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Transistoren(39)
| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Betriebstemperatur | Montageart | Paket/Koffer | Basisproduktnummer | Technologie | Leistung – max | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | REACH-Status | Andere Namen | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Konfiguration | FET-Typ | Drain-Source-Spannung (Vdss) | Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | Rds On (Max) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Max) @ Id | Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | Vgs (Max) | Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | FET-Funktion | Verlustleistung (max.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | P3M171K2K3 | 5.5900 |  | 2230 | 0,00000000 | PN-Junction-Halbleiter | P3M | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-247-3 | SiCFET (Siliziumkarbid) | TO-247-3L | herunterladen | ROHS3-konform | REACH betroffen | 4237-P3M171K2K3 | 1 | N-Kanal | 1700 V | 6A | 15V | 1,4 Ohm bei 2 A, 15 V | 2,2 V bei 2 mA (typisch) | +19V, -8V | - | 68W | ||||||||
 | P3M12080G7 | 11.9000 | | 1610 | 0,00000000 | PN-Junction-Halbleiter | P3M | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-263-8, D²Pak (7 Anschlüsse + Tab), TO-263CA | SiCFET (Siliziumkarbid) | D2PAK-7 | herunterladen | ROHS3-konform | REACH betroffen | 4237-P3M12080G7TR | 1 | N-Kanal | 1200 V | 32A | 15V | 96 mOhm bei 20 A, 15 V | 2,2 V bei 30 mA (typisch) | +19V, -8V | - | 136W | ||||||||
 | P3M12017K4 | 39.7500 | | 7138 | 0,00000000 | PN-Junction-Halbleiter | P3M | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-247-4 | SiCFET (Siliziumkarbid) | TO-247-4L | herunterladen | ROHS3-konform | REACH betroffen | 4237-P3M12017K4 | 1 | N-Kanal | 1200 V | 151A | 15V | 24 mOhm bei 75 A, 15 V | 2,5 V bei 75 mA (typisch) | +25V, -10V | - | 789W | ||||||||
 | P1H06300D8 | 4.9800 | | 7689 | 0,00000000 | PN-Junction-Halbleiter | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | GaNFET (Galliumnitrid) | DFN8*8 | herunterladen | ROHS3-konform | REACH betroffen | 4237-P1H06300D8TR | 1 | N-Kanal | 650 V | 10A | 6V | - | +10V, -20V | - | 55,5 W | ||||||||||
 | P3M07013K4 | 33.9000 | | 4850 | 0,00000000 | PN-Junction-Halbleiter | P3M | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-247-4 | SiCFET (Siliziumkarbid) | TO-247-4L | herunterladen | ROHS3-konform | REACH betroffen | 4237-P3M07013K4 | 1 | N-Kanal | 750 V | 140A | 15V | 16 mOhm bei 75 A, 15 V | 2,2 V bei 75 mA (typisch) | +19V, -8V | - | 428W | ||||||||
 | P3M12040K3 | 20.9800 | | 8887 | 0,00000000 | PN-Junction-Halbleiter | P3M | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-247-3 | SiCFET (Siliziumkarbid) | TO-247-3L | herunterladen | ROHS3-konform | REACH betroffen | 4237-P3M12040K3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 1200 V | 63A | 15V | 48 mOhm bei 40 A, 15 V | 2,2 V bei 40 mA (typisch) | +21V, -8V | - | 349W | ||||||
