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IGBTs (8343)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Kraft - Max | Eingang | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Testedingung | Reverse Recovery Time (TRR) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | NTC Thermistor | Eingabekapazität (cies) @ vce |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | APT30GT60BRG | - - - |  | 4848 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Thunderbolt IGBT® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | APT30GT60 | Standard | 250 w | To-247 [b] | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 400 V, 30a, 10ohm, 15 V. | Npt | 600 V | 64 a | 110 a | 2,5 V @ 15V, 30a | 525 µJ (EIN), 600 µJ (AUS) | 145 NC | 12ns/225ns | ||||||||
 | APT33GF120B2RDQ2G | 18.1900 | | 6290 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 Variante | APT33GF120 | Standard | 357 w | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 800 V, 25a, 4,3 Ohm, 15 V. | Npt | 1200 V | 64 a | 75 a | 3v @ 15V, 25a | 1.315 mj (EIN), 1.515MJ (AUS) | 170 nc | 14ns/185ns | |||||||||
 | APT50GF120JRDQ3 | 86.5400 | | 8295 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Isotop | APT50GF120 | 521 w | Standard | ISOTOP® | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | Npt | 1200 V | 120 a | 3v @ 15V, 75a | 750 µA | NEIN | 5.32 NF @ 25 V | |||||||||
| APT50GP60JDQ2 | 32.4200 | | 6093 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Power MOS 7® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | APT50GP60 | 329 w | Standard | ISOTOP® | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | Pt | 600 V | 100 a | 2,7 V @ 15V, 50a | 525 µA | NEIN | 5.7 NF @ 25 V | |||||||||
 | APT13GP120KG | - - - | | 2922 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Power MOS 7® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | APT13GP120 | Standard | 250 w | To-220 [k] | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 600 V, 13a, 5ohm, 15 V. | Pt | 1200 V | 41 a | 50 a | 3,9 V @ 15V, 13a | 114 µj (Ein), 165 um (AUS) | 55 NC | 9ns/28ns | |||||||||
| APT150GN60JDQ4 | 39.0900 | | 5056 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | Isotop | APT150 | 536 w | Standard | ISOTOP® | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | TRABENFELD STOPP | 600 V | 220 a | 1,85 V @ 15V, 150a | 50 µA | NEIN | 9.2 NF @ 25 V. | |||||||||
| APT15GN120BDQ1G | 6.8800 | | 4554 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | APT15GN120 | Standard | 195 w | To-247 [b] | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 800 V, 15a, 4,3 Ohm, 15 V. | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 45 a | 45 a | 2,1 V @ 15V, 15a | 410 µj (EIN), 950 µJ (AUS) | 90 nc | 10ns/150ns | ||||||||
| APT20GN60BG | 3.7905 | | 7272 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | APT20GN60 | Standard | 136 w | To-247 [b] | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 400 V, 20a, 4,3 Ohm, 15 V. | TRABENFELD STOPP | 600 V | 40 a | 60 a | 1,9 V @ 15V, 20a | 230 µJ (EIN), 580 µJ (AUS) | 120 NC | 9ns/140ns | ||||||||
| APT44GA60BD30 | 7.0200 | | 1409 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Power Mos 8 ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | APT44GA60 | Standard | 337 w | To-247 [b] | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 400 V, 26a, 4,7ohm, 15 V. | Pt | 600 V | 78 a | 130 a | 2,5 V @ 15V, 26a | 409 µj (EIN), 258 um (AUS) | 128 NC | 16ns/84ns | ||||||||
| APT44GA60BD30C | - - - | | 8247 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Power Mos 8 ™ | Rohr | Veraltet | - - - | K. Loch | To-247-3 | APT44GA60 | Standard | 337 w | To-247 [b] | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 26a, 4,7ohm, 15 V. | Pt | 600 V | 78 a | 130 a | 1,6 V @ 15V, 26a | 409 µJ (EIN), 450 µJ (AUS) | 128 NC | 16ns/102ns | |||||||||
 | APT46GA90JD40 | 30.8000 | | 7204 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Power Mos 8 ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | APT46GA90 | 284 w | Standard | ISOTOP® | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | Pt | 900 V | 87 a | 3,1 V @ 15V, 47a | 350 µA | NEIN | 4.17 NF @ 25 V. | |||||||||
 | APT68GA60LD40 | 11.3100 | | 4862 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Power Mos 8 ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-264-3, to-264aa | APT68GA60 | Standard | 520 w | To-264 [l] | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 400 V, 40a, 4,7ohm, 15 V. | 22 ns | Pt | 600 V | 121 a | 202 a | 2,5 V @ 15V, 40a | 715 µj (EIN), 607 µJ (AUS) | 198 NC | 21ns/133ns | |||||||
 | STGF35HF60W | 2.6800 | | 857 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | STGF35 | Standard | 40 w | To-220fp | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 400 V, 20A, 10OHM, 15 V. | - - - | 600 V | 19 a | 150 a | 2,5 V @ 15V, 20a | 290 µj (Ein), 185 um (AUS) | 140 nc | 30ns/175ns | ||||||||
 | FGPF4633RDTU | - - - | | 1997 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 Full Pack | FGPF4 | Standard | 30,5 w | To-220f | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | - - - | Graben | 330 V | 1,8 V @ 15V, 70a | - - - | - - - | |||||||||||||
 | IKP20N60TAHKSA1 | 2.4819 | | 1757 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Trenchstop® | Rohr | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IKP20N60 | Standard | 166 w | PG-to220-3-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | 400 V, 20A, 12OHM, 15 V. | 41 ns | TRABENFELD STOPP | 600 V | 40 a | 60 a | 2.05 V @ 15V, 20a | 770 ähm | 120 NC | 18ns/199ns | |||||||
