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IGBT -Modul (3267)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) VCE (ON) (max) @ vge, IC Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Eingabekapazität (cies) @ vce
CM200RX-12A Powerex Inc. CM200RX-12A - - -
RFQ
 ECAD 5929 0.00000000 Powerex Inc. IGBTMOD ™ Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul 735 w Standard Modul Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 Dreiphasen -Wechselrichter mit Bremse - - - 600 V 200 a 2,1 V @ 15V, 200a 1 Ma Ja 27 NF @ 10 V
APTGLQ75H65T1G Microchip Technology APTGLQ75H65T1G 84.0900
RFQ
 ECAD 7647 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch Sp1 Aptglq75 250 w Standard Sp1 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Volle Brucke TRABENFELD STOPP 650 V 150 a 2,3 V @ 15V, 75a 100 µA Ja 4.62 NF @ 25 V.
APT100GT120JU3 Microchip Technology APT100GT120JU3 38.3400
RFQ
 ECAD 5932 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Isotop APT100 480 w Standard SOT-227 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Einzel TRABENFELD STOPP 1200 V 140 a 2,1 V @ 15V, 100a 5 Ma NEIN 7.2 NF @ 25 V
APTGLQ200HR120G Microchip Technology APTGLQ200HR120G 242.7600
RFQ
 ECAD 1085 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch Sp6 APTGLQ200 1000 w Standard Sp6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 TRABENFELD STOPP 1200 V 300 a 2,4 V @ 15V, 160a 200 µA NEIN 9.2 NF @ 25 V.
MG06400D-BN1MM Littelfuse Inc. MG06400D-BN1mm - - -
RFQ
 ECAD 1345 0.00000000 Littelfuse Inc. - - - Schüttgut Veraltet - - - Chassis -berg D-3-Modul 1400 w Standard D3 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 60 Halbbrücke - - - 600 V 460 a 2,45 V @ 15V, 400A 1 Ma NEIN 18 NF @ 25 V.
APTGT75TDU60PG Microchip Technology APTGT75TDU60PG 170.9700
RFQ
 ECAD 3239 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Sp6 AptGT75 250 w Standard SP6-P Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Dreifach, Dual - Gemeinsame Quelle TRABENFELD STOPP 600 V 100 a 1,9 V @ 15V, 75A 250 µA NEIN 4.62 NF @ 25 V.
FS20R06VE3B2BOMA1 Infineon Technologies FS20R06VE3B2BOMA1 - - -
RFQ
 ECAD 2516 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C. Chassis -berg Modul FS20R06 71,5 w Standard Modul Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 40 Drei -Phase -wechselrichter - - - 600 V 25 a 2v @ 15V, 20a 1 Ma Ja 1.14 NF @ 25 V.
APTGT150SK60T1G Microchip Technology APTGT150SK60T1G 54.7605
RFQ
 ECAD 9456 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Sp1 APTGT150 480 w Standard Sp1 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Einzel TRABENFELD STOPP 600 V 225 a 1,9 V @ 15V, 150a 250 µA Ja 9.2 NF @ 25 V.
FF450R12KT4PHOSA1 Infineon Technologies FF450R12KT4PHOSA1 264.3550
RFQ
 ECAD 7292 0.00000000 Infineon -technologien C Tablett Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C. Chassis -berg Modul FF450R12 Standard Modul Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 8 Halbbrücke TRABENFELD STOPP 1200 V 450 a 2,15 V @ 15V, 450a 5 Ma NEIN 28 NF @ 25 V
QID1210006 Powerex Inc. Qid1210006 - - -
RFQ
 ECAD 8984 0.00000000 Powerex Inc. - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) - - - - - - 570 w Standard - - - Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 2 Unabhängig - - - 1200 V 100 a 6,5 V @ 15V, 100a 1 Ma NEIN 16 NF @ 10 V
FB10R06KL4GBOMA1 Infineon Technologies FB10R06KL4GBOMA1 - - -
RFQ
 ECAD 6581 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Veraltet FB10R06 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Veraltet 20
APTGT75TA120PG Microchip Technology APTGT75TA120PG 244.2520
RFQ
 ECAD 4563 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp6 AptGT75 350 w Standard SP6-P Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 DRIPHASE TRABENFELD STOPP 1200 V 100 a 2,1 V @ 15V, 75a 250 µA NEIN 5.34 NF @ 25 V
FF900R12IE4VBOSA1 Infineon Technologies FF900R12IE4VBOSA1 707.4900
RFQ
 ECAD 8713 0.00000000 Infineon -technologien Primepack ™ 2 Tablett Nicht für Designs -40 ° C ~ 150 ° C. Chassis -berg Modul FF900R12 5100 w Standard Modul Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3 2 Unabhängig TRABENFELD STOPP 1200 V 900 a 2.05 V @ 15V, 900A 5 Ma Ja 54 NF @ 25 V.
BSM30GP60BOSA1 Infineon Technologies BSM30GP60BOSA1 - - -
RFQ
 ECAD 1804 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C. Chassis -berg Modul BSM30G 180 w DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER Modul - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 Volle Brucke - - - 600 V 50 a 2,45 V @ 15V, 30a 300 na Ja 1,6 NF @ 25 V.
