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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Kraft - Max | Eingang | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Testedingung | Reverse Recovery Time (TRR) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | NTC Thermistor | Eingabekapazität (cies) @ vce |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Ddb6u180n16rrbpsa1 | - - - | ![]() | 8236 | 0.00000000 | Infineon -technologien | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IRG4BC30KDSTRLP-IR | - - - | ![]() | 4621 | 0.00000000 | Internationaler Gleichrichter | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Standard | 100 w | D2pak | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 480v, 16a, 23ohm, 15 V. | 42 ns | - - - | 600 V | 28 a | 56 a | 2,7 V @ 15V, 16a | 600 µJ (EIN), 580 µJ (AUS) | 67 NC | 60ns/160ns | ||||||||
STGP30NC60W | - - - | ![]() | 1242 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | PowerMesh ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | STGP30 | Standard | 200 w | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 390 V, 20a, 10ohm, 15 V. | - - - | 600 V | 60 a | 150 a | 2,5 V @ 15V, 20a | 305 µJ (EIN), 181 µJ (AUS) | 102 NC | 29,5ns/118ns | |||||||||
![]() | NGTB45N60S2WG | 4.2300 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Onsemi | * | Rohr | Aktiv | NGTB45 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | |||||||||||||||||||||||
![]() | FP10R12W1T4B11BOMA1 | 46.0700 | ![]() | 1123 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Econopim ™ 3 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C. | Chassis -berg | Modul | FP10R12 | 105 w | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 24 | Drei -Phase -wechselrichter | - - - | 1200 V | 20 a | 2,25 V @ 15V, 10a | 1 Ma | Ja | 600 PF @ 25 V. | |||||||||
![]() | 6PS03012E33G34160NOSA1 | - - - | ![]() | 4287 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Primestack ™ | Schüttgut | Veraltet | -25 ° C ~ 55 ° C. | Chassis -berg | Modul | 6PS03012 | 2100 w | Standard | Modul | - - - | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8543.70.9860 | 1 | Drei -Phase -wechselrichter | - - - | 2v @ 15V, 300A | NEIN | ||||||||||||||
![]() | FP35R12KT4B16BPSA1 | 129.4800 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 15 | ||||||||||||||||||||||||
APT45GP120B2DQ2G | 20.5700 | ![]() | 6870 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Power MOS 7® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 Variante | APT45GP120 | Standard | 625 w | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 600 V, 45a, 5ohm, 15 V. | Pt | 1200 V | 113 a | 170 a | 3,9 V @ 15V, 45a | 900 µJ (EIN), 905 µJ (AUS) | 185 NC | 18ns/100ns | ||||||||||
![]() | SKW15N60 | - - - | ![]() | 4310 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Standard | 139 w | PG-to247-3-21 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 400 V, 15a, 21ohm, 15 V. | 279 ns | Npt | 600 V | 31 a | 62 a | 2,4 V @ 15V, 15a | 300 µJ (EIN), 270 µJ (AUS) | 76 NC | 32ns/234ns | ||||||||
![]() | MGW12N120 | 0,9900 | ![]() | 2172 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 37 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | RGT16TM65DGC9 | 2.6800 | ![]() | 1880 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | RGT16 | Standard | 22 w | To-220nfm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 400 V, 8a, 10ohm, 15 V. | 42 ns | TRABENFELD STOPP | 650 V | 9 a | 24 a | 2,1 V @ 15V, 8a | - - - | 21 NC | 13ns/33ns | |||||||
![]() | APTGF50DH120TG | - - - | ![]() | 2464 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Chassis -berg | Sp4 | 312 w | Standard | Sp4 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Asymmetrische Brücke | Npt | 1200 V | 75 a | 3,7 V @ 15V, 50A | 250 µA | Ja | 3.45 NF @ 25 V. | ||||||||||||
![]() | Igt7e20cs | 4.3200 | ![]() | 334 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | K. Loch | To-218-5 | Standard | To-218-5 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - - - | - - - | 500 V | 25 a | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||
![]() | Ixgr60N60C2D1 | - - - | ![]() | 3227 | 0.00000000 | Ixys | Hiperfast ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Ixgr60 | Standard | 250 w | Isoplus247 ™ | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 50A, 2OHM, 15 V. | 35 ns | Pt | 600 V | 75 a | 300 a | 2,7 V @ 15V, 50a | 490 ähm (AUS) | 140 nc | 18ns/95ns | ||||||||
![]() | IXSH30N60B2D1 | - - - | ![]() | 1581 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Ixsh30 | Standard | 250 w | To-247ad | Herunterladen | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | IXSH30N60B2D1-NDR | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 24a, 5ohm, 15 V. | 30 ns | Pt | 600 V | 48 a | 90 a | 2,5 V @ 15V, 24a | 550 µj (AUS) | 50 nc | 30ns/130ns | |||||||
![]() | HGT1S12N60C3 | 1.4200 | ![]() | 899 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | Standard | 104 w | I2pak (to-262) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - - - | - - - | 600 V | 24 a | 96 a | 2v @ 15V, 12a | - - - | 62 NC | - - - | |||||||||
