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IGBT -Modul (3267)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | Eingang | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Strom - Sammler Cutoff (max) | NTC Thermistor | Eingabekapazität (cies) @ vce |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | APTGT150TA60PG | 243,8000 |  | 9662 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | Sp6 | APTGT150 | 480 w | Standard | SP6-P | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | DRIPHASE | TRABENFELD STOPP | 600 V | 225 a | 1,9 V @ 15V, 150a | 250 µA | NEIN | 9.2 NF @ 25 V. | ||
| APTGT200SK60TG | - - - | | 8084 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | Sp4 | 625 w | Standard | Sp4 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | TRABENFELD STOPP | 600 V | 290 a | 1,9 V @ 15V, 200a | 250 µA | Ja | 12.3 NF @ 25 V. | ||||
| APTGT20A60T1G | - - - | | 9321 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | Sp1 | 62 w | Standard | Sp1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Halbbrücke | TRABENFELD STOPP | 600 V | 32 a | 1,9 V @ 15V, 20a | 250 µA | Ja | 1.1 NF @ 25 V. | ||||
| APTGT20DDA60T3G | - - - | | 2771 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | SP3 | 62 w | Standard | SP3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Dual Boost Chopper | TRABENFELD STOPP | 600 V | 32 a | 1,9 V @ 15V, 20a | 250 µA | Ja | 1.1 NF @ 25 V. | ||||
| APTGT20H60T1G | 51.6800 | | 5266 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | Sp1 | AptGT20 | 62 w | Standard | Sp1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Vollbrückke Wechselrichter | TRABENFELD STOPP | 600 V | 32 a | 1,9 V @ 15V, 20a | 250 µA | Ja | 1.1 NF @ 25 V. | ||
| APTGT20X60T3G | - - - | | 1894 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | SP3 | 62 w | Standard | SP3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Drei -Phase -wechselrichter | TRABENFELD STOPP | 600 V | 32 a | 1,9 V @ 15V, 20a | 250 µA | Ja | 1.1 NF @ 25 V. | ||||
| APTGT25X120T3G | 100.0908 | | 9932 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | SP3 | AptGT25 | 156 w | Standard | SP3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Drei -Phase -wechselrichter | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 40 a | 2,1 V @ 15V, 25a | 250 µA | Ja | 1,8 NF @ 25 V. | ||
 | APTGT300A170G | 422.3100 | | 2861 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Sp6 | Aptgt300 | 1660 w | Standard | Sp6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Halbbrücke | TRABENFELD STOPP | 1700 v | 400 a | 2,4 V @ 15V, 300A | 750 µA | NEIN | 26,5 NF @ 25 V. | ||
| APTGT300DA170D3G | 269.3100 | | 3890 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | D-3-Modul | Aptgt300 | 1470 w | Standard | D3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | TRABENFELD STOPP | 1700 v | 530 a | 2,4 V @ 15V, 300A | 8 ma | NEIN | 26 NF @ 25 V. | ||
| APTGT300DA60D3G | 160.0600 | | 9203 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | D-3-Modul | Aptgt300 | 940 w | Standard | D3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | TRABENFELD STOPP | 600 V | 400 a | 1,9 V @ 15V, 300A | 500 µA | NEIN | 18,5 NF @ 25 V. | ||
| APTGT300DA60G | 168.7800 | | 7173 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | Sp6 | Aptgt300 | 1150 w | Standard | Sp6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | TRABENFELD STOPP | 600 V | 430 a | 1,8 V @ 15V, 300A | 350 µA | NEIN | 24 NF @ 25 V. | ||
| APTGT300SK120G | 206.7717 | | 7977 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Sp6 | Aptgt300 | 1380 w | Standard | Sp6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 420 a | 2,1 V @ 15V, 300A | 500 µA | NEIN | 21 NF @ 25 V | ||
| APTGT300SK170G | 269.2320 | | 5107 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Sp6 | Aptgt300 | 1660 w | Standard | Sp6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | TRABENFELD STOPP | 1700 v | 400 a | 2,4 V @ 15V, 300A | 750 µA | NEIN | 26,5 NF @ 25 V. | ||
| APTGT300SK60G | 168.7800 | | 1805 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | Sp6 | Aptgt300 | 1150 w | Standard | Sp6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | TRABENFELD STOPP | 600 V | 430 a | 1,8 V @ 15V, 300A | 350 µA | NEIN | 24 NF @ 25 V. | ||
 | CM300DY-24NF | - - - | | 3191 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IGBTMOD ™ | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | 1130 w | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 835-1016 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Halbbrücke | - - - | 1200 V | 300 a | 2,5 V @ 15V, 300A | 1 Ma | NEIN | 70 NF @ 10 V | ||
