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IGBTs (8343)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Kraft - Max | Eingang | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Testedingung | Reverse Recovery Time (TRR) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | NTC Thermistor | Eingabekapazität (cies) @ vce |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | APTGF25X120T3G | - - - |  | 7367 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Chassis -berg | SP3 | 208 w | Standard | SP3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | APTGF25X120T3GMP-ND | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Drei -Phase -wechselrichter | Npt | 1200 V | 40 a | 3,7 V @ 15V, 25a | 250 µA | Ja | 1,65 NF @ 25 V. | |||||||||||
 | Ixgr40n60c | - - - | | 3568 | 0.00000000 | Ixys | Hiperfast ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Ixgr40 | Standard | 200 w | Isoplus247 ™ | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 480 V, 40a, 4,7ohm, 15 V. | - - - | 600 V | 75 a | 150 a | 2,7 V @ 15V, 40a | 850 µJ (AUS) | 116 NC | 25ns/100 ns | |||||||||
| APTGT150DA120D1G | - - - | | 9152 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Chassis -berg | D1 | 700 w | Standard | D1 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 220 a | 2,1 V @ 15V, 150a | 4 ma | NEIN | 10.8 NF @ 25 V | |||||||||||
 | APT44GA60B | 7.5700 | | 1651 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Power Mos 8 ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | APT44GA60 | Standard | 337 w | To-247 [b] | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 400 V, 26a, 4,7ohm, 15 V. | Pt | 600 V | 78 a | 130 a | 2,5 V @ 15V, 26a | 409 µj (EIN), 258 um (AUS) | 128 NC | 16ns/84ns | ||||||||
 | FGPF15N60UNDF | - - - | | 9917 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | FGPF15 | Standard | 42 w | To-220f-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 2156-FGPF15N60undf-488 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 400 V, 15a, 10ohm, 15 V. | 82.4 ns | Npt | 600 V | 30 a | 45 a | 2,7 V @ 15V, 15a | 370 µJ (EIN), 67 µJ (AUS) | 43 NC | 9,3ns/54,8ns | ||||||
 | IRGS4715DTRRPBF | - - - | | 5704 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Standard | 100 w | D2pak | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP001542306 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | 400 V, 8a, 50 Ohm, 15 V | 86 ns | - - - | 650 V | 21 a | 24 a | 2v @ 15V, 8a | 200 µJ (EIN), 90 Um (AUS) | 30 NC | 30 ns/100 ns | ||||||||
 | GPA020A120MN-FD | - - - | | 7236 | 0.00000000 | Semiq | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3, SC-65-3 | Standard | 223 w | To-3pn | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 600 V, 20A, 10OHM, 15 V. | 425 ns | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 40 a | 60 a | 2,5 V @ 15V, 20a | 2,8 MJ (EIN), 480 µJ (AUS) | 210 nc | 30ns/150ns | ||||||||
 | NGTB15N120FL2WG | 5.3100 | | 1 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | NGTB15 | Standard | 294 w | To-247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 600 V, 15a, 10ohm, 15 V. | 110 ns | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 30 a | 60 a | 2,4 V @ 15V, 15a | 1,2mj (EIN), 370 µJ (AUS) | 109 NC | 64ns/132ns | |||||||
 | RGW60TS65CHRC11 | 12.8100 | | 8029 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | RGW60 | Standard | 178 w | To-247n | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RGW60TS65CHRC11 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 15a, 10ohm, 15 V. | 34 ns | - - - | 650 V | 64 a | 120 a | 1,9 V @ 15V, 30a | 70 µJ (EIN), 220 µJ (AUS) | 84 NC | 37ns/91ns | ||||||
| FF600R17KF6CB2NOSA1 | - - - | | 1801 | 0.00000000 | Infineon -technologien | IHM-B | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | 4800 w | Standard | - - - | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2 | 2 Unabhängig | - - - | 1700 v | 3,1 V @ 15V, 600A | 5 Ma | NEIN | 40 NF @ 25 V. | ||||||||||||
 | HGT1S12N60A4DS | - - - | | 3528 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | HGT1S12 | Standard | 167 w | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | 390 V, 12a, 10ohm, 15 V. | 30 ns | - - - | 600 V | 54 a | 96 a | 2,7 V @ 15V, 12a | 55 µJ (EIN), 50 µJ (AUS) | 78 NC | 17ns/96ns | |||||||
 | FGB3040Cs | - - - | | 2453 | 0.00000000 | Onsemi | ECOSPARK® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-7, d²pak (6 Leads + Tab), to-263CB | FGB3040 | Logik | 150 w | D²pak-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | 300 V, 1kohm, 5V | - - - | 430 v | 21 a | 1,6 V @ 4V, 6a | - - - | 15 NC | -/4,7 µs | |||||||||
| CM100TX-24S | - - - | | 5267 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IGBTMOD ™ | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Modul | 750 w | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Drei -Phase -wechselrichter | - - - | 1200 V | 100 a | 2,25 V @ 15V, 100a | 1 Ma | Ja | 10 NF @ 10 V | ||||||||||||
 | IRG6I330U-110P | - - - | | 8234 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | K. Loch | To-220-3 | IRG6I330U | Standard | 43 w | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | - - - | - - - | 330 V | 28 a | 1,55 V @ 15V, 28a | - - - | 39ns/120ns | |||||||||||
| HGTH12N40CID | 2.4900 | | 1 | 0.00000000 | Harris Corporation | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
