- Anfrage
- Stückliste
- Kontaktieren Sie uns
Tel.: +86-0755-83501315
E-Mail:sales@sic-components.com
- chinesisch
- Englisch
- Französisch
- Deutsch
- Portugiesisch
- Spanisch
- Russisch
- japanisch
- Koreanisch
- Arabisch
- irisch
- griechisch
- Türkisch
- Italienisch
- dänisch
- rumänisch
- Indonesisch
- tschechisch
- Afrikaans
- Schwedisch
- Polieren
- baskisch
- katalanisch
- Esperanto
- Hindi
- Laotisch
- albanisch
- Amharisch
- Armenisch
- Aserbaidschanisch
- Weißrussisch
- Bengali
- bosnisch
- bulgarisch
- Cebuano
- Chichewa
- Korsisch
- kroatisch
- Niederländisch
- estnisch
- Philippinisch
- finnisch
- Friesisch
- galizisch
- georgisch
- Gujarati
- haitianisch
- Hausa
- hawaiisch
- hebräisch
- Hmong
- ungarisch
- isländisch
- Igbo
- Javanisch
- Kannada
- Kasachisch
- Khmer
- kurdisch
- Kirgisisch
- lateinisch
- lettisch
- litauisch
- Luxemburg..
- mazedonisch
- Madagassisch
- malaiisch
- Malayalam
- maltesisch
- Maori
- Marathi
- mongolisch
- birmanisch
- Nepalesisch
- norwegisch
- Paschtu
- persisch
- Punjabi
- serbisch
- Sesotho
- Singhalesisch
- slowakisch
- Slowenisch
- somali
- Samoaner
- Schottisches Gälisch
- Shona
- Sindhi
- Sundanesisch
- Suaheli
- Tadschikisch
- Tamilisch
- Telugu
- Thailändisch
- ukrainisch
- Urdu
- Usbekisch
- Vietnamesisch
- Walisisch
- Xhosa
- Jiddisch
- Yoruba
- Zulu
- Kinyarwanda
- Tatarisch
- Oriya
- Turkmenisch
- Uigur
Transistoren(24)
| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Betriebstemperatur | Montageart | Paket/Koffer | Basisproduktnummer | Technologie | Leistung – max | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | Andere Namen | ECCN | HTSUS | Standardpaket | FET-Typ | Drain-Source-Spannung (Vdss) | Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | Rds On (Max) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Max) @ Id | Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | Vgs (Max) | Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | FET-Funktion | Verlustleistung (max.) | Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | Strom - Kollektor (Ic) (Max) | Strom – Kollektorabschaltung (max.) | Transistortyp | Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | Häufigkeit – Übergang |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AS2302 | 0,1900 |  | 34 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 V | 3A (Ta) | 2,5 V, 4,5 V | 55 mOhm bei 3 A, 4,5 V | 1,25 V bei 250 µA | 3,81 nC bei 4,5 V | ±10V | 220 pF bei 10 V | - | 700 mW (Ta) | |||||||||||
 | MMBT2222A | 0,1600 | | 37 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55 °C ~ 150 °C | Oberflächenmontage | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBT2222 | 350 mW | SOT-23 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 40 V | 600 mA | 10nA | NPN | 1 V bei 50 mA, 500 mA | 100 bei 150 mA, 10 V | 300 MHz | ||||||||||||||
 | MMBT5401 | 0,1200 | | 27 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 mW | SOT-23 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 150 V | 600 mA | 50nA (ICBO) | PNP | 500 mV bei 5 mA, 50 mA | 60 bei 10 mA, 5 V | 300 MHz | |||||||||||||||
 | AS3401 | 0,2900 | | 61 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 V | 4,4A (Ta) | 2,5 V, 10 V | 55 mOhm bei 4,4 A, 10 V | 1,4 V bei 250 µA | 7,2 nC bei 10 V | ±12V | 680 pF bei 15 V | - | 1,2 W (Ta) | |||||||||||
 | BC847B | 0,1000 | | 127 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 200 mW | SOT-23 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 45 V | 100mA | 100nA | NPN | 500 mV bei 5 mA, 100 mA | 200 bei 2 mA, 5 V | 100 MHz | |||||||||||||||
 | MMBT4403 | 0,1200 | | 126 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 mW | SOT-23-3L | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 40 V | 600 mA | 100nA | PNP | 750 mV bei 50 mA, 500 mA | 100 bei 150 mA, 2 V | 200 MHz | |||||||||||||||
 | AS1M040120T | 21.5300 | | 27 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-247-4 | SiCFET (Siliziumkarbid) | TO-247-4 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | 4530-AS1M040120T | EAR99 | 8541.21.0095 | 30 | N-Kanal | 1200 V | 60A (Tc) | 20V | 55 mOhm bei 40 A, 20 V | 4V bei 10mA | 142 nC bei 20 V | +25V, -10V | 2946 pF bei 1000 V | - | 330 W (Tc) | ||||||||||
 | AS2M040120P | 21.5100 | | 7607 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-247-3 | SiCFET (Siliziumkarbid) | TO-247-3 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 1200 V | 60A (Tc) | 20V | 55 mOhm bei 40 A, 20 V | 4V bei 10mA | 142 nC bei 20 V | +25V, -10V | 2946 pF bei 1000 V | - | 330 W (Tc) | |||||||||||
