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IGBTs (8343)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Kraft - Max | Eingang | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Testedingung | Reverse Recovery Time (TRR) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | NTC Thermistor | Eingabekapazität (cies) @ vce |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AOTF10B65M2 | 1.8700 |  | 219 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Alpha IGBT ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | AOTF10 | Standard | 30 w | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 785-1767 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 400 V, 10a, 30ohm, 15 V. | 262 ns | - - - | 650 V | 20 a | 30 a | 2v @ 15V, 10a | 180 µJ (EIN), 130 µJ (AUS) | 24 NC | 12ns/91ns | ||||||
| AOTF5B65M1 | 1.4400 | | 907 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Alpha IGBT ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | AOTF5 | Standard | 25 w | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 785-1773 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 400 V, 5a, 60 Ohm, 15 V | 195 ns | - - - | 650 V | 10 a | 15 a | 1,98 V @ 15V, 5a | 80 µJ (EIN), 70 µJ (AUS) | 14 NC | 8,5ns/106ns | ||||||
 | AOB15B65M1 | 2.3600 | | 2392 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Alpha IGBT ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | AOB15 | Standard | 214 w | To-263 (D2pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | 400 V, 15a, 20ohm, 15 V. | 317 ns | - - - | 650 V | 30 a | 45 a | 2,15 V @ 15V, 15a | 290 µJ (EIN), 200 µJ (AUS) | 32 NC | 13ns/116ns | |||||||
 | TIG056BF | - - - | | 3835 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Tasche | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | TIG056 | Standard | 30 w | To-220fi (ls) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | 320 V, 240a, 10ohm, 15 V. | - - - | 430 v | 240 a | 5v @ 15V, 240a | - - - | 46ns/140ns | |||||||||||
 | TIG058E8-TL-H | 0,8200 | | 449 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | TIG058 | Standard | 8-Ech | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | - - - | - - - | 400 V | 150 a | 5,6 V @ 4V, 100a | - - - | - - - | |||||||||||
 | APTCV40H60CT1G | 79.8900 | | 3055 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Sp1 | Aptcv40 | 176 w | Standard | Sp1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Volle Brucke | TRABENFELD STOPP | 600 V | 80 a | 1,9 V @ 15V, 50a | 250 µA | Ja | 3.15 NF @ 25 V. | |||||||||
 | APTGF150A120TG | - - - | | 2111 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Chassis -berg | Sp4 | 961 w | Standard | Sp4 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Halbbrücke | Npt | 1200 V | 200 a | 3,7 V @ 15V, 150a | 350 µA | Ja | 10.2 NF @ 25 V | ||||||||||||
| APTGF180A60TG | - - - | | 8231 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Chassis -berg | Sp4 | 833 w | Standard | Sp4 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Halbbrücke | Npt | 600 V | 220 a | 2,5 V @ 15V, 180a | 300 µA | Ja | 8.6 NF @ 25 V. | ||||||||||||
| APTGF180DA60TG | - - - | | 5212 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Chassis -berg | Sp4 | 833 w | Standard | Sp4 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | Npt | 600 V | 220 a | 2,5 V @ 15V, 180a | 300 µA | Ja | 8.6 NF @ 25 V. | ||||||||||||
 | APTGF180DH60G | - - - | | 2982 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Chassis -berg | Sp6 | 833 w | Standard | Sp6 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Asymmetrische Brücke | Npt | 600 V | 220 a | 2,5 V @ 15V, 180a | 300 µA | NEIN | 8.6 NF @ 25 V. | ||||||||||||
| APTGF25X120T3G | - - - | | 7367 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Chassis -berg | SP3 | 208 w | Standard | SP3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | APTGF25X120T3GMP-ND | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Drei -Phase -wechselrichter | Npt | 1200 V | 40 a | 3,7 V @ 15V, 25a | 250 µA | Ja | 1,65 NF @ 25 V. | |||||||||||
 | APTGF300A120G | - - - | | 4216 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Chassis -berg | Sp6 | 1780 w | Standard | Sp6 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Halbbrücke | Npt | 1200 V | 400 a | 3,9 V @ 15V, 300A | 500 µA | NEIN | 21 NF @ 25 V | ||||||||||||
 | APTGF350DA60G | - - - | | 8006 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Chassis -berg | Sp6 | 1562 w | Standard | Sp6 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | Npt | 600 V | 430 a | 2,5 V @ 15V, 360a | 200 µA | NEIN | 17.2 NF @ 25 V. | ||||||||||||