 | CM400DY-12NF | - - - | | 8550 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IGBTMOD ™ | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | 1130 w | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Halbbrücke | - - - | 600 V | 400 a | 2,2 V @ 15V, 400a | 1 Ma | NEIN | 60 NF @ 10 V | ||||
 | CM400DY-24A | - - - | | 1739 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IGBTMOD ™ | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | 2710 w | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 835-1018 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Halbbrücke | - - - | 1200 V | 400 a | 3v @ 15V, 400a | 1 Ma | NEIN | 70 NF @ 10 V | ||
 | STGE200N60K | - - - | | 1964 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | Chassis -berg | Isotop | STGE200 | - - - | ISOTOP® | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | - - - | - - - | 600 V | 150 a | - - - | NEIN | |||||
 | Ixbn75n170 | 94.5350 | | 7777 | 0.00000000 | Ixys | Bimosfet ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | Ixbn75 | 625 w | Standard | SOT-227B | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | Einzel | - - - | 1700 v | 145 a | 3,1 V @ 15V, 75A | 25 µA | NEIN | 6.93 NF @ 25 V | ||
 | Ixgn100n170 | 61.0300 | | 1983 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | Ixgn100 | 735 w | Standard | SOT-227B | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | Einzel | Npt | 1700 v | 160 a | 3v @ 15V, 100a | 50 µA | NEIN | 9.22 NF @ 25 V. | ||
 | APT65GP60J | 36.0500 | | 3440 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Power MOS 7® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | APT65GP60 | 431 w | Standard | ISOTOP® | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | Pt | 600 V | 130 a | 2,7 V @ 15V, 65a | 1 Ma | NEIN | 7.4 NF @ 25 V | ||
 | APT75GN120JDQ3G | - - - | | 4063 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Rohr | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Isotop | 379 w | Standard | ISOTOP® | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | Einzel | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 124 a | 2,1 V @ 15V, 75a | 200 µA | NEIN | 4.8 NF @ 25 V. | ||||
| APT75GP120J | 43.8700 | | 7825 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Power MOS 7® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Isotop | APT75GP120 | 543 w | Standard | ISOTOP® | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | Einzel | Pt | 1200 V | 128 a | 3,9 V @ 15V, 75a | 1 Ma | NEIN | 7.04 NF @ 25 V. | ||
| APT75GT120JRDQ3 | 46.6100 | | 6808 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Thunderbolt IGBT® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | APT75GT120 | 480 w | Standard | ISOTOP® | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | Npt | 1200 V | 97 a | 3,7 V @ 15V, 75a | 200 µA | NEIN | 5.1 NF @ 25 V | ||
| APT100GT60JR | - - - | | 3381 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Thunderbolt IGBT® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Isotop | APT100 | 500 w | Standard | ISOTOP® | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | Npt | 600 V | 148 a | 2,5 V @ 15V, 100a | 25 µA | NEIN | 5.15 NF @ 25 V | ||
| APT40GP90J | 39.4100 | | 8312 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Power MOS 7® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | APT40GP90 | 284 w | Standard | ISOTOP® | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | Pt | 900 V | 68 a | 3,9 V @ 15V, 40a | 250 µA | NEIN | 3.3 NF @ 25 V | ||
| Ixbn42n170a | 41.0930 | | 6585 | 0.00000000 | Ixys | Bimosfet ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | Ixbn42 | 312 w | Standard | SOT-227B | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | Einzel | - - - | 1700 v | 42 a | 6v @ 15V, 21a | 50 µA | NEIN | 3,5 NF @ 25 V. | ||
 | MDI145-12A3 | - - - | | 3500 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Kasten | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Y4-M5 | MDI145 | 700 w | Standard | Y4-M5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 6 | Einzel | Npt | 1200 V | 160 a | 2,7 V @ 15V, 100a | 6 Ma | NEIN | 6,5 NF @ 25 V. | ||
| MDI200-12A4 | - - - | | 4030 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Kasten | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Y3-DCB | MDI200 | 1130 w | Standard | Y3-DCB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2 | Einzel | Npt | 1200 V | 270 a | 2,7 V @ 15V, 150a | 10 ma | NEIN | 11 NF @ 25 V | ||
| MDI550-12A4 | - - - | | 8737 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Kasten | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Y3-DCB | MDI550 | 2750 w | Standard | Y3-DCB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2 | Einzel | Npt | 1200 V | 670 a | 2,8 V @ 15V, 400a | 21 Ma | NEIN | 26 NF @ 25 V. |
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