 | BCP56-16 | 0,4300 | | 15 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-261-4, TO-261AA | 1,6 W | SOT-223 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 80 V | 1 A | 100nA (ICBO) | NPN | 500 mV bei 50 mA, 500 mA | 100 bei 150 mA, 2 V | - | |||||||||||||||
 | AS1M025120P | 39.5400 | | 128 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-247-3 | SiCFET (Siliziumkarbid) | TO-247-3 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | 4530-AS1M025120P | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 1200 V | 90A (Tc) | 20V | 34 mOhm bei 50 A, 20 V | 4V bei 15mA | 195 nC bei 20 V | +25V, -10V | 3600 pF bei 1000 V | - | 463W (Tc) | ||||||||||
 | MMBT2907A | 0,1200 | | 40 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 mW | SOT-23-3L | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 60 V | 800 mA | 20nA | PNP | 1,6 V bei 50 mA, 500 mA | 100 bei 150 mA, 10 V | 200 MHz | |||||||||||||||
 | BSS123 | 0,1400 | | 73 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 V | 200mA (Ta) | 4,5 V, 10 V | 5 Ohm bei 200 mA, 10 V | 2,5 V bei 250 µA | 1,8 nC bei 10 V | ±20V | 14 pF bei 50 V | - | 350 mW (Ta) | |||||||||||
 | AS2312 | 0,2800 | | 33 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 V | 6,8 A (Ta) | 1,8 V, 4,5 V | 18 mOhm bei 6,8 A, 4,5 V | 1 V bei 250 µA | 11,05 nC bei 4,5 V | ±10V | 888 pF bei 10 V | - | 1,2 W (Ta) | |||||||||||
 | MMBT5551 | 0,1200 | | 36 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 mW | SOT-23-3L | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | 4530-MMBT5551TR | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 160 V | 600 mA | 50nA (ICBO) | NPN | 200 mV bei 5 mA, 50 mA | 80 bei 10 mA, 5 V | 100 MHz | ||||||||||||||
 | AS2324 | 0,2900 | | 36 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 V | 2A (Ta) | 4,5 V, 10 V | 280 mOhm bei 2 A, 10 V | 3 V bei 250 µA | 5,3 nC bei 10 V | ±20V | 330 pF bei 50 V | - | 1,2 W (Ta) | |||||||||||
 | AS3400 | 0,2900 | | 8 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | 4530-AS3400DKR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 V | 5,6A (Ta) | 2,5 V, 10 V | 27 mOhm bei 5,6 A, 10 V | 1,5 V bei 250 µA | 4,8 nC bei 4,5 V | ±12V | 535 pF bei 15 V | - | 1,2 W (Ta) | ||||||||||
 | 2N7002E | 0,1400 | | 44 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 2N7002 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | 4530-2N7002ETR | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 V | 340mA (Ta) | 4,5 V, 10 V | 5 Ohm bei 300 mA, 10 V | 2,5 V bei 250 µA | 2,4 nC bei 10 V | ±20V | 18 pF bei 30 V | - | 350 mW (Ta) | |||||||||
 | BSS138 | 0,1700 | | 95 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 50 V | 220mA (Ta) | 4,5 V, 10 V | 3 Ohm bei 500 mA, 10 V | 1,6 V bei 250 µA | ±20V | 27 pF bei 25 V | - | 350 mW (Ta) | ||||||||||||
 | MMBT3904 | 0,1000 | | 194 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBT390 | 300 mW | SOT-23 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 V | 200mA | 50nA | NPN | 300 mV bei 5 mA, 50 mA | 100 bei 10 mA, 1 V | 250 MHz | ||||||||||||||
 | AS1M025120T | 39.5600 | | 30 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-247-4 | SiCFET (Siliziumkarbid) | TO-247-4 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | 4530-AS1M025120T | EAR99 | 8541.21.0095 | 30 | N-Kanal | 1200 V | 65A (Tc) | 20V | 34 mOhm bei 50 A, 20 V | 4V bei 15mA | 195 nC bei 20 V | +25V, -10V | 4200 pF bei 1000 V | - | 370 W (Tc) | ||||||||||
 | BSS84 | 0,1900 | | 153 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 50 V | 130mA (Ta) | 4,5 V, 10 V | 8 Ohm bei 150 mA, 10 V | 2,5 V bei 250 µA | ±20V | 30 pF bei 30 V | - | 225 mW (Ta) | ||||||||||||
 | MMBT4401 | 0,1200 | | 162 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 mW | SOT-23-3L | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 40 V | 600 mA | 100nA | NPN | 750 mV bei 50 mA, 500 mA | 100 bei 150 mA, 1 V | 250 MHz | |||||||||||||||
 | AS6004 | 0,5000 | | 15 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3L | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | 3.000 | P-Kanal | 60 V | 4A (Ta) | 4,5 V, 10 V | 120 mOhm bei 4 A, 10 V | 3 V bei 250 µA | 25 nC bei 10 V | ±20V | 930 pF bei 30 V | - | 1,5 W (Ta) | |||||||||||||
 | AS1M080120P | 11.9700 | | 128 | 0,00000000 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | - | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-247-3 | SiCFET (Siliziumkarbid) | TO-247-3 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | 4530-AS1M080120P | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 1200 V | 36A (Tc) | 20V | 98 mOhm bei 20 A, 20 V | 4V bei 5mA | 79 nC bei 20 V | +25V, -10V | 1475 pF bei 1000 V | - | 192W (Tc) |
2000+
Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
Lager vorrätig
Wunschliste (0 Artikel)