 | APTGF350DU60G | - - - | | 9252 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Chassis -berg | Sp6 | 1562 w | Standard | Sp6 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Dual Gemeinsame Quelle | Npt | 600 V | 430 a | 2,5 V @ 15V, 360a | 200 µA | NEIN | 17.2 NF @ 25 V. | ||||||||||||
| APTGF400U120D4G | - - - | | 7600 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | D4 | 2500 w | Standard | D4 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | Npt | 1200 V | 510 a | 3,7 V @ 15V, 400a | 5 Ma | NEIN | 26 NF @ 25 V. | |||||||||||
| APTGF50TA120PG | - - - | | 3607 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Chassis -berg | Sp6 | 312 w | Standard | SP6-P | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | DRIPHASE | Npt | 1200 V | 75 a | 3,7 V @ 15V, 50A | 250 µA | NEIN | 3.45 NF @ 25 V. | ||||||||||||
| APTGF75DA120T1G | - - - | | 6340 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Chassis -berg | Sp1 | 500 w | Standard | Sp1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | Npt | 1200 V | 100 a | 3,7 V @ 15V, 75a | 250 µA | Ja | 5.1 NF @ 25 V | ||||||||||||
| APTGF75SK60D1G | - - - | | 6033 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | D1 | 355 w | Standard | D1 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | Npt | 600 V | 100 a | 2,45 V @ 15V, 75a | 500 µA | NEIN | 3.3 NF @ 25 V | |||||||||||
| APTGF90A60D1G | - - - | | 3083 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | - - - | Chassis -berg | D1 | Standard | D1 | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Halbbrücke | Npt | - - - | NEIN | ||||||||||||||||
| APTGF90DA60D1G | - - - | | 2309 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | - - - | Chassis -berg | D1 | 445 w | Standard | D1 | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | Npt | 600 V | 130 a | 2,45 V @ 15V, 100a | 500 µA | NEIN | 4.3 NF @ 25 V | |||||||||||
| APTGF90DA60TG | - - - | | 8081 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Sp4 | 416 w | Standard | Sp4 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | Npt | 600 V | 110 a | 2,5 V @ 15V, 90a | 250 µA | Ja | 4.3 NF @ 25 V | |||||||||||
| APTGF90DH60TG | - - - | | 3765 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Sp4 | 416 w | Standard | Sp4 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Asymmetrische Brücke | Npt | 600 V | 110 a | 2,5 V @ 15V, 90a | 250 µA | Ja | 4.3 NF @ 25 V | |||||||||||
| APTGF90SK60TG | - - - | | 9341 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Sp4 | 416 w | Standard | Sp4 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | Npt | 600 V | 110 a | 2,5 V @ 15V, 90a | 250 µA | Ja | 4.3 NF @ 25 V | |||||||||||
| APTGL475DA120D3G | 250.4300 | | 1925 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | D-3-Modul | Aptgl475 | 2080 w | Standard | D3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 610 a | 2,2 V @ 15V, 400a | 5 Ma | NEIN | 24.6 NF @ 25 V. | |||||||||
| APTGL475SK120D3G | 250.4300 | | 6056 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | D-3-Modul | Aptgl475 | 2080 w | Standard | D3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 610 a | 2,2 V @ 15V, 400a | 5 Ma | NEIN | 24.6 NF @ 25 V. | |||||||||
 | APTGL475U120D4G | 241.2400 | | 1430 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | D4 | Aptgl475 | 2082 w | Standard | D4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 610 a | 2,2 V @ 15V, 400a | 4 ma | NEIN | 24.6 NF @ 25 V. | |||||||||
| APTGL700U120D4G | 303.3100 | | 4905 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | D4 | Aptgl700 | 3000 w | Standard | D4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 910 a | 2,2 V @ 15V, 600A | 4 ma | NEIN | 37.2 NF @ 25 V. | |||||||||
| APTGT100DA60TG | - - - | | 8016 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | Sp4 | 340 w | Standard | Sp4 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | TRABENFELD STOPP | 600 V | 150 a | 1,9 V @ 15V, 100a | 250 µA | Ja | 6.1 NF @ 25 V | |||||||||||
| APTGT100DDA60T3G | - - - | | 5509 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | SP3 | 340 w | Standard | SP3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Dual Boost Chopper | TRABENFELD STOPP | 600 V | 150 a | 1,9 V @ 15V, 100a | 250 µA | Ja | 6.1 NF @ 25 V | |||||||||||
| APTGT100DH120TG | 148.8000 | | 7769 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | Chassis -berg | Sp4 | Aptgt100 | 480 w | Standard | Sp4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Asymmetrische Brücke | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 140 a | 2,1 V @ 15V, 100a | 250 µA | Ja | 7.2 NF @ 25 V |
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