SIC
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IGBT -Modul (3267)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) VCE (ON) (max) @ vge, IC Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Eingabekapazität (cies) @ vce
FP50R12W2T7PBPSA1 Infineon Technologies FP50R12W2T7PBPSA1 84.1750
RFQ
 ECAD 2139 0.00000000 Infineon -technologien Easypim ™ Tablett Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Modul 20 MW DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER Ag-Easy2b - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 18 Drei -Phase -wechselrichter TRABENFELD STOPP 1200 V 50 a 1,6 V @ 15V, 35a 5 µA Ja 11.1 NF @ 25 V.
P2000DE45X168HPSA1 Infineon Technologies P2000DE45X168HPSA1 10.0000
RFQ
 ECAD 5405 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Aktiv P2000DE45 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 8541.29.0095 1
FP150R12N3T4PB81BPSA1 Infineon Technologies FP150R12N3T4PB81BPSA1 447.9833
RFQ
 ECAD 5292 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Aktiv FP150R12 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 6
FP50R12N2T7B16BPSA1 Infineon Technologies FP50R12N2T7B16BPSA1 151.0773
RFQ
 ECAD 1924 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Aktiv FP50R12 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 15
VS-ENW30S120T Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ENW30S120T 130.3500
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division * Kasten Aktiv Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 112-VS-ENW30S120T Ear99 8541.29.0095 100
MG25P12E1A Yangjie Technology MG25P12E1A 44.4638
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 Yangjie -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul 155 w DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER - - - - - - ROHS -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 4617-mg25p12e1a Ear99 8 Dreiphasen -Wechselrichter mit Bremse - - - 1200 V 25 a 2,25 V @ 15V, 15a 1 Ma Ja 1,35 NF @ 25 V.
MG100HF12TLC1 Yangjie Technology MG100HF12TLC1 41.7080
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Yangjie -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul 785 w Standard - - - - - - ROHS -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 4617-mg100HF12TLC1 Ear99 10 Einzelschalter Graben 1200 V 100 a 1,85 V @ 15V, 100a 1 Ma NEIN 7.43 NF @ 25 V
MG15P12E1 Yangjie Technology MG15P12E1 40.6625
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 Yangjie -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul 155 w DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER - - - - - - ROHS -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 4617-mg15p12e1 Ear99 8 Dreiphasen -Wechselrichter mit Bremse - - - 1200 V 15 a 2,25 V @ 15V, 15a 1 Ma Ja 1,35 NF @ 25 V.
MG40P12E1 Yangjie Technology MG40P12E1 54.4750
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 Yangjie -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul 166 w DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER - - - - - - ROHS -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 4617-mg40p12e1 Ear99 8 Dreiphasen -Wechselrichter mit Bremse - - - 1200 V 40 a 2,3 V @ 15V, 25a 1 Ma Ja 1,6 NF @ 25 V.
MG40HF12LEC1 Yangjie Technology MG40HF12LEC1 27.6880
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Yangjie -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Chassis -berg Modul 312 w Standard - - - - - - ROHS -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 4617-mg40HF12LEC1 Ear99 10 Einzelschalter Npt 1200 V 40 a 3,5 V @ 15V, 40a 1 Ma NEIN 3,5 NF @ 25 V.
FD450R12KE4NPSA1 Infineon Technologies FD450R12KE4NPSA1 222.3900
RFQ
 ECAD 5843 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Aktiv - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10
FF450R12KE7EHPSA1 Infineon Technologies FF450R12KE7EHPSA1 259.0180
RFQ
 ECAD 3379 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Aktiv - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10
FP50R12N2T4B86BPSA1 Infineon Technologies FP50R12N2T4B86BPSA1 236.2673
RFQ
 ECAD 3363 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Aktiv - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 15
FD300R17KE4HPSA1 Infineon Technologies FD300R17KE4HPSA1 238.0880
RFQ
 ECAD 4211 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Aktiv - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10
FF800R12KE7EHPSA1 Infineon Technologies FF800R12KE7EHPSA1 355.7000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Infineon -technologien Trenchstop ™ Tablett Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Modul Standard AG-62MMHB - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 Halbbrückke Wechselrichter TRABENFELD STOPP 1200 V 800 a 1,75 V @ 15V, 800A 100 µA NEIN 122 NF @ 25 V
FF3MR20KM1HHPSA1 Infineon Technologies FF3MR20KM1HHPSA1 1.0000
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Aktiv - - - Chassis -berg Modul Standard AG-62MMHB - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 Halbbrücke TRABENFELD STOPP 2000 v - - - NEIN
FF600R12KE7BPSA1 Infineon Technologies FF600R12KE7BPSA1 310.8200
RFQ
 ECAD 2224 0.00000000 Infineon -technologien C Tablett Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Modul FF600R12 Standard AG-62MMHB - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 Halbbrückke Wechselrichter TRABENFELD STOPP 1200 V 600 a 1,75 V @ 15V, 600A 100 µA NEIN 92.3 NF @ 25 V
FF450R45T3E4BPSA1 Infineon Technologies FF450R45T3E4BPSA1 - - -
RFQ
 ECAD 8656 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Abgebrochen bei Sic - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1
FF2MR12KM1HHPSA1 Infineon Technologies FF2MR12KM1HHPSA1 906.9900
RFQ
 ECAD 7065 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Aktiv - - - Chassis -berg Modul FF2MR12 Standard AG-62MMHB - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 Halbbrücke TRABENFELD STOPP 1200 V - - - NEIN
FZ1000R45KL3B5NPSA1 Infineon Technologies FZ1000R45KL3B5NPSA1 1.0000
RFQ
 ECAD 8961 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Aktiv 125 ° C (TJ) Chassis -berg Modul FZ1000R45 1600000 w Standard A-IHV130 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2 Einzelschalter TRABENFELD STOPP 4500 v 1000 a 3,05 V @ 15V, 1Ka 5 Ma NEIN 185 NF @ 25 V.
