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IGBTs (8343)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Kraft - Max | Eingang | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Testedingung | Reverse Recovery Time (TRR) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | NTC Thermistor | Eingabekapazität (cies) @ vce |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | APTGTQ100DDA65T3G | 95.0308 |  | 2237 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | APTGTQ100 | 250 w | Standard | SP3f | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Dual Boost Chopper | - - - | 650 V | 100 a | 2,2 V @ 15V, 100a | 100 µA | Ja | 6 NF @ 25 V | ||||||||||
 | RGTH80TS65GC11 | 4.3500 | | 153 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | RGTH80 | Standard | 234 w | To-247n | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | 400 V, 40a, 10ohm, 15 V. | TRABENFELD STOPP | 650 V | 70 a | 160 a | 2,1 V @ 15V, 40a | - - - | 79 NC | 34ns/120ns | ||||||||
| VS-150MT060WDF-P | - - - | | 1842 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | 12-MTP-Modul | 150mt060 | 543 w | Standard | 12-MTP PressFit | - - - | Nicht Anwendbar | Ear99 | 8541.29.0095 | 105 | Dual Buck Chopper | - - - | 600 V | 138 a | 2,48 V @ 15V, 80a | 100 µA | NEIN | 14 NF @ 30 V | |||||||||||
| Vs-ety020p120f | 179.8500 | | 5155 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Tablett | Aktiv | ETY020 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 60 | |||||||||||||||||||||||||
 | IGB50N65S5ATMA1 | 3.9100 | | 3 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Trenchstop ™ 5 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IGB50 | Standard | 270 w | PG-to263-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 400 V, 50a, 8,2 Ohm, 15 V. | TRABENFELD STOPP | 650 V | 80 a | 200 a | 1,7 V @ 15V, 50a | 1,23 MJ (EIN), 740 µJ (AUS) | 120 NC | 20ns/139ns | ||||||||
 | IKY75N120CH3XKSA1 | 18.8900 | | 425 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Rohr | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-4 | IKY75N120 | Standard | 938 w | PG-to247-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 600 V, 75A, 6OHM, 15 V. | 292 ns | - - - | 1200 V | 150 a | 300 a | 2,35 V @ 15V, 75a | 3,4mj (EINS), 2,9MJ (AUS) | 370 NC | 38ns/303ns | |||||||
| IXGM25N100A | - - - | | 8874 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-204ae | Ixgm25 | Standard | 200 w | To-204ae | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | 800 V, 25a, 33OHM, 15 V. | 200 ns | - - - | 1000 v | 50 a | 100 a | 4v @ 15V, 25a | 5MJ (AUS) | 180 nc | 100 ns/500 ns | |||||||
| Ixgm40n60 | - - - | | 9699 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-204ae | Ixgm40 | Standard | 250 w | To-204ae | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | 480 V, 40a, 22OHM, 15 V. | 200 ns | - - - | 600 V | 75 a | 150 a | 2,5 V @ 15V, 40a | - - - | 250 NC | 100 ns/600 ns | |||||||
| Fii24n170ah1 | - - - | | 2751 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | I4 -pac ™ -4, isoliert | Fii24n17 | 140 w | Standard | Isoplus i4-pac ™ | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | Halbbrücke | Npt | 1700 v | 18 a | 6v @ 15V, 16a | 100 µA | NEIN | 2.4 NF @ 25 V. | ||||||||||
| FP50R12N2T4B16BOSA1 | - - - | | 3053 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Abgebrochen bei Sic | - - - | - - - | - - - | FP50R12 | - - - | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 10 | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||
| FP75R12N2T4B16BOSA1 | - - - | | 5750 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Econopim ™ 2 | Tablett | Abgebrochen bei Sic | - - - | - - - | - - - | FP75R12 | - - - | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 10 | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||
 | FS100R12N2T4PBPSA1 | 222.8620 | | 5066 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Econopack ™ 2 | Tablett | Aktiv | - - - | - - - | - - - | FS100R12 | - - - | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP001622498 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||
| FS100R17N3E4PB11BPSA1 | 276.2367 | | 3696 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | - - - | - - - | - - - | FS100 | - - - | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 6 | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||||
 | STGB25N40LZAG | 2.6200 | | 2745 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | STGB25 | Logik | 150 w | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 300 V, 10a, 1kohm, 5 V. | - - - | 435 v | 25 a | 50 a | 1,25 V @ 4V, 6a | - - - | 26 NC | 1,1 µs/4,6 µs | ||||||||
 | 6ms24017p43w39872nosa1 | - - - | | 8724 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Modstack ™ | Tablett | Veraltet | -25 ° C ~ 55 ° C. | Chassis -berg | Modul | 6ms24017 | 14500 w | Standard | Modul | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8543.70.9860 | 1 | Drei -Phase -wechselrichter | - - - | 1700 v | 1100 a | - - - | Ja | |||||||||||
