SIC
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IGBT -Modul (3267)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) VCE (ON) (max) @ vge, IC Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Eingabekapazität (cies) @ vce
MG15P12P2 Yangjie Technology MG15P12P2 31.5400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Yangjie -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul 155 w DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER - - - - - - ROHS -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 4617-mg15p12p2 Ear99 36 Dreiphasen -Wechselrichter mit Bremse - - - 1200 V 15 a 2,25 V @ 15V, 15a 1 Ma Ja 1,35 NF @ 25 V.
MG75HF12TLC1 Yangjie Technology MG75HF12TLC1 37.5610
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Yangjie -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul 530 w Standard - - - - - - ROHS -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 4617-mg75HF12TLC1 Ear99 10 Einzelschalter Graben 1200 V 75 a 1,85 V @ 15V, 75A 1 Ma NEIN 5.52 NF @ 25 V.
MG75UZ12MRGJ Yangjie Technology MG75UZ12MRGJ 30.1032
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Yangjie -technologie - - - Schüttgut Aktiv - - - Chassis -berg SOT-227-4 Standard SOT-227 - - - ROHS -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 4617-mg75UZ12MRGJ Ear99 25 Einzel - - - 1200 V 75 a - - - NEIN
MG100P12E2 Yangjie Technology MG100P12E2 119.6933
RFQ
 ECAD 600 0.00000000 Yangjie -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul 442 w DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER - - - - - - ROHS -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 4617-mg100p12e2 Ear99 6 Dreiphasen -Wechselrichter mit Bremse - - - 1200 V 100 a 2,35 V @ 15V, 50a 1 Ma Ja 2.6 NF @ 25 V.
MG200HF12TLC2 Yangjie Technology MG200HF12TLC2 82.8633
RFQ
 ECAD 600 0.00000000 Yangjie -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul 1250 w Standard - - - - - - ROHS -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 4617-mg200HF12TLC2 Ear99 6 Einzelschalter Graben 1200 V 200 a 2,2 V @ 15V, 200a 1 Ma NEIN 12.8 NF @ 25 V.
MG25P12P3 Yangjie Technology MG25P12P3 36.4008
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Yangjie -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul 175 w DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER - - - - - - ROHS -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 4617-mg25p12p3 Ear99 24 Dreiphasen -Wechselrichter mit Bremse - - - 1200 V 25 a 2,25 V @ 15V, 25a 1 Ma Ja 1,9 NF @ 25 V.
MG50P12E2A Yangjie Technology MG50P12E2A 84.0283
RFQ
 ECAD 600 0.00000000 Yangjie -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul 227 w DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER - - - - - - ROHS -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 4617-mg50p12e2a Ear99 6 Dreiphasen -Wechselrichter mit Bremse - - - 1200 V 50 a 2,25 V @ 15V, 35a 1 Ma Ja 2 NF @ 25 V
MG150HF12LEC2 Yangjie Technology MG150HF12LEC2 68.7667
RFQ
 ECAD 600 0.00000000 Yangjie -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Chassis -berg Modul 1136 w Standard - - - - - - ROHS -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 4617-mg150HF12LEC2 Ear99 6 Einzelschalter Npt 1200 V 150 a 3,5 V @ 15V, 150a 1 Ma NEIN 9.8 NF @ 25 V.
MG75P12E2A Yangjie Technology MG75P12E2A 94.4033
RFQ
 ECAD 600 0.00000000 Yangjie -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul 300 w DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER - - - - - - ROHS -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 4617-mg75p12e2a Ear99 6 Dreiphasen -Wechselrichter mit Bremse - - - 1200 V 75 a 2,35 V @ 15V, 40a 1 Ma Ja 2 NF @ 25 V
FZ1200R12ME4B11BOSA1 Infineon Technologies FZ1200R12ME4B11BOSA1 811.2600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Aktiv - - - 2156-FZ1200R12ME4B11BOSA1 1
VS-GT100TS065N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT100TS065N 74.1100
RFQ
 ECAD 5534 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Modul 259 w Standard INT-A-PAK IGBT - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 112-VS-GT100TS065N 15 Halbbrückke Wechselrichter TRABENFELD STOPP 650 V 96 a 2,3 V @ 15V, 100a 50 µA NEIN
FS3L400R10W3S7FB11BPSA1 Infineon Technologies FS3L400R10W3S7FB11BPSA1 313.9000
RFQ
 ECAD 1334 0.00000000 Infineon -technologien EasyPack ™ Tablett Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Modul FS3L400R10 20 MW Standard Ag-easy3b Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 8 Drei -Level -Wechselrichter TRABENFELD STOPP 950 V 120 a 1,48 V @ 15V, 45a 26 µA Ja 12.6 NF @ 25 V.
