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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Gewinnen | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2n3053 pbfree | 2.8200 | ![]() | 334 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 5 w | To-39 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | 40 v | 700 Ma | - - - | Npn | 1,4 V @ 15ma, 150 mA | 50 @ 150 mA, 10V | 100 MHz | ||||||||
Jan2N4033 | 11.5577 | ![]() | 4882 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/512 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2N4033 | 800 MW | To-39 (bis 205ad) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 v | 1 a | 10 µA (ICBO) | PNP | 1v @ 100 mA, 1a | 100 @ 100 Ma, 5V | - - - | |||||||
![]() | 2SB09480p | - - - | ![]() | 5537 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | 2SB094 | 2 w | To-220f-a1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0075 | 100 | 20 v | 10 a | 50 µA (ICBO) | PNP | 600mv @ 330 Ma, 10a | 130 @ 3a, 2v | 100 MHz | ||||||||
![]() | DMA564070R | - - - | ![]() | 4356 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | 6-smd, Flache Leitungen | DMA56407 | 150 MW | Smini6-F3-B | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 250 mV @ 500 µA, 10 mA | 160 @ 5ma, 10V | - - - | 22kohm | - - - | |||||||
![]() | MS2608H | - - - | ![]() | 5562 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | * | Schüttgut | Veraltet | - - - | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | BC549TF | - - - | ![]() | 9761 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC549 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 30 v | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 110 @ 2MA, 5V | 300 MHz | |||||||
![]() | 0510-50a | - - - | ![]() | 1950 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | 200 ° C (TJ) | Chassis -berg | 55AV | 50W | 55AV | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 7db | 27V | 3.7a | - - - | 10 @ 500 mA, 5 V | 500 MHz ~ 1 GHz | - - - | ||||||||
![]() | UNR911AG0L | - - - | ![]() | 3637 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | UNR911 | 125 MW | Ssmini3-f3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | 80 MHz | 100 Kohms | 100 Kohms | |||||||
![]() | DRA9115E0L | - - - | ![]() | 6488 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | DRA9115 | 125 MW | Ssmini3-f3-b | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 250 mV @ 500 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | 100 Kohms | 100 Kohms | |||||||
![]() | NE696M01-T1 | 0,4900 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Cel | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | NE696 | 150 MW | SOT-363 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | - - - | 6v | 30 ma | Npn | 80 @ 10ma, 3v | 14GHz | 1,6 dB @ 2GHz | ||||||
![]() | UNR91ALG0L | - - - | ![]() | 3119 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | UNR91A | 125 MW | Ssmini3-f3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 80 Ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 20 @ 5ma, 10V | 80 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | |||||||
JantX2N4150 | 12.1163 | ![]() | 7138 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/394 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 2N4150 | 1 w | To-5 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 70 V | 10 a | 10 µA | Npn | 2,5 V @ 1a, 10a | 40 @ 5a, 5V | - - - | |||||||
DSS4160U-7 | 0,4300 | ![]() | 2615 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DSS4160 | 400 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 60 v | 1 a | 100na | Npn | 280 mv @ 100 mA, 1a | 200 @ 500 Ma, 5V | 150 MHz | |||||||
![]() | 2SC5753-T2-A | - - - | ![]() | 4933 | 0.00000000 | Cel | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-343F | 205 MW | SOT-343F | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 13,5 dB | 6v | 100 ma | Npn | 75 @ 30 Ma, 3V | 12GHz | 1.7db @ 2ghz | ||||||||
![]() | JantX2N918UB/Tr | 27.1852 | ![]() | 3215 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/301 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | 200 MW | UB | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx2N918UB/Tr | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 15 v | 50 ma | 1 µA (ICBO) | Npn | 400mv @ 1ma, 10 mA | 20 @ 3ma, 1V | - - - | |||||||
Zumt618ta | 0,3900 | ![]() | 26 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Zumt618 | 385 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 20 v | 1,25 a | 10na | Npn | 250 mV @ 50 Ma, 1,25a | 200 @ 500 Ma, 2V | 210 MHz | |||||||
![]() | UNR9212J0L | - - - | ![]() | 9204 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | UNR9212 | 125 MW | Ssmini3-f1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 60 @ 5ma, 10V | 150 MHz | 22 Kohms | 22 Kohms | |||||||
![]() | Jantxv2N3440UA | 189.7910 | ![]() | 4928 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/368 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | 800 MW | Ua | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 250 V | 2 µA | 2 µA | Npn | 500mv @ 4ma, 50 mA | 40 @ 20 mA, 10V | - - - | |||||||||
![]() | PDTC123JM, 315 | 0,0200 | ![]() | 2672 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-101, SOT-883 | PDTC123 | 250 MW | DFN1006-3 | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | NPN - VORGEPANNT | 100 mv @ 250 ua, 5 mA | 100 @ 10ma, 5V | 2.2 Kohms | 47 Kohms | |||||||||
![]() | 2SB09560RL | - - - | ![]() | 6910 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SB0956 | 1 w | Minip3-F1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 20 v | 1 a | 1 µA (ICBO) | PNP | 500mv @ 50 Ma, 1a | 130 @ 500 mA, 2V | 200 MHz | ||||||||
![]() | ZXTD09N50DE6TC | - - - | ![]() | 3291 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 | ZXTD09N50D | 1.1W | SOT-26 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 10.000 | 50V | 1a | 10na | 2 NPN (Dual) | 270mv @ 50 Ma, 1a | 200 @ 500 Ma, 2V | 215 MHz | |||||||
![]() | FJP9100TU | - - - | ![]() | 6590 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | FJP910 | 40 w | To-220-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 275 v | 4 a | 100 µA (ICBO) | NPN - Darlington | 1,5 V @ 5ma, 2a | 1000 @ 500 mA, 5V | - - - | |||||||
![]() | 2n5051 | 27.1187 | ![]() | 7601 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | 2n5051 | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | NTE292 | 2.1000 | ![]() | 140 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc. | - - - | Tasche | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | To-220-3 | 1,8 w | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2368-NTE292 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 120 v | 4 a | 1ma | PNP | 2,5 V @ 2a, 4a | 15 @ 1,5a, 4V | 4MHz | ||||||||
![]() | BCM857BV, 315 | 0,3600 | ![]() | 4178 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | BCM857 | 300 MW | SOT-666 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | 2 PNP (Dual) Matchieres Paar | 400mv @ 5 mA, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 175MHz | ||||||
![]() | Pdtd143eux | 0,0680 | ![]() | 2626 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | PDTD143 | 300 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934068344115 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 500 mA | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 100 MV @ 2,5 mA, 50 mA | 60 @ 50 Ma, 5V | 225 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | ||||
![]() | KSD560Y | - - - | ![]() | 4873 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | KSD560 | 1,5 w | To-220-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 200 | 100 v | 5 a | 1 µA (ICBO) | NPN - Darlington | 1,5 V @ 3ma, 3a | 5000 @ 3a, 2v | - - - | |||||||
DDC142th-7 | - - - | ![]() | 7507 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | DDC142 | 150 MW | SOT-563 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | - - - | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 200 MHz | 470ohm | - - - | ||||||
![]() | But11atu | - - - | ![]() | 7496 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | But11 | 100 w | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 450 V | 5 a | 1ma | Npn | 1,5 V @ 500 Ma, 2,5a | - - - | - - - | ||||||
![]() | 2SC5594xp-tl-e | 0,6300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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