| BSM100GAL120DLCKHOSA1 | - - - | | 5137 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C. | Chassis -berg | Modul | BSM100 | 835 w | Standard | Modul | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | Einzelhubschlaar | - - - | 1200 V | 205 a | 2,6 V @ 15V, 100a | 5 Ma | NEIN | 6,5 NF @ 25 V. | |||||||||
| BSM100GB120DN2HOSA1 | 185.3680 | | 9504 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Lets Kaufen | 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | BSM100 | 800 w | Standard | Modul | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | Halbbrücke | - - - | 1200 V | 150 a | 3v @ 15V, 100a | 2 Ma | NEIN | 6,5 NF @ 25 V. | |||||||||
| BSM100GD120DLCBOSA1 | 332.1020 | | 8391 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Lets Kaufen | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | BSM100 | Standard | Modul | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 10 | Einzel | Npt | 1200 V | 100 a | 2,6 V @ 15V, 100a | 12,2 µA | NEIN | 6,5 NF @ 25 V. | |||||||||||
| BSM15GP120BOSA1 | - - - | | 2575 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C. | Chassis -berg | Modul | BSM15GP120 | 180 w | DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER | Modul | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | Volle Brucke | - - - | 1200 V | 35 a | 2,55 V @ 15V, 15a | 500 µA | Ja | 1 NF @ 25 V. | |||||||||
| BSM200GB120DLCHOSA1 | 239.6070 | | 7673 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Lets Kaufen | -40 ° C ~ 125 ° C. | Chassis -berg | Modul | BSM200 | 1550 w | Standard | Modul | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | Halbbrücke | - - - | 1200 V | 420 a | 2,6 V @ 15V, 200a | 5 Ma | NEIN | 13 NF @ 25 V | |||||||||
| BSM25GD120DN2BOSA1 | 144.1820 | | 9997 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | BSM25GD120 | 200 w | Standard | Modul | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | Volle Brucke | - - - | 1200 V | 35 a | 3v @ 15V, 25a | 800 µA | NEIN | 1,65 NF @ 25 V. | |||||||||
| BSM35GB120DN2HOSA1 | - - - | | 8314 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | BSM35GB120 | 280 w | Standard | Modul | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | Halbbrücke | - - - | 1200 V | 50 a | 3,2 V @ 15V, 35a | 1 Ma | NEIN | 2 NF @ 25 V | |||||||||
 | BYM300A120DN2HOSA1 | 192.9200 | | 2842 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | BYM300 | 1000 w | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | Einzel | - - - | 1200 V | 450 a | - - - | NEIN | |||||||||||
 | BYM300B170DN2HOSA1 | - - - | | 1738 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | BYM300 | 20 MW | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 2 Unabhängig | TRABENFELD STOPP | 650 V | 40 a | 1,55 V @ 15V, 25a | 40 µA | Ja | 2,8 NF @ 25 V. | |||||||||
 | DD1200S12H4HOSA1 | 852.4250 | | 5727 | 0.00000000 | Infineon -technologien | IHM-B | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C. | Chassis -berg | Modul | DD1200 | 1200000 w | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2 | 2 Unabhängig | - - - | 1200 V | 1200 a | 2,35 V @ 15V, 1200a | NEIN | |||||||||||
 | F3L25R12W1T4B27BOMA1 | 37.8700 | | 7491 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | F3L25R12 | 215 w | Standard | Ag-Easy1b | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 24 | Halbbrücke | - - - | 1200 V | 45 a | 2,25 V @ 15V, 25a | 1 Ma | Ja | 1,45 NF @ 25 V. | |||||||||
 | F3L75R12W1H3B11BPSA1 | 64.3800 | | 24 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C. | Chassis -berg | Modul | F3L75R12 | 275 w | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 24 | Einzelhubschlaar | - - - | 1200 V | 45 a | 1,7 V @ 15V, 30a | 1 Ma | Ja | 4.4 NF @ 25 V | |||||||||
| F4200R06KL4BOSA1 | - - - | | 1569 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C. | Chassis -berg | Modul | F4200R | 695 w | Standard | Modul | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | Volle Brucke | - - - | 600 V | 225 a | 2,55 V @ 15V, 200a | 5 Ma | NEIN | 9 NF @ 25 V | |||||||||
| FD1200R17KE3KNOSA1 | 1.0000 | | 5462 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Econopack ™ 4 | Tablett | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 125 ° C. | Chassis -berg | Modul | FD1200 | 5950 w | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2 | Doppelbremse Chopper | - - - | 1700 v | 1600 a | 2.45 V @ 15V, 1200a | 5 Ma | NEIN | 110 NF @ 25 V | |||||||||
| FT150R12KE3GB4BDLA1 | - - - | | 7148 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Chassis -berg | Modul | FT150R12 | 700 w | Standard | Modul | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP001505398 | Ear99 | 8541.29.0095 | 24 | 3 Unabhängig | - - - | 1200 V | 200 a | 2,15 V @ 15V, 150a | 5 Ma | NEIN | 10.5 NF @ 25 V |
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