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IGBTs (8343)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Kraft - Max | Eingang | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Testedingung | Reverse Recovery Time (TRR) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | NTC Thermistor | Eingabekapazität (cies) @ vce |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | HGT1S10N120BNS | - - - |  | 4434 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | HGT1S10 | Standard | 298 w | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 960 V, 10a, 10ohm, 15 V. | Npt | 1200 V | 35 a | 80 a | 2,7 V @ 15V, 10a | 320 µJ (EIN), 800 µJ (AUS) | 100 nc | 23ns/165ns | ||||||||
 | IRG7CH73K10EF | - - - | | 7728 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Sterben | IRG7CH | Standard | Sterben | Herunterladen | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | 600 V, 75A, 4,7OHM, 15 V. | - - - | 1200 V | 1,6 V @ 15V, 20a | - - - | 360 NC | 63ns/267ns | ||||||||||||
 | VS-GT100DA120UF | 41,5000 | | 1995 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Hexfred® | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | GT100 | 890 w | Standard | SOT-227 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | Einzel | Graben | 1200 V | 187 a | 2,55 V @ 15V, 100a | 100 µA | NEIN | 6.15 NF @ 25 V. | |||||||||
| FB20R06KL4B1BOMA1 | - - - | | 8371 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | FB20R06 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 20 | ||||||||||||||||||||||||
| FS225R12KE4 | 529.7600 | | 151 | 0.00000000 | Infineon -technologien | * | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | 1100 w | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | Drei -Phase -wechselrichter | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 320 a | 2,15 V @ 15V, 225a | 3 ma | Ja | 13 NF @ 25 V | ||||||||||
 | IGP40N65H5XKSA1 | 3.3600 | | 450 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Trenchstop® | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IGP40N65 | Standard | 255 w | PG-to220-3-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 400 V, 20a, 15ohm, 15 V. | - - - | 650 V | 74 a | 120 a | 2,1 V @ 15V, 40a | 390 µj (EIN), 120 µJ (AUS) | 95 NC | 22ns/165ns | ||||||||
 | FS50R07W1E3B11ABOMA1 | 45.1600 | | 20 | 0.00000000 | Infineon -technologien | EasyPack ™ | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | FS50R07 | 205 w | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP000865118 | Ear99 | 8541.29.0095 | 24 | Drei -Phase -wechselrichter | TRABENFELD STOPP | 650 V | 70 a | 1,9 V @ 15V, 50a | 50 µA | Ja | 3.1 NF @ 25 V | ||||||||
 | FMG2G75US60 | - - - | | 8439 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | 19 Uhr-Ga | Fmg2 | 310 w | Standard | 19 Uhr-Ga | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 15 | Halbbrücke | - - - | 600 V | 75 a | 2,8 V @ 15V, 75a | 250 µA | NEIN | 7.056 NF @ 30 V | ||||||||||
 | FF225R12Me4pb11bpsa1 | 177.0133 | | 8861 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Econodual ™ 3 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C. | Chassis -berg | Modul | FF225R12 | 20 MW | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 6 | Halbbrücke | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 450 a | 2,15 V @ 15V, 225a | 3 ma | Ja | 13 NF @ 25 V | |||||||||
 | IGD01N120H2BUMA1 | 0,8552 | | 4564 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IGD01 | Standard | 28 w | PG-to252-3-11 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 800 V, 1a, 241Ohm, 15 V. | - - - | 1200 V | 3.2 a | 3.5 a | 2,8 V @ 15V, 1a | 140 µj | 8.6 NC | 13ns/370ns | ||||||||
 | FS200R07N3E4RBOSA1 | 261.7600 | | 17 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Econopack ™ 3 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C. | Chassis -berg | Modul | FS200R07 | 600 w | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | Drei -Phase -wechselrichter | TRABENFELD STOPP | 650 V | 200 a | 1,95 V @ 15V, 200a | 1 Ma | Ja | 13 NF @ 25 V | |||||||||
| DDB6U180N16RR | - - - | | 2421 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Modul | 515 w | Standard | Modul | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | Doppelbremse Chopper | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 140 a | 2,2 V @ 15V, 100a | 1 Ma | NEIN | 6.3 NF @ 25 V | |||||||||||
 | STGWT40H65FB | 4.3000 | | 416 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3, SC-65-3 | STGWT40 | Standard | 283 w | To-3p | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 40a, 5ohm, 15 V. | TRABENFELD STOPP | 650 V | 80 a | 160 a | 2,3 V @ 15V, 40a | 498MJ (EIN), 363MJ (AUS) | 210 nc | 40ns/142ns | ||||||||
 | Ddb6u84n16rrbosa1 | - - - | | 3125 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | Ddb6u84 | 350 w | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | Einzelhubschlaar | Npt | 1200 V | 50 a | 3,2 V @ 20V, 50A | 1 Ma | NEIN | 3.3 NF @ 25 V | |||||||||
