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IGBTs (8343)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Kraft - Max | Eingang | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Testedingung | Reverse Recovery Time (TRR) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | NTC Thermistor | Eingabekapazität (cies) @ vce |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Ixgp15n120b | - - - |  | 2903 | 0.00000000 | Ixys | Hiperfast ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Ixgp15 | Standard | 150 w | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 960 V, 15a, 10ohm, 15 V. | Pt | 1200 V | 30 a | 60 a | 3,2 V @ 15V, 15a | 1,75 MJ (AUS) | 69 NC | 25ns/180ns | ||||||||
 | RJH60A83RDPD-A0#J2 | - - - | | 4546 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Standard | 51 w | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 300 V, 10a, 5ohm, 15 V. | 130 ns | Graben | 600 V | 20 a | 2,6 V @ 15V, 10a | 230 µJ (EIN), 160 µJ (AUS) | 19.7 NC | 31ns/54ns | |||||||||
 | IRG8P50N120KDPBF | - - - | | 3794 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRG8P | Standard | 350 w | To-247ac | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP001549644 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 600 V, 35A, 5OHM, 15 V. | 170 ns | - - - | 1200 V | 80 a | 105 a | 2v @ 15V, 35a | 2,3mj (Ein), 1,9mj (AUS) | 315 NC | 35ns/190ns | |||||||
 | APTCV60TLM45T3G | 109.2700 | | 6183 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | SP3 | Aptcv60 | 250 w | Standard | SP3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Drei -Level -Wechselrichter -IGBT, FET | TRABENFELD STOPP | 600 V | 100 a | 1,9 V @ 15V, 75A | 250 µA | Ja | 4.62 NF @ 25 V. | ||||||||||
 | APT40GP60BG | 13.1000 | | 1300 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Power MOS 7® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | APT40GP60 | Standard | 543 w | To-247 [b] | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 400 V, 40a, 5ohm, 15 V. | Pt | 600 V | 100 a | 160 a | 2,7 V @ 15V, 40a | 385 µj (EIN), 352 µJ (AUS) | 135 NC | 20ns/64ns | ||||||||
 | Ixgt16n170 | 12.4280 | | 5592 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa | Ixgt16 | Standard | 190 w | To-268aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 1360v, 16a, 10ohm, 15 V. | Npt | 1700 v | 32 a | 80 a | 3,5 V @ 15V, 16a | 9,3mj (AUS) | 78 NC | 45ns/400ns | ||||||||
 | IRGB10B60KDPBF | - - - | | 3570 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRGB10 | Standard | 156 w | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 400 V, 10a, 47OHM, 15 V. | 90 ns | Npt | 600 V | 22 a | 44 a | 2,2 V @ 15V, 10a | 140 µJ (EIN), 250 µJ (AUS) | 38 NC | 30ns/230ns | ||||||||
 | IKA08N65F5XKSA1 | 2.6800 | | 7608 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Trenchstop® | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Ika08n65 | Standard | 31,2 w | PG-to220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 400 V, 4A, 48OHM, 15 V. | 41 ns | - - - | 650 V | 10.8 a | 24 a | 2,1 V @ 15V, 8a | 70 µJ (EIN), 20 µJ (AUS) | 22 NC | 10ns/116ns | |||||||
 | IRG7CH73K10EF-R | - - - | | 1579 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Sterben | IRG7CH | Standard | Sterben | Herunterladen | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | SP001540592 | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | 600 V, 75A, 5OHM, 15 V. | - - - | 1200 V | 1,6 V @ 15V, 20a | - - - | 420 NC | 105ns/45ns | |||||||||||
 | APT50GP60B2DQ2G | 14.4100 | | 8587 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Power MOS 7® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 Variante | APT50GP60 | Standard | 625 w | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 400 V, 50A, 4,3 Ohm, 15 V. | Pt | 600 V | 150 a | 190 a | 2,7 V @ 15V, 50a | 465 µj (EIN), 635 µJ (AUS) | 165 NC | 19ns/85ns | |||||||||
| APT100GN60B2G | 9.5500 | | 9368 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 Variante | APT100 | Standard | 625 w | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 400 V, 100a, 1OHM, 15 V. | TRABENFELD STOPP | 600 V | 229 a | 300 a | 1,85 V @ 15V, 100a | 4,7MJ (EIN), 2.675MJ (AUS) | 600 NC | 31ns/310ns | |||||||||
 | MG06100S-BN4mm | - - - | | 7510 | 0.00000000 | Littelfuse Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | S-3-Modul | 330 w | Standard | S3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | Halbbrücke | - - - | 600 V | 125 a | 1,9 V @ 15V, 100a | 1 Ma | NEIN | 6.2 NF @ 25 V | |||||||||||
| APTGF50SK120TG | - - - | | 9136 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Sp4 | 312 w | Standard | Sp4 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | Npt | 1200 V | 75 a | 3,7 V @ 15V, 50A | 250 µA | Ja | 3.45 NF @ 25 V. | |||||||||||
| IRG4PC30UPBF | - - - | | 5777 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRG4PC30 | Standard | 100 w | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | 480 V, 12a, 23 Ohm, 15 V. | - - - | 600 V | 23 a | 92 a | 2,1 V @ 15V, 12a | 160 µJ (EIN), 200 µJ (AUS) | 50 nc | 17ns/78ns | ||||||||
