 PF @ 25 V. | - - - | 300 W (TC) | |||||||||||||
 | STGW30H60DF | - - - | | 9421 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | STGW30 | Standard | 260 w | To-247 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 30a, 10ohm, 15 V. | 110 ns | TRABENFELD STOPP | 600 V | 60 a | 120 a | 2,4 V @ 15V, 30a | 350 µJ (EIN), 400 µJ (AUS) | 105 NC | 50 ns/160ns | ||||||||||||||
| STGWT20V60DF | 3.1300 | | 235 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3, SC-65-3 | STGWT20 | Standard | 167 w | To-3p | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 20a, 15 V | 40 ns | TRABENFELD STOPP | 600 V | 40 a | 80 a | 2,2 V @ 15V, 20a | 200 µJ (Ein), 130 µJ (AUS) | 116 NC | 38ns/149ns | ||||||||||||||
 | STI20N65M5 | 3.0100 | | 4470 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Mdmesh ™ v | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | STI20 | MOSFET (Metalloxid) | I2pak (to-262) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 650 V | 18a (TC) | 10V | 190mohm @ 9a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 36 NC @ 10 V | ± 25 V | 1434 PF @ 100 V | - - - | 130W (TC) | ||||||||||||||
| STP13N80K5 | 3.9100 | | 495 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Supermesh5 ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | STP13 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 497-13779-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 800 V | 12a (TC) | 10V | 450mohm @ 6a, 10V | 5 V @ 100 µA | 29 NC @ 10 V | ± 30 v | 870 PF @ 100 V | - - - | 190W (TC) | |||||||||||||
 | STB13N80K5 | 4.5500 | | 4066 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Supermesh5 ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | STB13 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 800 V | 12a (TC) | 10V | 450mohm @ 6a, 10V | 5 V @ 100 µA | 29 NC @ 10 V | ± 30 v | 870 PF @ 100 V | - - - | 190W (TC) | ||||||||||||||
 | STL110N10F7 | 2.5800 | | 2 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Deepgate ™, Stripfet ™ VII | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | Stl110 | MOSFET (Metalloxid) | Powerflat ™ (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 107a (TC) | 10V | 6mohm @ 10a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 72 NC @ 10 V | ± 20 V | 5117 PF @ 50 V | - - - | 136W (TC) | ||||||||||||||
 | STF100N10F7 | 2.7800 | | 7 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Deepgate ™, Stripfet ™ VII | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | STF100 | MOSFET (Metalloxid) | To-220fp | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 45a (TC) | 10V | 8mohm @ 22.5a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 61 NC @ 10 V | ± 20 V | 4369 PF @ 50 V | - - - | 30W (TC) | ||||||||||||||
| STFI15NM65N | 2.5100 | | 347 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Mdmesh ™ II | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 Full Pack, i²pak | STFI15N | MOSFET (Metalloxid) | I2pakfp (to-281) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 650 V | 12a (TC) | 10V | 380Mohm @ 6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 33.3 NC @ 10 V. | ± 25 V | 983 PF @ 50 V | - - - | 30W (TC) | ||||||||||||||
 | STB7ANM60N | 1.6100 | | 146 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Automotive, AEC-Q101, Mdmesh ™ II | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | STB7 | MOSFET (Metalloxid) | D2pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 5a (TC) | 10V | 900mohm @ 2,5a, 10 V | 4v @ 250 mA | 14 NC @ 10 V | ± 25 V | 363 PF @ 50 V | - - - | 45W (TC) | ||||||||||||||
 | STF40N60M2 | 6.2700 | | 9143 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Mdmesh ™ II Plus | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | STF40 | MOSFET (Metalloxid) | To-220fp | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 34a (TC) | 10V | 88mohm @ 17a, 10V | 4v @ 250 ähm | 57 NC @ 10 V | ± 25 V | 2500 PF @ 100 V | - - - | 40W (TC) | ||||||||||||||
| STI400N4F6 | 5.0400 | | 1 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Deepgate ™, Stripfet ™ vi | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | STI400N | MOSFET (Metalloxid) | I2pak (to-262) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 40 v | 120a (TC) | 10V | 1,7 MOHM @ 60A, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 377 NC @ 10 V. | ± 20 V | 20000 PF @ 25 V. | - - - | 300 W (TC) | ||||||||||||||
| STWA20N95K5 | 7.9900 | | 4694 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Supermesh5 ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Stwa20 | MOSFET (Metalloxid) | To-247 Lange Hinese | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 950 V | 17,5a (TC) | 10V | 330mohm @ 9a, 10V | 5 V @ 100 µA | 40 nc @ 10 v | ± 30 v | 1500 PF @ 100 V | - - - | 250 W (TC) | ||||||||||||||
| STGW15H120F2 | 2.1291 | | 4248 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Rohr | Lets Kaufen | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | STGW15 | Standard | 259 w | To-247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 600 V, 15a, 10ohm, 15 V. | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 30 a | 60 a | 2,6 V @ 15V, 15a | 380 µJ (EIN), 370 µJ (AUS) | 67 NC | 23ns/111ns | |||||||||||||||