 | P3M12040K4 | 20.9800 | | 2699 | 0,00000000 | PN-Junction-Halbleiter | P3M | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-247-4 | SiCFET (Siliziumkarbid) | TO-247-4L | herunterladen | ROHS3-konform | REACH betroffen | 4237-P3M12040K4 | 1 | N-Kanal | 1200 V | 63A | 15V | 48 mOhm bei 40 A, 15 V | 2,2 V bei 40 mA (typisch) | +21V, -8V | - | 349W | ||||||||
 | P3M06120K3 | 9.0500 | | 6996 | 0,00000000 | PN-Junction-Halbleiter | P3M | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-247-3 | SiCFET (Siliziumkarbid) | TO-247-3L | herunterladen | ROHS3-konform | REACH betroffen | 4237-P3M06120K3 | 1 | N-Kanal | 650 V | 27A | 15V | 158 mOhm bei 10 A, 15 V | 2,2 V bei 5 mA | +20V, -8V | - | 131W | ||||||||
 | P3M12080K4 | 11.9000 | | 9034 | 0,00000000 | PN-Junction-Halbleiter | P3M | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-247-4 | SiCFET (Siliziumkarbid) | TO-247-4L | herunterladen | ROHS3-konform | REACH betroffen | 4237-P3M12080K4 | 1 | N-Kanal | 1200 V | 47A | 15V | 96 mOhm bei 20 A, 15 V | 2,4 V bei 5 mA (typisch) | +21V, -8V | - | 221W | ||||||||
 | PAA12400BM3 | 882.3600 | | 3564 | 0,00000000 | PN-Junction-Halbleiter | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 175°C (TJ) | Fahrgestellmontage | Modul | PAA12400 | Siliziumkarbid (SiC) | - | Modul | herunterladen | ROHS3-konform | REACH betroffen | 4237-PAA12400BM3 | 1 | 2 N-Kanal (Halbbrücke) | 1200 V (1,2 kV) | 350A | 7,3 mOhm bei 300 A, 20 V | 5 V bei 100 mA | - | 29,5 pF bei 1000 V | - | |||||||
 | P3M06120K4 | 9.0500 | | 2705 | 0,00000000 | PN-Junction-Halbleiter | P3M | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-247-4 | SiCFET (Siliziumkarbid) | TO-247-4L | herunterladen | ROHS3-konform | REACH betroffen | 4237-P3M06120K4 | 1 | N-Kanal | 650 V | 27A | 15V | 158 mOhm bei 10 A, 15 V | 2,2 V bei 5 mA | +20V, -8V | - | 131W | ||||||||
 | P3M173K0T3 | 5.0800 | | 8943 | 0,00000000 | PN-Junction-Halbleiter | P3M | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-220-2 | SiCFET (Siliziumkarbid) | TO-220-2L | herunterladen | ROHS3-konform | REACH betroffen | 4237-P3M173K0T3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 1700 V | 4A | 15V | 2,6 Ohm bei 600 mA, 15 V | 2,2 V bei 600 µA (typisch) | +19V, -8V | - | 75W | ||||||
 | P3M17040K4 | 35.8600 | | 4762 | 0,00000000 | PN-Junction-Halbleiter | P3M | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-247-4 | SiCFET (Siliziumkarbid) | TO-247-4L | herunterladen | ROHS3-konform | REACH betroffen | 4237-P3M17040K4 | 1 | N-Kanal | 1700 V | 73A | 15V | 60 mOhm bei 50 A, 15 V | 2,2 V bei 50 mA (typisch) | +19V, -8V | - | 536W | ||||||||
 | P3M06040K3 | 12.1700 | | 2030 | 0,00000000 | PN-Junction-Halbleiter | P3M | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-247-3 | SiCFET (Siliziumkarbid) | TO-247-3L | herunterladen | ROHS3-konform | REACH betroffen | 4237-P3M06040K3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 650 V | 68A | 15V | 50 mOhm bei 40 A, 15 V | 2,4 V bei 7,5 mA (typisch) | +20V, -8V | - | 254W | ||||||