FS200R07A1E3BOSA1 Infineon Technologies FS200R07A1E3BOSA1 - - -
RFQ
 ECAD 7523 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul FS200R07 790 w Standard Modul Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 4 Drei -Phase -wechselrichter - - - 650 V 250 a 1,9 V @ 15V, 200a 1 Ma Ja 13 NF @ 25 V
VS-GB100TP120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB100TP120N - - -
RFQ
 ECAD 2414 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) Chassis -berg Int-a-Pak GB100 650 w Standard Int-a-Pak - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen VSGB100TP120N Ear99 8541.29.0095 24 Halbbrücke - - - 1200 V 200 a 2,2 V @ 15V, 100a 5 Ma NEIN 7.43 NF @ 25 V
FP30R06W1E3B11BOMA1 Infineon Technologies FP30R06W1E3B11BOMA1 45.2600
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Infineon -technologien Easypim ™ Tablett Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C. Chassis -berg Modul FP30R06 115 w Standard Modul Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 24 Drei -Phase -wechselrichter TRABENFELD STOPP 600 V 37 a 2v @ 15V, 30a 1 Ma Ja 1,65 NF @ 25 V.
QID1210005 Powerex Inc. Qid1210005 - - -
RFQ
 ECAD 2120 0.00000000 Powerex Inc. - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) - - - - - - 730 w Standard - - - Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 2 Unabhängig - - - 1200 V 100 a 6,5 V @ 15V, 100a 1 Ma NEIN 16 NF @ 10 V
APTGT100DA60T1G Microchip Technology APTGT100DA60T1G 48.0105
RFQ
 ECAD 3428 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Sp1 Aptgt100 340 w Standard Sp1 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Einzel TRABENFELD STOPP 600 V 150 a 1,9 V @ 15V, 100a 250 µA Ja 6.1 NF @ 25 V
IRG5U400SD12B Infineon Technologies IRG5U400SD12B - - -
RFQ
 ECAD 6200 0.00000000 Infineon -technologien - - - Kasten Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg POWIR® 62 Modul 2500 w Standard Powir® 62 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 15 Einzel - - - 1200 V 600 a 3,5 V @ 15V, 400a 5 Ma NEIN 45,5 NF @ 25 V.
IRG5U100HF12A Infineon Technologies IRG5U100HF12A - - -
RFQ
 ECAD 7253 0.00000000 Infineon -technologien - - - Kasten Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg POWIR® 34 MODUL 620 w Standard Powir® 34 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen SP001537382 Ear99 8541.29.0095 20 Halbbrücke - - - 1200 V 200 a 3,5 V @ 15V, 100a 1 Ma NEIN 12.3 NF @ 25 V.
FF1000R17IE4BOSA1 Infineon Technologies Ff1000r17ie4bosa1 679.1500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon -technologien Primepack ™ 3 Tablett Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C. Chassis -berg Modul FF1000 6250 w Standard Modul Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2 2 Unabhängig - - - 1700 v 2,45 V @ 15V, 1000a 5 Ma Ja 81 NF @ 25 V
VS-GA100NA60UP Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GA100NA60UP - - -
RFQ
 ECAD 8659 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc GA100 250 w Standard SOT-227 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) VSGA100NA60UP Ear99 8541.29.0095 180 Einzel - - - 600 V 100 a 2,1 V @ 15V, 50a 250 µA NEIN 7.4 NF @ 30 V
PSDC412E11228049NOSA1 Infineon Technologies PSDC412E11228049NOSA1 - - -
RFQ
 ECAD 8208 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Veraltet PSDC412 - - - Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Veraltet 0000.00.0000 1
MWI300-17E9 IXYS MWI300-17E9 - - -
RFQ
 ECAD 8499 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Chassis -berg E+ MWI300 2200 w Standard E+ Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 DRIPHASE Npt 1700 v 500 a 2,7 V @ 15V, 300A 1 Ma Ja 33 NF @ 25 V.
FZ1800R17HP4B9HOSA2 Infineon Technologies FZ1800R17HP4B9HOSA2 1.0000
RFQ
 ECAD 6841 0.00000000 Infineon -technologien IHM-B Tablett Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C. Chassis -berg Modul FZ1800 11500 w Standard Modul Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Einzelschalter Graben 1700 v 1800 a 2,25 V @ 15V, 1800a 5 Ma NEIN 145 NF @ 25 V.
DF900R12IP4DBOSA1 Infineon Technologies DF900R12IP4DBOSA1 598.4567
RFQ
 ECAD 6015 0.00000000 Infineon -technologien Primepack ™ 2 Tablett Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C. Chassis -berg Modul DF900R12 5100 w Standard Modul Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3 Einzelhubschlaar TRABENFELD STOPP 1200 V 900 a 2.05 V @ 15V, 900A 5 Ma Ja 54 NF @ 25 V.
APTGF50A120TG Microsemi Corporation APTGF50A120TG - - -
RFQ
 ECAD 5735 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp4 312 w Standard Sp4 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 Halbbrücke Npt 1200 V 75 a 3,7 V @ 15V, 50A 250 µA Ja 3.45 NF @ 25 V.
IRG7T50HF12A Infineon Technologies IRG7T50HF12A - - -
RFQ
 ECAD 4101 0.00000000 Infineon -technologien - - - Kasten Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg POWIR® 34 MODUL Irg7t 340 w Standard Powir® 34 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 20 Halbbrücke - - - 1200 V 100 a 2,2 V @ 15V, 50A 1 Ma NEIN 6.7 NF @ 25 V.
APTGT100DU60TG Microchip Technology APTGT100DU60TG 93.5400
RFQ
 ECAD 5457 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Sp4 Aptgt100 340 w Standard Sp4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Dual Gemeinsame Quelle TRABENFELD STOPP 600 V 150 a 1,9 V @ 15V, 100a 250 µA Ja 6.1 NF @ 25 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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