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Dioden (166326)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1N5236B | - - - |  | 1365 | 0.00000000 | Smc -Diodenlösungen | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | ± 5% | 200 ° C | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,1 V @ 200 Ma | 3 µa @ 5,7 V | 7,5 v | 6 Ohm | |||||||||||||
| 1n5245b | - - - | | 8063 | 0.00000000 | Smc -Diodenlösungen | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | ± 5% | 200 ° C | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 Na @ 10,5 V. | 15 v | 16 Ohm | |||||||||||||
| 1n5261b | - - - | | 8135 | 0.00000000 | Smc -Diodenlösungen | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | ± 5% | 200 ° C | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 na @ 34 v | 47 v | 105 Ohm | |||||||||||||
 | 1SMA4749 | 0,0710 | | 1224 | 0.00000000 | Smc -Diodenlösungen | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | 1 w | SMA (Do-214AC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µA @ 18,2 V. | 24 v | 25 Ohm | ||||||||||||
| 1SMA4752-GT3 | 0,0710 | | 5924 | 0.00000000 | Smc -Diodenlösungen | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | 1 w | SMA (Do-214AC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µA @ 25,1 V. | 33 v | 45 Ohm | ||||||||||||
| 1SMA4753-GT3 | 0,0710 | | 6752 | 0.00000000 | Smc -Diodenlösungen | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | 1 w | SMA (Do-214AC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µa @ 27,4 V | 36 v | 50 Ohm | ||||||||||||
| 1SMA4760 | 0,0710 | | 4839 | 0.00000000 | Smc -Diodenlösungen | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | 1 w | SMA (Do-214AC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µA @ 51,7 V | 68 v | 150 Ohm | ||||||||||||
| 1SMA4762 | 0,0710 | | 4857 | 0.00000000 | Smc -Diodenlösungen | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | 1 w | SMA (Do-214AC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µA @ 62,2 V. | 82 v | 200 Ohm | ||||||||||||
 | S5JC | 0,0966 | | 2496 | 0.00000000 | Smc -Diodenlösungen | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | S5J | Standard | SMC (Do-214AB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,15 V @ 5 a | 10 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 40pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||
 | SIDC81D120H8X1SA3 | - - - | | 2633 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | Sidc81d | Standard | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1200 V | 2,15 V @ 150 a | 27 µa @ 1200 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 150a | - - - | |||||||||||||
 | 30cpq100 | 1.8400 | | 5 | 0.00000000 | Smc -Diodenlösungen | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | 30cpq | Schottky | To-247ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | 1655-1010 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | - - - | 860 mv @ 15 a | 550 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||
 | 1N4734a | - - - | | 1118 | 0.00000000 | Smc -Diodenlösungen | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | ± 5% | 200 ° C | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1 w | Do-41 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 2 V | 5.6 v | 5 Ohm | |||||||||||||
| 1N4741a | - - - | | 3472 | 0.00000000 | Smc -Diodenlösungen | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | ± 5% | 200 ° C | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1 w | Do-41 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µa @ 8,4 V | 11 v | 8 Ohm | |||||||||||||
| 1N4759a | - - - | | 6309 | 0.00000000 | Smc -Diodenlösungen | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | ± 5% | 200 ° C | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1 w | Do-41 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µA @ 47,1 V. | 62 v | 125 Ohm | |||||||||||||
| 1SMA4754 | 0,3900 | | 13 | 0.00000000 | Smc -Diodenlösungen | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | 1 w | SMA (Do-214AC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µA @ 29.7 V. | 39 v | 60 Ohm | ||||||||||||
 | PLZ10B-HG3_A/H. | 0,3600 | | 4523 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, Plz | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 3% | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-219AC | PLZ10 | 500 MW | Do-219AC (microSMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.500 | 900 mv @ 10 mA | 200 na @ 7 V | 10 v | 8 Ohm | |||||||||||
| PLZ10C-HG3_A/H. | 0,3600 | | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, Plz | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 3% | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-219AC | PLZ10 | 500 MW | Do-219AC (microSMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.500 | 900 mv @ 10 mA | 200 na @ 7 V | 10 v | 8 Ohm | |||||||||||