 | APTCV60HM45BC20T3G | 137.9411 | | 3879 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | SP3 | Aptcv60 | 250 w | Standard | SP3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Hubschruber, Volle Brucke | TRABENFELD STOPP | 600 V | 50 a | 1,9 V @ 15V, 50a | 250 µA | Ja | 3.15 NF @ 25 V. | |||||||||
 | APTGF50VDA120T3G | - - - | | 8344 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Chassis -berg | SP3 | 312 w | Standard | SP3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Dual Boost Chopper | Npt | 1200 V | 70 a | 3,7 V @ 15V, 50A | 250 µA | Ja | 3.45 NF @ 25 V. | ||||||||||||
 | APTGL180A1202G | - - - | | 3146 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | Sp2 | Aptgl180 | 750 w | Standard | Sp2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Halbbrücke | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 220 a | 2,2 V @ 15V, 150a | 300 µA | NEIN | 9.3 NF @ 25 V. | |||||||||
 | FGA60N65SMD | 6.5300 | | 540 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3, SC-65-3 | FGA60N65 | Standard | 600 w | To-3p | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 60A, 3OHM, 15 V. | 47 ns | Feldstopp | 650 V | 120 a | 180 a | 2,5 V @ 15V, 60a | 1,54 MJ (EIN), 450 µJ (AUS) | 189 NC | 18ns/104ns | |||||||
 | NGB8207BNT4G | - - - | | 3625 | 0.00000000 | Littelfuse Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | NGB8207 | Logik | 165 w | D2pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | - - - | - - - | 365 V | 20 a | 50 a | 2,6 V @ 4V, 20a | - - - | - - - | ||||||||||
| APT40GR120B | 7.4300 | | 54 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | APT40GR120 | Standard | 500 w | To-247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 600 V, 40a, 4,3 Ohm, 15 V. | Npt | 1200 V | 88 a | 160 a | 3,2 V @ 15V, 40a | 1,38MJ (EIN), 906 µJ (AUS) | 210 nc | 22ns/163ns | ||||||||
 | APT70GR65B2DU40 | - - - | | 5334 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | APT70GR65 | Standard | 595 w | T-Max ™ [B2] | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 433V, 70a, 4,3OHM, 15 V. | Npt | 650 V | 134 a | 280 a | 2,4 V @ 15V, 70a | 305 NC | 18ns/170ns | |||||||||
 | APT95GR65JDU60 | - - - | | 8121 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | Apt95gr65 | Standard | 446 w | SOT-227 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 433V, 95A, 4,3OHM, 15 V. | Npt | 650 V | 135 a | 380 a | 2,4 V @ 15V, 95a | 420 NC | 29ns/226ns | ||||||||||
 | IXBA14N300HV | 87.0400 | | 5077 | 0.00000000 | Ixys | Bimosfet ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IXBA14 | Standard | 200 w | To-263 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | -IXBA14N300HV | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 960V, 14a, 20ohm, 15 V. | 1,4 µs | Npt | 3000 v | 38 a | 120 a | 2,7 V @ 15V, 14a | - - - | 62 NC | 40ns/166ns | ||||||
 | IRGSL15B60KDPBF | - - - | | 6338 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | Standard | 208 w | PG-to262-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP001546378 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 400 V, 15a, 22 Ohm, 15 V | 92 ns | Npt | 600 V | 31 a | 62 a | 2,2 V @ 15V, 15a | 220 µJ (EIN), 340 µJ (AUS) | 56 NC | 34ns/184ns | ||||||||
| BSM50GB170DN2HOSA1 | - - - | | 6031 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | BSM50G | 500 w | Standard | Modul | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | Halbbrücke | - - - | 1700 v | 72 a | 3,9 V @ 15V, 50A | NEIN | 8 NF @ 25 V | |||||||||||
 | STGWA50M65DF2 | 5.5300 | | 9648 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | M | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | STGWA50 | Standard | 375 w | To-247 Lange Hinese | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 497-16973 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 50A, 6,8 Ohm, 15 V. | 162 ns | TRABENFELD STOPP | 650 V | 80 a | 150 a | 2,1 V @ 15V, 50a | 880 µJ (EIN), 1,57MJ (AUS) | 150 nc | 42ns/130ns | ||||||
 | NGTB40N120FL3WG | 8.2400 | | 4010 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | NGTB40 | Standard | 454 w | To-247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | NGTB40N120FL3WGOS | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 600 V, 40a, 10ohm, 15 V. | 136 ns | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 160 a | 160 a | 2,3 V @ 15V, 40a | 1,6mj (Ein), 1,1MJ (AUS) | 212 NC | 18ns/145ns | ||||||
| NGTB40N120L3WG | - - - | | 7108 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | NGTB40 | Standard | 454 w | To-247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | NGTB40N120L3WGOS | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 600 V, 40a, 10ohm, 15 V. | 86 ns | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 160 a | 160 a | 2v @ 15V, 40a | 1,5mj (Ein), 1,5mj (AUS) | 220 NC | 18ns/150ns | ||||||
 | Ixyh30n170c | 19.2400 | | 30 | 0.00000000 | Ixys | XPT ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Ixyh30 | Standard | 937 w | To-247 (ixth) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 850 V, 30a, 10ohm, 15 V. | - - - | 1700 v | 108 a | 255 a | 3,7 V @ 15V, 30a | 5,9mj (Ein), 3,3mj (AUS) | 140 nc | 28ns/150ns |
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