 | STL4N10F7 | 0,8600 | | 5585 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Deepgate ™, Stripfet ™ VII | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | Stl4 | MOSFET (Metalloxid) | Powerflat ™ (3.3x3.3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 4,5a (TA), 18a (TC) | 10V | 70 MOHM @ 2,25A, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 7,8 NC @ 10 V | ± 20 V | 408 PF @ 50 V | - - - | 2,9W (TA), 50 W (TC) | ||||||||||||||
 | STD11N50M2 | 1.4900 | | 5653 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Mdmesh ™ II Plus | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Std11 | MOSFET (Metalloxid) | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 500 V | 8a (TC) | 10V | 530mohm @ 4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 25 V | 395 PF @ 100 V | - - - | 85W (TC) | ||||||||||||||
 | STH245N75F3-6 | - - - | | 7491 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Automobil, AEC-Q101, Stripfet ™ F3 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-7, d²pak (6 Leads + Tab) | STH245 | MOSFET (Metalloxid) | H2PAK-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 75 V | 180a (TC) | 10V | 3mohm @ 90a, 10V | 4v @ 250 ähm | 87 NC @ 10 V | ± 20 V | 6800 PF @ 25 V. | - - - | 300 W (TC) | ||||||||||||||
 | STH265N6F6-2AG | - - - | | 5012 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Automotive, AEC-Q101, Stripfet ™ F6 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | STH265 | MOSFET (Metalloxid) | H2PAK-2 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 60 v | 180a (TC) | 10V | 2,1 MOHM @ 60A, 10V | 4v @ 250 ähm | 183 NC @ 10 V. | ± 20 V | 11800 PF @ 25 V. | - - - | 300 W (TC) | ||||||||||||||
 | STL42P6llf6 | 1.9100 | | 9744 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Stripfet ™ F6 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | Stl42 | MOSFET (Metalloxid) | Powerflat ™ (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 497-15479-1 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 42a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 26mohm @ 4,5a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 30 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 3780 PF @ 25 V. | - - - | 100 W (TC) | |||||||||||||
 | STS5P3LLH6 | 0,9800 | | 27 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Deepgate ™, Stripfet ™ H6 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | STS5P3 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 5a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 56mohm @ 2,5a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 6 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 639 PF @ 25 V. | - - - | 2.7W (TA) | ||||||||||||||
 | STR1P2UH7 | - - - | | 4704 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Stripfet ™ H7 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | STR1 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 1,4a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 100MOHM @ 700 mA, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 4,8 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 510 PF @ 10 V | - - - | 350 MW (TC) | ||||||||||||||
 | STT4P3LLH6 | 0,6100 | | 1 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Deepgate ™, Stripfet ™ H6 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 | STT4P3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 4a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 56mohm @ 2a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 6 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 639 PF @ 25 V. | - - - | 1.6W (TA) | ||||||||||||||
| STF12N65M2 | 1.9400 | | 886 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Mdmesh ™ M2 | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | STF12 | MOSFET (Metalloxid) | To-220fp | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 497-15531-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 650 V | 8a (TC) | 10V | 500mohm @ 4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 16,5 NC @ 10 V. | ± 25 V | 535 PF @ 100 V | - - - | 25W (TC) | |||||||||||||
| STW40N65M2 | 6.2500 | | 4759 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Mdmesh ™ M2 | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | STW40 | MOSFET (Metalloxid) | To-247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 497-15576-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 650 V | 32a (TC) | 10V | 99mohm @ 16a, 10V | 4v @ 250 ähm | 56,5 NC @ 10 V. | ± 25 V | 2355 PF @ 100 V | - - - | 250 W (TC) | |||||||||||||
| STB33N65M2 | 4.2600 | | 1 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Mdmesh ™ M2 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | STB33 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 650 V | 24a (TC) | 10V | 140 MOHM @ 12A, 10V | 4v @ 250 ähm | 41,5 NC @ 10 V. | ± 25 V | 1790 PF @ 100 V | - - - | 190W (TC) |
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