 | P3M12160K3 | 8.8300 | | 8824 | 0,00000000 | PN-Junction-Halbleiter | P3M | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-247-3 | SiCFET (Siliziumkarbid) | TO-247-3L | herunterladen | ROHS3-konform | REACH betroffen | 4237-P3M12160K3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 1200 V | 19A | 15V | 192 mOhm bei 10 A, 15 V | 2,4 V bei 2,5 mA (typisch) | +21V, -8V | - | 110W | ||||||
 | P3M12160K4 | 8.8300 | | 9289 | 0,00000000 | PN-Junction-Halbleiter | P3M | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-247-4 | SiCFET (Siliziumkarbid) | TO-247-4L | herunterladen | ROHS3-konform | REACH betroffen | 4237-P3M12160K4 | 1 | N-Kanal | 1200 V | 19A | 15V | 192 mOhm bei 10 A, 15 V | 2,4 V bei 2,5 mA (typisch) | +21V, -8V | - | 110W | ||||||||
 | P3M06300D8 | 4.9800 | | 7160 | 0,00000000 | PN-Junction-Halbleiter | P3M | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Oberflächenmontage | DFN8*8 | SiCFET (Siliziumkarbid) | DFN8*8 | herunterladen | ROHS3-konform | REACH betroffen | 4237-P3M06300D8TR | 1 | N-Kanal | 650 V | 9A | 15V | 500 mOhm bei 4,5 A, 15 V | 2,2 V bei 5 mA | +20V, -8V | - | 32W | ||||||||
 | P3M06300T3 | 4.9800 | | 7695 | 0,00000000 | PN-Junction-Halbleiter | P3M | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-220-2 | SiCFET (Siliziumkarbid) | TO-220-2L | herunterladen | ROHS3-konform | REACH betroffen | 4237-P3M06300T3 | 1 | N-Kanal | 650 V | 9A | 15V | 500 mOhm bei 4,5 A, 15 V | 2,2 V bei 5 mA | +20V, -8V | - | 35W | ||||||||
 | P3M173K0K3 | 5.0800 | | 6554 | 0,00000000 | PN-Junction-Halbleiter | P3M | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-247-3 | SiCFET (Siliziumkarbid) | TO-247-3L | herunterladen | ROHS3-konform | REACH betroffen | 4237-P3M173K0K3 | 1 | N-Kanal | 1700 V | 4A | 15V | 3,6 Ohm bei 600 mA, 15 V | 2,2 V bei 600 µA (typisch) | +19V, -8V | - | 63W | ||||||||
 | P3M06060K4 | 10.3800 | | 7995 | 0,00000000 | PN-Junction-Halbleiter | P3M | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-247-4 | SiCFET (Siliziumkarbid) | TO-247-4L | herunterladen | ROHS3-konform | REACH betroffen | 4237-P3M06060K4 | 1 | N-Kanal | 650 V | 48A | 15V | 79 mOhm bei 20 A, 15 V | 2,4 V bei 5 mA (typisch) | +20V, -8V | - | 188W | ||||||||
 | P3M06060K3 | 10.3800 | | 9755 | 0,00000000 | PN-Junction-Halbleiter | P3M | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-247-3 | SiCFET (Siliziumkarbid) | TO-247-3L | herunterladen | ROHS3-konform | REACH betroffen | 4237-P3M06060K3 | 1 | N-Kanal | 650 V | 48A | 15V | 79 mOhm bei 20 A, 15 V | 2,2 V bei 20 mA (typisch) | +20V, -8V | - | 188W | ||||||||
 | P3M12025K4 | 28.7400 | | 30 | 0,00000000 | PN-Junction-Halbleiter | P3M | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-247-4 | SiCFET (Siliziumkarbid) | TO-247-4L | herunterladen | ROHS3-konform | REACH betroffen | 4237-P3M12025K4 | 1 | N-Kanal | 1200 V | 112A | 15V | 35 mOhm bei 50 A, 15 V | 2,2 V bei 50 mA (typisch) | +19V, -8V | - | 577W | ||||||||
