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Transistoren (39)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max)
PAA12400BM3 PN Junction Semiconductor PAA12400BM3 882.3600
RFQ
 ECAD 3564 0.00000000 PN Junction Semiconductor - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Modul PAA12400 Silziumkarbid (sic) - - - Modul Herunterladen ROHS3 -KONFORM Reichweiite Betroffen 4237-PAA12400BM3 1 2 N-Kanal (Halbe Brücke) 1200 V (1,2 kV) 350a 7.3mohm @ 300a, 20V 5 V @ 100 mA - - - 29.5PF @ 1000V - - -
P3M12040K4 PN Junction Semiconductor P3M12040K4 20.9800
RFQ
 ECAD 2699 0.00000000 PN Junction Semiconductor P3m Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-4 Sicfet (Silziumkarbid) To-247-4l Herunterladen ROHS3 -KONFORM Reichweiite Betroffen 4237-P3M12040K4 1 N-Kanal 1200 V 63a 15 v 48mohm @ 40a, 15V 2,2 V @ 40 mA (Typ) +21V, -8v - - - 349W
P3M171K2K3 PN Junction Semiconductor P3M171K2K3 5.5900
RFQ
 ECAD 2230 0.00000000 PN Junction Semiconductor P3m Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Sicfet (Silziumkarbid) To-247-3l Herunterladen ROHS3 -KONFORM Reichweiite Betroffen 4237-P3M171K2K3 1 N-Kanal 1700 v 6a 15 v 1,4ohm @ 2a, 15 V 2,2 V @ 2MA (Typ) +19V, -8 v - - - 68W
P3M12080K4 PN Junction Semiconductor P3M12080K4 11.9000
RFQ
 ECAD 9034 0.00000000 PN Junction Semiconductor P3m Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-4 Sicfet (Silziumkarbid) To-247-4l Herunterladen ROHS3 -KONFORM Reichweiite Betroffen 4237-P3M12080K4 1 N-Kanal 1200 V 47a 15 v 96mohm @ 20a, 15V 2,4 V @ 5ma (Typ) +21V, -8v - - - 221W
P3M12080G7 PN Junction Semiconductor P3m12080g7 11.9000
RFQ
 ECAD 1610 0.00000000 PN Junction Semiconductor P3m Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-8, d²pak (7 Leitungen + Tab), to-263ca Sicfet (Silziumkarbid) D2pak-7 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Reichweiite Betroffen 4237-p3m12080g7tr 1 N-Kanal 1200 V 32a 15 v 96mohm @ 20a, 15V 2,2 V @ 30 Ma (Typ) +19V, -8 v - - - 136W
P3M12040K3 PN Junction Semiconductor P3M12040K3 20.9800
RFQ
 ECAD 8887 0.00000000 PN Junction Semiconductor P3m Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Sicfet (Silziumkarbid) To-247-3l Herunterladen ROHS3 -KONFORM Reichweiite Betroffen 4237-P3M12040K3 Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 1200 V 63a 15 v 48mohm @ 40a, 15V 2,2 V @ 40 mA (Typ) +21V, -8v - - - 349W
P3M12017K4 PN Junction Semiconductor P3M12017K4 39.7500
RFQ
 ECAD 7138 0.00000000 PN Junction Semiconductor P3m Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-4 Sicfet (Silziumkarbid) To-247-4l Herunterladen ROHS3 -KONFORM Reichweiite Betroffen 4237-P3M12017K4 1 N-Kanal 1200 V 151a 15 v 24MOHM @ 75A, 15V 2,5 V @ 75 mA (Typ) +25 V, -10 V - - - 789W
P1H06300D8 PN Junction Semiconductor P1H06300D8 4.9800
RFQ
 ECAD 7689 0.00000000 PN Junction Semiconductor - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Ganfet (Galliumnitrid) Dfn8*8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Reichweiite Betroffen 4237-P1H06300D8TR 1 N-Kanal 650 V 10a 6v - - - +10 V, -20 V - - - 55,5W
P3M06120K4 PN Junction Semiconductor P3M06120K4 9.0500
RFQ
 ECAD 2705 0.00000000 PN Junction Semiconductor P3m Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-4 Sicfet (Silziumkarbid) To-247-4l Herunterladen ROHS3 -KONFORM Reichweiite Betroffen 4237-p3m06120k4 1 N-Kanal 650 V 27a 15 v 158mohm @ 10a, 15V 2,2 V @ 5ma +20V, -8 v - - - 131W
P3M07013K4 PN Junction Semiconductor P3M07013K4 33,9000
RFQ
 ECAD 4850 0.00000000 PN Junction Semiconductor P3m Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-4 Sicfet (Silziumkarbid) To-247-4l Herunterladen ROHS3 -KONFORM Reichweiite Betroffen 4237-P3M07013K4 1 N-Kanal 750 V 140a 15 v 16mohm @ 75a, 15V 2,2 V @ 75 mA (Typ) +19V, -8 v - - - 428W