 | Ixyh30n120c3d1 | 14.0400 | | 535 | 0.00000000 | Ixys | GenX3 ™, XPT ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Ixyh30 | Standard | 416 w | To-247 (ixth) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 600 V, 30a, 10ohm, 15 V. | 195 ns | - - - | 1200 V | 66 a | 133 a | 3,3 V @ 15V, 30a | 2,6 MJ (EIN), 1,1MJ (AUS) | 69 NC | 19ns/130ns | |||||||
 | AIKW50N65DF5XKSA1 | 10.4300 | | 9998 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobil, AEC-Q101, Trenchstop ™ 5 | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | AIKW50 | Standard | 270 w | PG-to247-3-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 25a, 12ohm, 15 V. | Graben | 650 V | 150 a | 2,1 V @ 15V, 50a | 490 µJ (EIN), 140 µJ (AUS) | 1018 NC | 21ns/156ns | |||||||||
 | IXBA16N170AHV | 29.4300 | | 22 | 0.00000000 | Ixys | Bimosfet ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IXBA16 | Standard | 150 w | To-263HV | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | -IXBA16N170AHV | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 1360 V, 10a, 10ohm, 15 V. | 25 ns | - - - | 1700 v | 16 a | 40 a | 6v @ 15V, 10a | 2,5 MJ (AUS) | 65 NC | 15ns/250ns | ||||||
| APT25GR120BD15 | 6.9500 | | 92 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | APT25GR120 | Standard | 521 w | To-247 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 600 V, 25a, 4,3 Ohm, 15 V. | Npt | 1200 V | 75 a | 100 a | 3,2 V @ 15V, 25a | 742 µj (EIN), 427 µJ (AUS) | 203 NC | 16ns/122ns | ||||||||
 | STGB10NC60HDT4 | 1,8000 | | 888 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | PowerMesh ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | STGB10 | Standard | 65 w | D2pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 390 V, 5a, 10ohm, 15 V. | 22 ns | - - - | 600 V | 20 a | 30 a | 2,5 V @ 15V, 5a | 31,8 µj (Ein), 95 um (AUS) | 19.2 NC | 14,2ns/72ns | |||||||
 | FGL35N120ftdtu | 6.0600 | | 15 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-264-3, to-264aa | Standard | 368 w | HPM F2 | Herunterladen | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 600 V, 35A, 10OHM, 15 V. | 337 ns | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 70 a | 105 a | 2,2 V @ 15V, 35a | 2,5 MJ (EIN), 1,7MJ (AUS) | 210 nc | 34ns/172ns | |||||||||||
 | SGS6N60UFDTU | 1.0000 | | 9771 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | SGS6N | Standard | 22 w | To-220f-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 300 V, 3a, 80 Ohm, 15 V | 52 ns | - - - | 600 V | 6 a | 25 a | 2,6 V @ 15V, 3a | 57 µJ (EIN), 25 µJ (AUS) | 15 NC | 15ns/60ns | |||||||||
| MIAA15WB600TMH | - - - | | 3536 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Kasten | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Chassis -berg | Minipack2 | MIAA15W | 80 w | DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER | Minipack2 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | Dreiphasen -Wechselrichter mit Bremse | Npt | 600 V | 23 a | 2,5 V @ 15V, 15a | 600 µA | Ja | 700 PF @ 25 V. | |||||||||||
 | VS-GB75SA120UP | - - - | | 1928 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | GB75 | 658 w | Standard | SOT-227 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | VSGB75SA120UP | Ear99 | 8541.29.0095 | 180 | Einzel | Npt | 1200 V | 3,8 V @ 15V, 75A | 250 µA | NEIN | |||||||||||
 | RBN75H65T1FPQ-A0#CB0 | 8.1900 | | 1243 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Standard | 312 w | To-247a | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 400 V, 75A, 16OHM, 15 V. | 72 ns | Graben | 650 V | 150 a | 2v @ 15V, 75a | 1,6mj (Ein), 1MJ (AUS) | 54 NC | 29ns/113ns | |||||||||
| APT70GR120B2 | 13.3600 | | 1870 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | APT70GR120 | Standard | 961 w | To-247 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 600 V, 70A, 4,3OHM, 15 V. | Npt | 1200 V | 160 a | 280 a | 3,2 V @ 15V, 70a | 3,82MJ (EIN), 2,58 MJ (AUS) | 544 NC | 33ns/278ns | ||||||||
| APTGLQ40H120T1G | 73.5407 | | 5193 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Sp1 | APTGLQ40 | 250 w | Standard | Sp1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Volle Brucke | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 75 a | 2,4 V @ 15V, 40a | 100 µA | Ja | 2.3 NF @ 25 V. | |||||||||
 | STGWT40H60DLFB | 4.3000 | | 445 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3, SC-65-3 | STGWT40 | Standard | 283 w | To-3p | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 40a, 10ohm, 15 V. | TRABENFELD STOPP | 600 V | 80 a | 160 a | 2v @ 15V, 40a | 363 µj (AUS) | 210 nc | -/142ns | ||||||||
 | Ixyn30N170CV1 | 44.2500 | | 442 | 0.00000000 | Ixys | XPT ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | Ixyn30 | Standard | 680 w | SOT-227B | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 850 V, 30a, 2,7 Ohm, 15 V. | 160 ns | - - - | 1700 v | 88 a | 275 a | 3,7 V @ 15V, 30a | 5,9mj (Ein), 3,3mj (AUS) | 140 nc | 28ns/150ns | |||||||
 | AOTF15B60D | 1.3833 | | 8635 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Alpha IGBT ™ | Rohr | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | AOTF15 | Standard | 50 w | To-220f | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 400 V, 15a, 20ohm, 15 V. | 196 ns | - - - | 600 V | 30 a | 60 a | 1,8 V @ 15V, 15a | 420 µJ (EIN), 110 µJ (AUS) | 25,4 NC | 21ns/73ns |
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