 | P3M171K0G7 | 6.1000 | | 7429 | 0,00000000 | PN-Junction-Halbleiter | P3M | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-263-8, D²Pak (7 Anschlüsse + Tab), TO-263CA | SiCFET (Siliziumkarbid) | D2PAK-7 | herunterladen | ROHS3-konform | REACH betroffen | 4237-P3M171K0G7 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 1700 V | 7A | 15V | 1,4 Ohm bei 2 A, 15 V | 2,2 V bei 2 mA (typisch) | +19V, -8V | - | 100W | ||||||
 | P3M12025K3 | 28.7400 | | 2069 | 0,00000000 | PN-Junction-Halbleiter | P3M | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-247-3 | SiCFET (Siliziumkarbid) | TO-247-3L | herunterladen | ROHS3-konform | REACH betroffen | 4237-P3M12025K3 | 1 | N-Kanal | 1200 V | 113A | 15V | 35 mOhm bei 50 A, 15 V | 2,4 V bei 17,7 mA (typisch) | +21V, -10V | - | 524W | ||||||||
 | P3M171K0F3 | 6.1000 | | 2987 | 0,00000000 | PN-Junction-Halbleiter | P3M | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-220F-2 | SiCFET (Siliziumkarbid) | TO-220F-2L | herunterladen | ROHS3-konform | REACH betroffen | 4237-P3M171K0F3 | 1 | N-Kanal | 1700 V | 5,5A | 15V | 1,4 Ohm bei 2 A, 15 V | 2,2 V bei 2 mA (typisch) | +19V, -8V | - | 51W | ||||||||
 | P3M173K0F3 | 5.0800 | | 8624 | 0,00000000 | PN-Junction-Halbleiter | P3M | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-220F-2 | SiCFET (Siliziumkarbid) | TO-220F-2L | herunterladen | ROHS3-konform | REACH betroffen | 4237-P3M173K0F3 | 1 | N-Kanal | 1700 V | 1,97A | 15V | 3,6 Ohm bei 0,25 A, 15 V | 2,2 V bei 1,5 mA (typisch) | +19V, -8V | - | 19W | ||||||||
 | P3M06300D5 | 4.9800 | | 4032 | 0,00000000 | PN-Junction-Halbleiter | P3M | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Oberflächenmontage | DFN5*6 | SiCFET (Siliziumkarbid) | DFN5*6 | herunterladen | ROHS3-konform | REACH betroffen | 4237-P3M06300D5TR | 1 | N-Kanal | 650 V | 9A | 15V | 500 mOhm bei 4,5 A, 15 V | 2,2 V bei 5 mA | +20V, -8V | - | 26W | ||||||||
 | P3M12040G7 | 20.9800 | | 8324 | 0,00000000 | PN-Junction-Halbleiter | P3M | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-263-8, D²Pak (7 Anschlüsse + Tab), TO-263CA | SiCFET (Siliziumkarbid) | D2PAK-7 | herunterladen | ROHS3-konform | REACH betroffen | 4237-P3M12040G7TR | 1 | N-Kanal | 1200 V | 69A | 15V | 53 mOhm bei 40 A, 15 V | 2,2 V bei 40 mA (typisch) | +19V, -8V | - | 357W | ||||||||
 | P3M171K0T3 | 6.1000 | | 9441 | 0,00000000 | PN-Junction-Halbleiter | P3M | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-220-2 | SiCFET (Siliziumkarbid) | TO-220-2L | herunterladen | ROHS3-konform | REACH betroffen | 4237-P3M171K0T3 | 1 | N-Kanal | 1700 V | 6A | 15V | 1,4 Ohm bei 2 A, 15 V | 2,2 V bei 2 mA (typisch) | +19V, -8V | - | 100W | ||||||||
 | P3M06060L8 | 10.3800 | | 5762 | 0,00000000 | PN-Junction-Halbleiter | P3M | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Oberflächenmontage | SiCFET (Siliziumkarbid) | MAUT | herunterladen | ROHS3-konform | REACH betroffen | 4237-P3M06060L8TR | 1 | N-Kanal | 650 V | 40A | 15V | 79 mOhm bei 20 A, 15 V | 2,4 V bei 5 mA (typisch) | +20V, -8V | - | 188W |
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