P3M06120K3 PN Junction Semiconductor P3M06120K3 9.0500
RFQ
 ECAD 6996 0.00000000 PN Junction Semiconductor P3m Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Sicfet (Silziumkarbid) To-247-3l Herunterladen ROHS3 -KONFORM Reichweiite Betroffen 4237-P3M06120K3 1 N-Kanal 650 V 27a 15 v 158mohm @ 10a, 15V 2,2 V @ 5ma +20V, -8 v - - - 131W
P3M173K0T3 PN Junction Semiconductor P3M173K0T3 5.0800
RFQ
 ECAD 8943 0.00000000 PN Junction Semiconductor P3m Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-2 Sicfet (Silziumkarbid) To-220-2l Herunterladen ROHS3 -KONFORM Reichweiite Betroffen 4237-P3M173K0T3 Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 1700 v 4a 15 v 2,6OHM @ 600 mA, 15 V. 2,2 V @ 600 um (Typ) +19V, -8 v - - - 75W
P3M06060K3 PN Junction Semiconductor P3M06060K3 10.3800
RFQ
 ECAD 9755 0.00000000 PN Junction Semiconductor P3m Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Sicfet (Silziumkarbid) To-247-3l Herunterladen ROHS3 -KONFORM Reichweiite Betroffen 4237-P3M06060K3 1 N-Kanal 650 V 48a 15 v 79mohm @ 20a, 15V 2,2 V @ 20 Ma (Typ) +20V, -8 v - - - 188W
P3M06300D8 PN Junction Semiconductor P3M06300D8 4.9800
RFQ
 ECAD 7160 0.00000000 PN Junction Semiconductor P3m Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Dfn8*8 Sicfet (Silziumkarbid) Dfn8*8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Reichweiite Betroffen 4237-p3m06300d8tr 1 N-Kanal 650 V 9a 15 v 500 MOHM @ 4,5A, 15 V 2,2 V @ 5ma +20V, -8 v - - - 32W
P3M06060K4 PN Junction Semiconductor P3M06060K4 10.3800
RFQ
 ECAD 7995 0.00000000 PN Junction Semiconductor P3m Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-4 Sicfet (Silziumkarbid) To-247-4l Herunterladen ROHS3 -KONFORM Reichweiite Betroffen 4237-P3M06060K4 1 N-Kanal 650 V 48a 15 v 79mohm @ 20a, 15V 2,4 V @ 5ma (Typ) +20V, -8 v - - - 188W
P3M173K0K3 PN Junction Semiconductor P3M173K0K3 5.0800
RFQ
 ECAD 6554 0.00000000 PN Junction Semiconductor P3m Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Sicfet (Silziumkarbid) To-247-3l Herunterladen ROHS3 -KONFORM Reichweiite Betroffen 4237-P3M173K0K3 1 N-Kanal 1700 v 4a 15 v 3,6OHM @ 600 mA, 15 V. 2,2 V @ 600 um (Typ) +19V, -8 v - - - 63W
P3M12025K3 PN Junction Semiconductor P3M12025K3 28.7400
RFQ
 ECAD 2069 0.00000000 PN Junction Semiconductor P3m Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Sicfet (Silziumkarbid) To-247-3l Herunterladen ROHS3 -KONFORM Reichweiite Betroffen 4237-P3M12025K3 1 N-Kanal 1200 V 113a 15 v 35mohm @ 50a, 15V 2,4 V @ 17,7 Ma (Typ) +21V, -10 V. - - - 524W
P3M06040K3 PN Junction Semiconductor P3M06040K3 12.1700
RFQ
 ECAD 2030 0.00000000 PN Junction Semiconductor P3m Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Sicfet (Silziumkarbid) To-247-3l Herunterladen ROHS3 -KONFORM Reichweiite Betroffen 4237-P3M06040K3 Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 650 V 68a 15 v 50mohm @ 40a, 15 V 2,4 V @ 7,5 Ma (Typ) +20V, -8 v - - - 254W
P3M12025K4 PN Junction Semiconductor P3M12025K4 28.7400
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 PN Junction Semiconductor P3m Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-4 Sicfet (Silziumkarbid) To-247-4l Herunterladen ROHS3 -KONFORM Reichweiite Betroffen 4237-P3M12025K4 1 N-Kanal 1200 V 112a 15 v 35mohm @ 50a, 15V 2,2 V @ 50 Ma (Typ) +19V, -8 v - - - 577W
P3M17040K4 PN Junction Semiconductor P3M17040K4 35.8600
RFQ
 ECAD 4762 0.00000000 PN Junction Semiconductor P3m Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-4 Sicfet (Silziumkarbid) To-247-4l Herunterladen ROHS3 -KONFORM Reichweiite Betroffen 4237-P3M17040K4 1 N-Kanal 1700 v 73a 15 v 60mohm @ 50a, 15 V 2,2 V @ 50 Ma (Typ) +19V, -8 v - - - 536W
P3M12160K4 PN Junction Semiconductor P3M12160K4 8.8300
RFQ