| PLZ10D-G3/H | 0,3100 | | 44 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | PLZ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2,5% | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-219AC | PLZ10 | 500 MW | Do-219AC (microSMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.500 | 900 mv @ 10 mA | 200 na @ 7 V | 10 v | 8 Ohm | |||||||||||
| PLZ16A-HG3_A/H. | 0,3600 | | 50 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, Plz | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 3% | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-219AC | PLZ16 | 500 MW | Do-219AC (microSMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.500 | 900 mv @ 10 mA | 200 na @ 12 V | 16 v | 18 Ohm | |||||||||||
| PLZ20A-HG3_A/H | 0,3600 | | 21 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, Plz | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 3% | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-219AC | PLZ20 | 500 MW | Do-219AC (microSMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.500 | 900 mv @ 10 mA | 200 NA @ 15 V | 20 v | 28 Ohm | |||||||||||
| PLZ20D-HG3_A/H. | 0,3600 | | 25 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, Plz | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2,5% | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-219AC | PLZ20 | 500 MW | Do-219AC (microSMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.500 | 900 mv @ 10 mA | 200 NA @ 15 V | 20 v | 28 Ohm | |||||||||||
| PLZ22B-G3/H | 0,3100 | | 9909 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | PLZ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 3% | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-219AC | PLZ22 | 500 MW | Do-219AC (microSMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.500 | 900 mv @ 10 mA | 200 na @ 17 V | 22 v | 30 Ohm | |||||||||||
| PLZ22B-HG3_A/H. | 0,3600 | | 50 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, Plz | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 3% | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-219AC | PLZ22 | 500 MW | Do-219AC (microSMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.500 | 900 mv @ 10 mA | 200 na @ 17 V | 22 v | 30 Ohm | |||||||||||
| PLZ22D-G3/H | 0,3200 | | 50 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | PLZ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 3% | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-219AC | PLZ22 | 500 MW | Do-219AC (microSMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.500 | 900 mv @ 10 mA | 200 na @ 17 V | 22 v | 30 Ohm | |||||||||||
| PLZ24C-G3/H | 0,3200 | | 38 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | PLZ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 3% | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-219AC | PLZ24 | 500 MW | Do-219AC (microSMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.500 | 900 mv @ 10 mA | 200 na @ 19 V | 24 v | 35 Ohm | |||||||||||
| PLZ27C-G3/H | 0,0415 | | 4501 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | PLZ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 3% | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-219AC | PLZ27 | 500 MW | Do-219AC (microSMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.500 | 900 mv @ 10 mA | 200 na @ 21 V | 27 v | 45 Ohm | |||||||||||
| PLZ30B-G3/H | 0,3100 | | 25 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | PLZ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 3% | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-219AC | PLZ30 | 500 MW | Do-219AC (microSMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.500 | 900 mv @ 10 mA | 200 na @ 23 v | 30 v | 55 Ohm | |||||||||||
| PLZ33C-HG3_A/H. | 0,3600 | | 40 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, Plz | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 3% | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-219AC | PLZ33 | 500 MW | Do-219AC (microSMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.500 | 900 mv @ 10 mA | 200 Na @ 25 V. | 33 v | 65 Ohm | |||||||||||
| PLZ33D-G3/H | 0,3200 | | 28 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | PLZ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 3% | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-219AC | PLZ33 | 500 MW | Do-219AC (microSMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.500 | 900 mv @ 10 mA | 200 Na @ 25 V. | 33 v | 65 Ohm | |||||||||||
 | UF4006 bk | - - - | | 5611 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | UF4006 | Standard | Do-41 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1 V @ 1 a | 75 ns | 10 µa @ 800 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4v, 1 MHz |
2000+
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Standardprodukteinheit
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