![]() | NGTD14T65F2SWK | 2.0124 | ![]() | 9714 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Sterben | NGTD14 | Standard | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - - - | TRABENFELD STOPP | 650 V | 120 a | 2v @ 15V, 35a | - - - | - - - | |||||||||||
![]() | IFF450B12ME4S8PB11BPSA1 | 300.8067 | ![]() | 8849 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Econodual ™ 3 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C. | Chassis -berg | Modul | IFF450 | 20 MW | Standard | AG-ECONOD-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 6 | Halbbrücke | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 450 a | 2,1 V @ 15V, 450a | 3 ma | Ja | ||||||||||
![]() | MUBW10-06A6K | - - - | ![]() | 7478 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Kasten | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | E1 | MUBW10 | 50 w | DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER | E1 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | Dreiphasen -Wechselrichter mit Bremse | Npt | 600 V | 11 a | 3,3 V @ 15V, 10a | 65 µA | Ja | 220 PF @ 25 V. | |||||||||
![]() | HGT1S7N60A4DS | - - - | ![]() | 2626 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Standard | 125 w | D2pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 390 V, 7a, 25 Ohm, 15 V | 34 ns | - - - | 600 V | 34 a | 56 a | 2,7 V @ 15V, 7a | 55 µJ (EIN), 60 µJ (AUS) | 37 NC | 11ns/100 ns | ||||||||||
![]() | APTGF660U60D4G | - - - | ![]() | 7470 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Chassis -berg | D4 | 2800 w | Standard | D4 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | Npt | 600 V | 860 a | 2,45 V @ 15V, 800A | 500 µA | NEIN | 36 NF @ 25 V | ||||||||||||
![]() | Ixgh72n60a3 | 11.8100 | ![]() | 31 | 0.00000000 | Ixys | GenX3 ™, XPT ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Ixgh72 | Standard | 540 w | To-247ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 480 V, 50A, 3OHM, 15 V. | Pt | 600 V | 75 a | 400 a | 1,35 V @ 15V, 60a | 1,38MJ (EIN), 3,5mj (AUS) | 230 NC | 31ns/320ns | ||||||||
![]() | RGT50NS65DGTL | 3.4100 | ![]() | 8949 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | RGT50 | Standard | 194 w | LPDs | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 400 V, 25a, 10ohm, 15 V. | 58 ns | TRABENFELD STOPP | 650 V | 48 a | 75 a | 2,1 V @ 15V, 25a | - - - | 49 NC | 27ns/88ns | |||||||
![]() | VIO75-06P1 | - - - | ![]() | 1825 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Kasten | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Öko-PAC2 | VIO | 208 w | Standard | Öko-PAC2 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | Einzel | Npt | 600 V | 69 a | 2,8 V @ 15V, 75a | 800 µA | NEIN | 2,8 NF @ 25 V. | ||||||||||
![]() | IXSK35N120AU1 | - - - | ![]() | 4735 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-264-3, to-264aa | Ixsk35 | Standard | 300 w | To-264aa (ixsk) | Herunterladen | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 960 V, 35a, 2,7 Ohm, 15 V. | 60 ns | - - - | 1200 V | 70 a | 140 a | 4V @ 15V, 35a | 10MJ (AUS) | 150 nc | 80ns/400ns | ||||||||
![]() | IRG7T150CH12B | - - - | ![]() | 1433 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Kasten | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | POWIR® 62 Modul | Irg7t | 910 w | Standard | Powir® 62 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 15 | Einzel | - - - | 1200 V | 300 a | 2,2 V @ 15V, 150a | 2 Ma | NEIN | 20.2 NF @ 25 V. | ||||||||||
![]() | NGD8201BNT4G | - - - | ![]() | 3936 | 0.00000000 | Littelfuse Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Logik | 115 w | To-252, (d-pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | -Ngd8201bnt4g | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 300 V, 6,5a, 1kohm | - - - | 430 v | 15 a | 50 a | 1,8 V @ 4,5 V, 10a | - - - | -/4 µs | ||||||||||
![]() | FGA30S120p | - - - | ![]() | 8665 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3, SC-65-3 | FGA30S120 | Standard | 348 w | To-3pn | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | - - - | TRABENFELD STOPP | 1300 v | 60 a | 150 a | 2,3 V @ 15V, 30a | - - - | 78 NC | - - - | ||||||||
![]() | SIGC42T60NCX1SA4 | - - - | ![]() | 9294 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | SIGC42T60 | Standard | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 1 | 300 V, 50A, 3,3 Ohm, 15 V. | Npt | 600 V | 50 a | 150 a | 2,5 V @ 15V, 50A | - - - | 43ns/130ns | |||||||||||
![]() | Ixgh40n60c | - - - | ![]() | 2764 | 0.00000000 | Ixys | HiPerfast ™, LightSpeed ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Ixgh40 | Standard | 250 w | To-247ad | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 480 V, 40a, 4,7ohm, 15 V. | - - - | 600 V | 75 a | 150 a | 2,5 V @ 15V, 40a | 850 µJ (AUS) | 116 NC | 25ns/100 ns |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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