 | NGB18N40CLBT4G | - - - | | 1887 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Ngb18n | Logik | 115 w | D²pak | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | NGB18N40CLBT4GOS | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | - - - | - - - | 430 v | 18 a | 50 a | 2,5 V @ 4V, 15a | - - - | - - - | |||||||||
| APTGT150A1202G | - - - | | 7537 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Sp2 | 690 w | Standard | Sp2 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Halbbrücke | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 220 a | 2,1 V @ 15V, 150a | 50 µA | NEIN | 10.7 NF @ 25 V | ||||||||||||
 | FS300R12OE4BOSA1 | 629.4800 | | 1325 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | FS300R12 | 1650 w | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 4 | Drei -Phase -wechselrichter | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 460 a | 2,1 V @ 15V, 300A | 3 ma | Ja | 18,5 NF @ 25 V. | |||||||||
| QIS4506001 | - - - | | 5425 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | QIS4506 | Standard | Modul | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Q10030918 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | - - - | 4500 v | 60 a | 3,9 V @ 15V, 67a | 1 Ma | NEIN | 9 NF @ 10 V | ||||||||||
 | FP75R12N3T7B11BPSA1 | 206.2200 | | 7 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Econopim ™ 3 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | 20 MW | DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER | AG-ECONO3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | Drei -Phase -wechselrichter | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 75 a | 1,8 V @ 15V, 75A | 13 µA | Ja | 15.1 NF @ 25 V. | ||||||||||
| CMSDDF40H60T1G | - - - | | 3978 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Tablett | Veraltet | - - - | 150-CMSDDF40H60T1G | Veraltet | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
 | FP75R12KT4B11BOSA1 | 220.1300 | | 40 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | FP75R12 | 385 w | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | Drei -Phase -wechselrichter | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 75 a | 2,15 V @ 15V, 75A | 1 Ma | Ja | 4.3 NF @ 25 V | |||||||||
| HGTD10N50F1 | 1.6700 | | 2 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | Standard | 75 w | I-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - - - | - - - | 500 V | 12 a | 2,5 V @ 10V, 5a | - - - | 13.4 NC | - - - | ||||||||||
| APTGT200DA120D3G | 183.8100 | | 9223 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | D-3-Modul | AptGT200 | 1050 w | Standard | D3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 300 a | 2,1 V @ 15V, 200a | 6 Ma | NEIN | 14 NF @ 25 V | |||||||||
 | Ixgh10n100U1 | - - - | | 4360 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Ixgh10 | Standard | 100 w | To-247ad | Herunterladen | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ixgh10n100U1-ndr | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 800 V, 10a, 150 Ohm, 15 V | 60 ns | - - - | 1000 v | 20 a | 40 a | 3,5 V @ 15V, 10a | 2mj (AUS) | 52 NC | 100 ns/550 ns | |||||||
| 76018 | - - - | | 7306 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | * | Schüttgut | Veraltet | - - - | - - - | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
 | APTGF25H120T1G | - - - | | 3563 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Chassis -berg | Sp1 | 208 w | Standard | Sp1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Vollbrückke Wechselrichter | Npt | 1200 V | 40 a | 3,7 V @ 15V, 25a | 250 µA | Ja | 1,65 NF @ 25 V. | ||||||||||||
| P3000ZL45X168APHPSA1 | 10.0000 | | 8159 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Do-200Ae | Standard | BG-P16826K-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | Graben | 4500 v | 3000 a | 2,5 V @ 15V, 3000a | 200 µA | NEIN | 620 NF @ 25 V. | ||||||||||||
| BSM400GA120DN2FSE32HOSA1 | - - - | | 8866 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | BSM400 | - - - | Veraltet | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
| MWI15-12A6K | - - - | | 3039 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Kasten | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Chassis -berg | E1 | MWI15 | 90 w | Standard | E1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | Drei -Phase -wechselrichter | Npt | 1200 V | 19 a | 3,4 V @ 15V, 15a | 900 µA | Ja | 600 PF @ 25 V. | |||||||||
| FZ1200R45HL3S7BPSA1 | 2.0000 | | 6501 | 0.00000000 | Infineon -technologien | IHM-B | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | FZ1200 | 2400000 w | Standard | AG-IHVB190 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzelschalter | TRABENFELD STOPP | 5900 v | 1200 a | 2,8 V @ 15V, 1,2ka | 5 Ma | NEIN | 280 NF @ 25 V. |
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