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Transistoren (24)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BC847B | 0,1000 |  | 127 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (int'l) Begrenzt | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 200 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 100na | Npn | 500 mV @ 5ma, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||
 | MMBT2222A | 0,1600 | | 37 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (int'l) Begrenzt | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBT2222 | 350 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 40 v | 600 mA | 10na | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 300 MHz | ||||||||||||||
 | AS2302 | 0,1900 | | 34 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (int'l) Begrenzt | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 3a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 55mohm @ 3a, 4,5 V. | 1,25 V @ 250 ähm | 3,81 NC @ 4,5 V. | ± 10 V | 220 PF @ 10 V | - - - | 700 MW (TA) | |||||||||||
 | MMBT5401 | 0,1200 | | 27 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (int'l) Begrenzt | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 150 v | 600 mA | 50na (ICBO) | PNP | 500mv @ 5ma, 50 mA | 60 @ 10ma, 5V | 300 MHz | |||||||||||||||
 | MMBT4403 | 0,1200 | | 126 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (int'l) Begrenzt | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23-3L | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 40 v | 600 mA | 100na | PNP | 750 MV @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 2V | 200 MHz | |||||||||||||||
 | AS3401 | 0,2900 | | 61 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (int'l) Begrenzt | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 4,4a (TA) | 2,5 V, 10 V. | 55mohm @ 4.4a, 10V | 1,4 V @ 250 ähm | 7.2 NC @ 10 V | ± 12 V | 680 PF @ 15 V | - - - | 1.2W (TA) | |||||||||||
 | AS2312 | 0,2800 | | 33 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (int'l) Begrenzt | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 6.8a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 18mohm @ 6,8a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 11.05 NC @ 4,5 V. | ± 10 V | 888 PF @ 10 V. | - - - | 1.2W (TA) | |||||||||||
 | AS2324 | 0,2900 | | 36 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (int'l) Begrenzt | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 2a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 280mohm @ 2a, 10V | 3v @ 250 ähm | 5.3 NC @ 10 V | ± 20 V | 330 PF @ 50 V | - - - | 1.2W (TA) | |||||||||||
 | AS3400 | 0,2900 | | 8 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (int'l) Begrenzt | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 4530-as3400DKR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 5.6a (TA) | 2,5 V, 10 V. | 27mohm @ 5.6a, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 4,8 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 535 PF @ 15 V | - - - | 1.2W (TA) | ||||||||||
 | MMBT2907A | 0,1200 | | 40 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (int'l) Begrenzt | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23-3L | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 60 v | 800 mA | 20na | PNP | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 200 MHz | |||||||||||||||
 | BCP56-16 | 0,4300 | | 15 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (int'l) Begrenzt | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | 1,6 w | SOT-223 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 2V | - - - | |||||||||||||||
 | BSS123 | 0,1400 | | 73 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (int'l) Begrenzt | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 200 Ma (TA) | 4,5 V, 10 V. | 5ohm @ 200 mA, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 1,8 nc @ 10 v | ± 20 V | 14 PF @ 50 V | - - - | 350 MW (TA) | |||||||||||
 | MMBT5551 | 0,1200 | | 36 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (int'l) Begrenzt | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23-3L | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 4530-MMBT5551tr | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 160 v | 600 mA | 50na (ICBO) | Npn | 200mv @ 5ma, 50 mA | 80 @ 10ma, 5V | 100 MHz | ||||||||||||||
 | AS1M040120T | 21.5300 | | 27 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (int'l) Begrenzt | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-4 | Sicfet (Silziumkarbid) | To-247-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 4530-AS1M040120T | Ear99 | 8541.21.0095 | 30 | N-Kanal | 1200 V | 60a (TC) | 20V | 55mohm @ 40a, 20V | 4V @ 10 mA | 142 NC @ 20 V | +25 V, -10 V | 2946 PF @ 1000 V. | - - - | 330W (TC) | ||||||||||
 | AS1M025120p | 39.5400 | | 128 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (int'l) Begrenzt | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Sicfet (Silziumkarbid) | To-247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 4530-as1m025120p | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 1200 V | 90a (TC) | 20V | 34mohm @ 50a, 20V | 4V @ 15ma | 195 NC @ 20 V | +25 V, -10 V | 3600 PF @ 1000 V | - - - | 463W (TC) | ||||||||||
 | AS2M040120p | 21.5100 | | 7607 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (int'l) Begrenzt | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Sicfet (Silziumkarbid) | To-247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 1200 V | 60a (TC) | 20V | 55mohm @ 40a, 20V | 4V @ 10 mA | 142 NC @ 20 V | +25 V, -10 V | 2946 PF @ 1000 V. | - - - | 330W (TC) | |||||||||||
 | MMBT3904 | 0,1000 | | 194 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (int'l) Begrenzt | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBT390 | 300 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 200 ma | 50na | Npn | 300mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 250 MHz | ||||||||||||||
 | 2N7002E | 0,1400 | | 44 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (int'l) Begrenzt | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 2N7002 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 4530-2n7002etr | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 340 Ma (TA) | 4,5 V, 10 V. | 5ohm @ 300 mA, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 2,4 NC @ 10 V. | ± 20 V | 18 PF @ 30 V | - - - | 350 MW (TA) | |||||||||
 | MMBT4401 | 0,1200 | | 162 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (int'l) Begrenzt | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23-3L | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 40 v | 600 mA | 100na | Npn | 750 MV @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 1V | 250 MHz | |||||||||||||||
 | AS6004 | 0,5000 | | 15 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (int'l) Begrenzt | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3L | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 4a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 120 MOHM @ 4A, 10V | 3v @ 250 ähm | 25 NC @ 10 V | ± 20 V | 930 PF @ 30 V | - - - | 1,5 W (TA) | |||||||||||||
 | AS1M080120p | 11.9700 | | 128 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (int'l) Begrenzt | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Sicfet (Silziumkarbid) | To-247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 4530-as1m080120p | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 1200 V | 36a (TC) | 20V | 98mohm @ 20a, 20V | 4v @ 5ma | 79 NC @ 20 V | +25 V, -10 V | 1475 PF @ 1000 V | - - - | 192W (TC) | ||||||||||
 | AS1M025120T | 39.5600 | | 30 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (int'l) Begrenzt | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-4 | Sicfet (Silziumkarbid) | To-247-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 4530-as1m025120t | Ear99 | 8541.21.0095 | 30 | N-Kanal | 1200 V | 65a (TC) | 20V | 34mohm @ 50a, 20V | 4V @ 15ma | 195 NC @ 20 V | +25 V, -10 V | 4200 PF @ 1000 V | - - - | 370W (TC) | ||||||||||
 | BSS138 | 0,1700 | | 95 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (int'l) Begrenzt | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 50 v | 220 Ma (TA) | 4,5 V, 10 V. | 3OHM @ 500 mA, 10V | 1,6 V @ 250 ähm | ± 20 V | 27 PF @ 25 V. | - - - | 350 MW (TA) | ||||||||||||
 | BSS84 | 0,1900 | | 153 | 0.00000000 | Anbon Semiconductor (int'l) Begrenzt | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 50 v | 130 mA (ta) | 4,5 V, 10 V. | 8ohm @ 150 mA, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | ± 20 V | 30 PF @ 30 V | - - - | 225 MW (TA) |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
Lagerhaus
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