FF300R17KE3HDLA1 Infineon Technologies FF300R17KE3HDLA1 333.1650
RFQ
 ECAD 3207 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Chassis -berg Modul FF300R17 1450 w Standard AG-62MMHB - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 32 Einzelschalter TRABENFELD STOPP 1700 v 404 a 2,45 V @ 15V, 300A 3 ma NEIN 27 NF @ 25 V
NXH240B120H3Q1PG-R onsemi NXH240B120H3Q1PG-R 151.8600
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Onsemi - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul NXH240 158 w Standard 32-Pim (71x37.4) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen 488-NXH240B120H3Q1PG-R Ear99 8541.29.0095 21 Drei -Level -Wechselrichter TRABENFELD STOPP 1200 V 68 a 2v @ 15V, 80a 400 µA Ja 18.151 NF @ 20 V.
NXH800A100L4Q2F2S2G onsemi NXH800A100L4Q2F2S2G 130.4500
RFQ
 ECAD 3321 0.00000000 Onsemi - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Modul NXH800 714 w Standard 51-PIM/Q2Pack (93x47) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen 488-NXH800A100L4Q2F2S2G Ear99 8541.29.0095 36 Drei -Level -Wechselrichter TRABENFELD STOPP 1000 v 309 a 2,3 V @ 15V, 400a 20 µA Ja 49.7 NF @ 20 V.
NXH400N100L4Q2F2SG onsemi NXH400N100L4Q2F2SG 198.5200
RFQ
 ECAD 2902 0.00000000 Onsemi - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Modul NXH400 980 w Standard 48-PIM/Q2Pack (93x47) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen 488-NXH400N100L4Q2F2SG Ear99 8541.29.0095 12 Drei -Level -Wechselrichter TRABENFELD STOPP 1000 v 360 a 2,2 V @ 15V, 400a 25 µA Ja 26.06 NF @ 20 V
NXH600B100H4Q2F2SG onsemi NXH600B100H4Q2F2SG 275.6300
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 Onsemi - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Modul NXH600 511 w Standard 44-Pim (93x47) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen 488-NXH600B100H4Q2F2SG Ear99 8541.29.0095 36 Drei -Level -Wechselrichter TRABENFELD STOPP 1000 v 192 a 2,3 V @ 15V, 200a 10 µA Ja 13.256 NF @ 20 V
NXH300B100H4Q2F2SG-R onsemi NXH300B100H4Q2F2SG-R 265.1700
RFQ
 ECAD 4026 0.00000000 Onsemi - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Modul NXH300 194 w Standard 53-PIM/Q2Pack (93x47) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen 488-NXH300B100H4Q2F2SG-R Ear99 8541.29.0095 12 Halbbrückke Wechselrichter TRABENFELD STOPP 1000 v 73 a 2,25 V @ 15V, 100a 800 µA Ja 6.323 NF @ 20 V
BSM150GB120DN2FE325HOSA1 Infineon Technologies BSM150GB120DN2FE325HOSA1 - - -
RFQ
 ECAD 8607 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Veraltet BSM150 - - - Veraltet 1
BSM400GA120DN2SE325HOSA1 Infineon Technologies BSM400GA120DN2SE325HOSA1 - - -
RFQ
 ECAD 8952 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Veraltet BSM400 - - - Veraltet 1
VS-GT400LH060N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT400LH060N 135.4500
RFQ
 ECAD 9055 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Fred Pt® Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Modul GT400 1.363 kW Standard Double Int-a-Pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 112-VS-GT400LH060N 1 Einzelhubschlaar TRABENFELD STOPP 600 V 492 a 2v @ 15V, 400a 20 µA NEIN
VS-GT50LA65UF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT50LA65UF 26.8736
RFQ
 ECAD 9487 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Fred Pt® Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc GT50 163 w Standard SOT-227 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 112-VS-GT50LA65UF 1 Einzelhubschlaar TRABENFELD STOPP 650 V 59 a 2,1 V @ 15V, 50a 40 µA NEIN
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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