| FF450R33T3E3P4BPMA1 | 1.0000 | | 5077 | 0.00000000 | Infineon -technologien | XHP ™ 3 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C. | Chassis -berg | Modul | FF450R33 | 1000000 w | Standard | AG-XHP100-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 8541.29.0095 | 4 | Halbbrücke | TRABENFELD STOPP | 3300 v | 450 a | 2.75 V @ 15V, 450a | 5 Ma | NEIN | |||||||||||
| CM200RL-12NF | - - - | | 9145 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IGBTMOD ™ | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | 890 w | Standard | Modul | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Dreiphasen -Wechselrichter mit Bremse | - - - | 600 V | 200 a | 2,2 V @ 15V, 200a | 1 Ma | NEIN | 30 NF @ 10 V | ||||||||||||
 | IFF2400P17AE4BPSA1 | - - - | | 8002 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 65 ° C (TA) | - - - | Modul | - - - | Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Halbbrücke | - - - | 1700 v | - - - | NEIN | ||||||||||||||
 | IRG8P25N120KD-EPBF | - - - | | 4760 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRG8P | Standard | 180 w | To-247ad | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP001544900 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 600 V, 15a, 10ohm, 15 V. | 70 ns | - - - | 1200 V | 40 a | 45 a | 2v @ 15V, 15a | 800 µJ (EIN), 900 µJ (AUS) | 135 NC | 20ns/170ns | |||||||
 | Ixga28n60a3 | - - - | | 9885 | 0.00000000 | Ixys | Genx3 ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Ixga28 | Standard | 190 w | To-263aa | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 480 V, 24a, 10ohm, 15 V. | 26 ns | Pt | 600 V | 75 a | 170 a | 1,4 V @ 15V, 24a | 700 µJ (EIN), 2,4mj (AUS) | 66 NC | 18ns/300ns | |||||||||
| IRG4PH30KPBF | - - - | | 5269 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRG4PH30 | Standard | 100 w | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | 960 V, 10a, 23 Ohm, 15 V | - - - | 1200 V | 20 a | 40 a | 4,2 V @ 15V, 10a | 640 µJ (EIN), 920 µJ (AUS) | 53 NC | 28ns/200ns | ||||||||
| IRG4PC20UPBF | - - - | | 6181 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tasche | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRG4PC20 | Standard | 60 w | To-247ac | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 480 V, 6,5a, 50 Ohm, 15 V. | - - - | 600 V | 13 a | 52 a | 2,1 V @ 15V, 6,5a | 100 µJ (EIN), 120 µJ (AUS) | 27 NC | 21ns/86ns | |||||||||
| Qid1210006 | - - - | | 8984 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | - - - | - - - | 570 w | Standard | - - - | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 Unabhängig | - - - | 1200 V | 100 a | 6,5 V @ 15V, 100a | 1 Ma | NEIN | 16 NF @ 10 V | |||||||||||
 | STGWA25H120F2 | 6.4400 | | 6772 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | STGWA25 | Standard | 375 w | To-247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 600 V, 25a, 10ohm, 15 V. | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 50 a | 100 a | 2,6 V @ 15V, 25a | 600 µJ (EIN), 700 µJ (AUS) | 100 nc | 29ns/130ns | ||||||||
 | FGH30N6S2 | - - - | | 3040 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | FGH30 | Standard | 167 w | To-247-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 150 | 390 V, 12a, 10ohm, 15 V. | - - - | 600 V | 45 a | 108 a | 2,5 V @ 15V, 12a | 55 µJ (EIN), 100 µJ (AUS) | 23 NC | 6ns/40ns | |||||||||
| APT75GN60BG | 7.0400 | | 2648 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | APT75GN60 | Standard | 536 w | To-247 [b] | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 400 V, 75A, 1OHM, 15 V. | TRABENFELD STOPP | 600 V | 155 a | 225 a | 1,85 V @ 15V, 75A | 2500 µJ (EIN), 2140 µJ (AUS) | 485 NC | 47ns/385ns | ||||||||
 | RJH60F7BDPQ-A0#T0 | - - - | | 7844 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | RJH60F7 | Standard | 328,9 w | To-247a | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | RJH60F7BDPQA0T0 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 400 V, 30a, 5ohm, 15 V. | 25 ns | Graben | 600 V | 90 a | 1,75 V @ 15V, 50a | - - - | 63ns/142ns | ||||||||
 | IHW40N65R5XKSA1 | 4.1500 | | 200 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Trenchstop® | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IHW40N65 | Standard | 230 w | PG-to247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 20A, 10OHM, 15 V. | 90 ns | - - - | 650 V | 80 a | 120 a | 1,7 V @ 15V, 40a | 630 µJ (EIN), 140 µJ (AUS) | 193 NC | 30ns/258ns | |||||||
 | IRG4BC20K | - - - | | 3496 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Standard | 60 w | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRG4BC20K | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 480 V, 9a, 50 Ohm, 15 V | - - - | 600 V | 16 a | 32 a | 2,8 V @ 15V, 9A | 150 µJ (EIN), 250 µJ (AUS) | 34 NC | 28ns/150ns | ||||||||
 | SGP6N60UFDTU | - - - | | 8373 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SGP6N | Standard | 30 w | To-220-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 300 V, 3a, 80 Ohm, 15 V | 52 ns | - - - | 600 V | 6 a | 25 a | 2,6 V @ 15V, 3a | 57 µJ (EIN), 25 µJ (AUS) | 15 NC | 15ns/60ns | ||||||||
 | APTGT100DU60TG | 93.5400 | | 5457 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | Sp4 | Aptgt100 | 340 w | Standard | Sp4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Dual Gemeinsame Quelle | TRABENFELD STOPP | 600 V | 150 a | 1,9 V @ 15V, 100a | 250 µA | Ja | 6.1 NF @ 25 V |
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