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IGBTs (8343)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Kraft - Max | Eingang | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Testedingung | Reverse Recovery Time (TRR) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | NTC Thermistor | Eingabekapazität (cies) @ vce |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | RJH30H1DPP-M1#T2 | 1.7100 |  | 10 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
| RJP63F3ADPP-B1#T2F | 2.1400 | | 15 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
 | MGP15N60U | 0,7700 | | 9 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
| RJP4046DPP-90#T2F | 1.0000 | | 4859 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
 | RJP3042DPP-00#T2 | 1.8300 | | 1 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.30.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
| HGTD8P50G1 | 1.4200 | | 23 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | Standard | 66 w | I-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - - - | - - - | 500 V | 12 a | 18 a | 3,7 V @ 15V, 8a | - - - | 30 NC | - - - | |||||||||
| IFS150B12N3T4_B31 | - - - | | 5263 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | IFS150 | 750 w | Standard | AG-ECONO3-4-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Volle Brucke | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 150 a | 2,1 V @ 15V, 150a | 1 Ma | Ja | 9.35 NF @ 25 V. | |||||||||
 | FP100R06KE3B16BOSA1 | 1.0000 | | 1486 | 0.00000000 | Infineon -technologien | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
| FMC7G50US60 | - - - | | 3299 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | 200 w | DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER | - - - | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 2 | Dreiphasen -Wechselrichter mit Bremse | - - - | 600 V | 50 a | 2,8 V @ 15V, 50a | 250 µA | NEIN | 3.46 NF @ 30 V | ||||||||||
 | FMG1G200US60L | 55.6300 | | 12 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | 695 w | Standard | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | - - - | 600 V | 200 a | 2,7 V @ 15V, 200a | 250 µA | NEIN | |||||||||||
| HGTG15N120C3 | 3.9800 | | 577 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Standard | 164 w | To-247 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - - - | - - - | 1200 V | 35 a | 120 a | 3,5 V @ 15V, 15a | - - - | 100 nc | - - - | |||||||||
| DF100R07W1H5FPB53BPSA1 | 37.8900 | | 253 | 0.00000000 | Infineon -technologien | EasyPack ™ | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | 20 MW | Standard | Ag-Easy1b | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Halbbrückke Wechselrichter | - - - | 650 V | 40 a | 1,55 V @ 15V, 25a | 40 µA | Ja | 2,8 NF @ 25 V. | ||||||||||
| HGTH20N50C1 | 6.2900 | | 4 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-218-3 isolierte Tab, to-218ac | Standard | 100 w | To-218 isolier | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - - - | - - - | 500 V | 20 a | 35 a | 3,2 V @ 20V, 35a | - - - | 33 NC | - - - | |||||||||
 | HGTG30N60B3_NL | 6.0400 | | 51 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Standard | 208 w | To-247 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 51 | 480 V, 60A, 3OHM, 15 V. | Npt | 600 V | 60 a | 220 a | 1,9 V @ 15V, 30a | 550 µJ (EIN), 680 µJ (AUS) | 250 NC | 36ns/137ns | |||||||||
| FMG1G150US60L | 51.0200 | | 15 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | 595 w | Standard | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | - - - | 600 V | 150 a | 2,7 V @ 15V, 150a | 250 µA | NEIN | |||||||||||
 | RJP3049DPK-80#T2 | 5.1700 | | 330 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.30.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
| SGP30N60 | - - - | | 9277 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | SGP30N | Standard | 250 w | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 400 V, 30a, 11ohm, 15 V. | Npt | 600 V | 41 a | 112 a | 2,4 V @ 15V, 30a | 1,29 mj | 140 nc | 44ns/291ns | ||||||||
| RJP4006age-01#p5 | 0,8300 | | 27 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||
| SGW15N120 | - - - | | 8311 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SGW15N | Standard | 198 w | PG-to247-3-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 800 V, 15a, 33OHM, 15 V. | Npt | 1200 V | 30 a | 52 a | 3,6 V @ 15V, 15a | 1,9 mj | 130 NC | 18ns/580ns | ||||||||
 | FZ800R16KF4NOSA1 | 860.6700 | | 9 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | 6250 w | Standard | - - - | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzelschalter | - - - | 1600 v | 800 a | 3,7 V @ 15V, 800A | 6 Ma | NEIN | 130 NF @ 25 V | ||||||||||
 | Ixyt55N120A4HV | 13.0000 | | 20 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa | Ixyt55 | Standard | 650 w | To-268HV (ixyt) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 238-IXYT55N120A4HV | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 600 V, 40a, 5ohm, 15 V. | 35 ns | Pt | 1200 V | 175 a | 350 a | 1,8 V @ 15V, 55a | 2,3 MJ (EIN), 5,3mj (AUS) | 110 NC | 23ns/300ns | ||||||
 | Ixyh85n120a4 | 20.3500 | | 62 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Ixyh85 | Standard | 1150 w | To-247 (ixth) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 238-IXYH85N120A4 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 600 V, 60a, 5ohm, 15 V. | 40 ns | Pt | 1200 V | 300 a | 520 a | 1,8 V @ 15V, 85a | 4,9mj (on), 8,3mj (AUS) | 200 NC | 40ns/400ns | ||||||
| RJP30H1DPP-MZ#T2 | 1.7100 | | 2 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
| RJP3043DPK-80#T2 | 2.7400 | | 87 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.30.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
| MGP19N35CL | 0,5100 | | 17 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
| RJP43F4ADPP-90#T2F | 2.4000 | | 77 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
 | SGB10N60A | 1.0100 | | 452 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SGB10N | Standard | 92 w | PG-to263-3-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 400 V, 10a, 25 Ohm, 15 V | Npt | 600 V | 20 a | 40 a | 2,4 V @ 15V, 10a | 320 µj | 52 NC | 28ns/178ns | ||||||||
| RJH30E3DPK-M2#T2 | 11.9500 | | 1 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
| HGTP10N40E1 | 1.0800 | | 5773 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Standard | 60 w | To-220-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 267 | - - - | - - - | 400 V | 10 a | 17.5 a | 3,2 V @ 20V, 17,5a | - - - | 19 NC | - - - | |||||||||
| FMG2G300LS60E | - - - | | 7762 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | 19 Uhr ha | Fmg2 | 892 w | Standard | 19 Uhr ha | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3 | Halbbrücke | - - - | 600 V | 300 a | 1,8 V @ 15V, 300A | 250 µA | NEIN |
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