DDB6U50N22W1RPB11BPSA1 Infineon Technologies DDB6U50N22W1RPB11BPSA1 72.2400
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Aktiv DDB6U50 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30
FP35R12N2T4B86BPSA1 Infineon Technologies FP35R12N2T4B86BPSA1 178.3073
RFQ
 ECAD 6563 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Aktiv - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 15
FP75R17N3E4B20BPSA1 Infineon Technologies FP75R17N3E4B20BPSA1 282.9580
RFQ
 ECAD 9667 0.00000000 Infineon -technologien Econopim ™ 3 Tablett Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul 555 w DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER AG-ECONO3 - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 Drei -Phase -wechselrichter TRABENFELD STOPP 1700 v 150 a 2,3 V @ 15V, 75a 1 Ma Ja 6.8 NF @ 25 V
FF600R12BE7B11BPSA1 Infineon Technologies FF600R12BE7B11BPSA1 - - -
RFQ
 ECAD 7631 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Abgebrochen bei Sic FF600R12 - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 6
FS150R12N3T7B11BPSA1 Infineon Technologies FS150R12N3T7B11BPSA1 313.9500
RFQ
 ECAD 4204 0.00000000 Infineon -technologien Trenchstop ™ Tablett Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Modul FS150R12 20 MW Standard AG-ECONO3B - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 Drei -Phase -wechselrichter TRABENFELD STOPP 1200 V 150 a 1,8 V @ 15V, 150a 12 µA Ja 30.1 NF @ 25 V.
FS33MR12W1M1HPB11BPSA1 Infineon Technologies FS33MR12W1M1HPB11BPSA1 166.0400
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Aktiv - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30
F3L11MR12W2M1HB19BPSA1 Infineon Technologies F3L11MR12W2M1HB19BPSA1 291.6200
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Aktiv - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 15
FS75R12N2T4B85BPSA1 Infineon Technologies FS75R12N2T4B85BPSA1 203.2627
RFQ
 ECAD 3806 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Aktiv - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 15
FF200R17KE4PHPSA1 Infineon Technologies FF200R17KE4PHPSA1 202.2650
RFQ
 ECAD 1446 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul FF200R17 1250 w Standard AG-62MMHB - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 8 Halbbrückke Wechselrichter TRABENFELD STOPP 1700 v 310 a 2,3 V @ 15V, 200a 1 Ma NEIN 18 NF @ 25 V.
FP75R12N2T4B86BPSA1 Infineon Technologies FP75R12N2T4B86BPSA1 277.7253
RFQ
 ECAD 8923 0.00000000 Infineon -technologien Econopim ™ 2 Tablett Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul 20 MW DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER AG-ECONO2B - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 15 Dreiphasen -Wechselrichter mit Bremse TRABENFELD STOPP 1200 V 75 a 2,15 V @ 15V, 75A 1 Ma Ja 4.3 NF @ 25 V
NXH350N100H4Q2F2P1G-R onsemi NXH350N100H4Q2F2P1G-R 296.9600
RFQ
 ECAD 6362 0.00000000 Onsemi - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Modul NXH350 592 w Standard 42-PIM/Q2Pack (93x47) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 488-NXH350N100H4Q2F2P1G-R Ear99 8541.29.0095 12 Drei -Level -Wechselrichter TRABENFELD STOPP 1000 v 303 a 2,3 V @ 15V, 375a 1 Ma Ja 24.146 NF @ 20 V
NXH350N100H4Q2F2S1G-R onsemi NXH350N100H4Q2F2S1G-R 305.7200
RFQ
 ECAD 72 0.00000000 Onsemi - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Modul NXH350 592 w Standard 42-PIM/Q2Pack (93x47) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 488-NXH350N100H4Q2F2S1G-R Ear99 8541.29.0095 12 Drei -Level -Wechselrichter TRABENFELD STOPP 1000 v 303 a 2,3 V @ 15V, 375a 1 Ma Ja 24.146 NF @ 20 V
F417MR12W1M1HB70BPSA1 Infineon Technologies F417MR12W1M1HB70BPSA1 164.4200
RFQ
 ECAD 3853 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Aktiv - - - ROHS3 -KONFORM 24
F411MR12W2M1HB70BPSA1 Infineon Technologies F411MR12W2M1HB70BPSA1 197.4900
RFQ
 ECAD 8540 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Aktiv - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 15
FF450R12KE7PEHPSA1 Infineon Technologies FF450R12KE7PEHPSA1 218.8163
RFQ
 ECAD 1790 0.00000000 Infineon -technologien C, Trenchstop ™ Tablett Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Modul Standard AG-62MMHB - - - ROHS3 -KONFORM 8 Halbbrücke TRABENFELD STOPP 1200 V 450 a 1,75 V @ 15V, 450a 100 µA NEIN 70800 PF @ 25 V.
FF600R12KE7PHPSA1 Infineon Technologies FF600R12KE7PHPSA1 261.2688
RFQ
 ECAD 2873 0.00000000 Infineon -technologien C, Trenchstop ™ Tablett Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Modul Standard AG-62MMHB - - - ROHS3 -KONFORM 8 Halbbrückke Wechselrichter TRABENFELD STOPP 1200 V 600 a 1,75 V @ 15V, 600A 100 µA NEIN 92300 PF @ 25 V.
FF450R12KE7PHPSA1 Infineon Technologies FF450R12KE7PHPSA1 225.3150
RFQ
 ECAD 6831 0.00000000 Infineon -technologien C, Trenchstop ™ Tablett Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Modul Standard AG-62MMHB - - - ROHS3 -KONFORM 448-FF450R12KE7PHPSA1 8 Halbbrücke TRABENFELD STOPP 1200 V 450 a 1,75 V @ 15V, 450a 100 µA NEIN 70800 PF @ 25 V.
FF3MR20KM1HPHPSA1 Infineon Technologies FF3MR20KM1HPHPSA1 1.0000
RFQ
 ECAD 3045 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Aktiv - - - Chassis -berg Modul Standard AG-62MMHB - - - ROHS3 -KONFORM 8 Halbbrücke TRABENFELD STOPP 2 kv - - - NEIN
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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