 ECAD 9289 0.00000000 PN Junction Semiconductor P3m Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-4 Sicfet (Silziumkarbid) To-247-4l Herunterladen ROHS3 -KONFORM Reichweiite Betroffen 4237-P3M12160K4 1 N-Kanal 1200 V 19a 15 v 192mohm @ 10a, 15V 2,4 V @ 2,5 Ma (Typ) +21V, -8v - - - 110W
P3M171K0F3 PN Junction Semiconductor P3M171K0F3 6.1000
RFQ
 ECAD 2987 0.00000000 PN Junction Semiconductor P3m Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220f-2 Sicfet (Silziumkarbid) To-220f-2l Herunterladen ROHS3 -KONFORM Reichweiite Betroffen 4237-P3M171K0F3 1 N-Kanal 1700 v 5.5a 15 v 1,4ohm @ 2a, 15 V 2,2 V @ 2MA (Typ) +19V, -8 v - - - 51W
P3M06300T3 PN Junction Semiconductor P3M06300T3 4.9800
RFQ
 ECAD 7695 0.00000000 PN Junction Semiconductor P3m Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-2 Sicfet (Silziumkarbid) To-220-2l Herunterladen ROHS3 -KONFORM Reichweiite Betroffen 4237-P3M06300T3 1 N-Kanal 650 V 9a 15 v 500 MOHM @ 4,5A, 15 V 2,2 V @ 5ma +20V, -8 v - - - 35W
P3M12160K3 PN Junction Semiconductor P3M12160K3 8.8300
RFQ
 ECAD 8824 0.00000000 PN Junction Semiconductor P3m Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Sicfet (Silziumkarbid) To-247-3l Herunterladen ROHS3 -KONFORM Reichweiite Betroffen 4237-P3M12160K3 Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 1200 V 19a 15 v 192mohm @ 10a, 15V 2,4 V @ 2,5 Ma (Typ) +21V, -8v - - - 110W
P3M171K0G7 PN Junction Semiconductor P3M171K0G7 6.1000
RFQ
 ECAD 7429 0.00000000 PN Junction Semiconductor P3m Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-8, d²pak (7 Leitungen + Tab), to-263ca Sicfet (Silziumkarbid) D2pak-7 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Reichweiite Betroffen 4237-p3m171k0g7 Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 1700 v 7a 15 v 1,4ohm @ 2a, 15 V 2,2 V @ 2MA (Typ) +19V, -8 v - - - 100W
P3M171K0K3 PN Junction Semiconductor P3M171K0K3 6.1000
RFQ
 ECAD 5311 0.00000000 PN Junction Semiconductor P3m Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Sicfet (Silziumkarbid) To-247-3l Herunterladen ROHS3 -KONFORM Reichweiite Betroffen 4237-P3M171K0K3 1 N-Kanal 1700 v 6a 15 v 1,4ohm @ 2a, 15 V 2,2 V @ 2MA (Typ) +19V, -8 v - - - 68W
P3M06120T3 PN Junction Semiconductor P3M06120T3 9.0500
RFQ
 ECAD 8880 0.00000000 PN Junction Semiconductor P3m Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-2 Sicfet (Silziumkarbid) To-220-2l Herunterladen ROHS3 -KONFORM Reichweiite Betroffen 4237-p3m06120t3 1 N-Kanal 650 V 29a 15 v 158mohm @ 10a, 15V 2,2 V @ 5ma (Typ) +20V, -8 v - - - 153W
P3M12040G7 PN Junction Semiconductor P3M12040G7 20.9800
RFQ
 ECAD 8324 0.00000000 PN Junction Semiconductor P3m Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-8, d²pak (7 Leitungen + Tab), to-263ca Sicfet (Silziumkarbid) D2pak-7 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Reichweiite Betroffen 4237-p3m12040g7tr 1 N-Kanal 1200 V 69a 15 v 53mohm @ 40a, 15V 2,2 V @ 40 mA (Typ) +19V, -8 v - - - 357W
P3M06060G7 PN Junction Semiconductor P3M06060G7 10.3800
RFQ
 ECAD 7390 0.00000000 PN Junction Semiconductor P3m Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-8, d²pak (7 Leitungen + Tab), to-263ca Sicfet (Silziumkarbid) D2pak-7 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Reichweiite Betroffen 4237-P3M06060G7TR Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 650 V 44a 15 v 79mohm @ 20a, 15V 2,2 V @ 20 Ma (Typ) +20V, -8 v - - - 159W
P3M06025K4 PN Junction Semiconductor P3M06025K4 15.9000
RFQ
 ECAD 5048 0.00000000 PN Junction Semiconductor P3m Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-4 Sicfet (Silziumkarbid) To-247-4l Herunterladen ROHS3 -KONFORM Reichweiite Betroffen 4237-P3M06025K4 1 N-Kanal 650 V 97a 15 v 34mohm @ 50a, 15V 2,2 V @ 50 Ma (Typ) +20V, -8 v - - - 326W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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