SIC
close

Dioden (168966)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Geschwindigkeit Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT)
SMBZ1608LT1 onsemi SMBZ1608LT1 0,0200
RFQ
 ECAD 81 0.00000000 Onsemi * Schüttgut Aktiv - - - Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0050 3.000
JANTXV1N4989D Microchip Technology Jantxv1n4989d 23.4600
RFQ
 ECAD 8413 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/356 Schüttgut Aktiv ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch E, axial 5 w E, axial - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jantxv1n4989d Ear99 8541.10.0050 1 1,5 V @ 1 a 2 µa @ 152 V 200 v 500 Ohm
SRAF1040 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRAF1040 C0G - - -
RFQ
 ECAD 5285 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Rohr Abgebrochen bei Sic K. Loch To-220-2 Full Pack SRAF1040 Schottky ITO-220AC Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 40 v 550 mV @ 10 a 500 µa @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C. 10a - - -
CS2D-E3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division CS2D-E3/H - - -
RFQ
 ECAD 5374 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB CS2 Standard Do-214AA (SMB) - - - UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 750 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 200 v 1,2 V @ 2 a 2,1 µs 5 µa @ 200 V. -55 ° C ~ 150 ° C. 2a 12pf @ 4v, 1 MHz
DB104LS Rectron USA DB104LS 0,3200
RFQ
 ECAD 2176 0.00000000 Rectron USA - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel Standard DBLS Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-DB104Lstr Ear99 8541.10.0080 8.000 1 V @ 1 a 1 µa @ 400 V 1 a Einphase 400 V
MMBZ4710-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ4710-E3-08 - - -
RFQ
 ECAD 7968 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MMBZ4710 350 MW SOT-23-3 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 15.000 10 na @ 19 V 25 v
KBPC3502 Solid State Inc. KBPC3502 - - -
RFQ
 ECAD 8844 0.00000000 Solid State Inc. KBPC35 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg 4 Quadratmeter, KBPC Standard KBPC Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert 2383-kbpc3502 Ear99 8541.10.0080 10 1,2 V @ 17.5 a 10 µA @ 200 V. 35 a Einphase 200 v
1N3289AR GeneSiC Semiconductor 1n3289ar 33.5805
RFQ
 ECAD 1862 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-205AA, DO-8, Stud 1n3289ar Standard, Umgekehrte Polarität DO-205AA (DO-8) Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1N3289Argn Ear99 8541.10.0080 10 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 200 v 1,5 V @ 100 a 24 mA @ 200 v -40 ° C ~ 200 ° C. 100a - - -
MP154W Rectron USA MP154W 1.8500
RFQ
 ECAD 4337 0.00000000 Rectron USA - - - Tablett Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg 4 Quadratmeter, MP-15 Standard MP-15 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-mp154W Ear99 8541.10.0080 1.000 1,05 V @ 7,5 a 500 NA @ 400 V 15 a Einphase 400 V
JANTX1N3821D-1 Microchip Technology JantX1N3821D-1 27.4650
RFQ
 ECAD 6020 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/115 Schüttgut Aktiv ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C. K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1N3821 1 w Do-41 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,2 V @ 200 Ma 100 µa @ 1 V 3.3 v 10 Ohm
SA265 Diotec Semiconductor SA265 0,2415
RFQ
 ECAD 8386 0.00000000 DITEC -halbleiter - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-213ab, Melf Standard Melf Do-213ab Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2796-SA265TR 8541.10.0000 5.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 2000 v 1,8 V @ 2 a 500 ns 5 µA @ 2000 V -50 ° C ~ 175 ° C. 2a - - -
BZX84-C16/DG/B3215 NXP USA Inc. BZX84-C16/DG/B3215 0,0200
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0050 15.000
RS1MB-13-F Diodes Incorporated RS1MB-13-F 0,4300
RFQ
 ECAD 622 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB RS1M Standard SMB Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1000 v 1,3 V @ 1 a 500 ns 5 µA @ 1000 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1a 15PF @ 4V, 1 MHz
JAN1N3909R Microchip Technology Jan1n3909r - - -
RFQ
 ECAD 3655 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/308 Schüttgut Aktiv Bolzenhalterung DO-203AB, DO-5, Stud 1N3909 Standard DO-203AB (DO-5) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 50 v 1,4 V @ 50 a 150 ns 15 µa @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C. 50a - - -
NSR0320MW2T1G onsemi NSR0320MW2T1G 0,3600
RFQ
 ECAD 4122 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-76, SOD-323 NSR0320 Schottky SOD-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 20 v 500 MV @ 900 Ma 50 µa @ 15 V -55 ° C ~ 125 ° C. 1a 29pf @ 5v, 1 MHz
GBU6JL-5303M3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU6JL-5303M3/45 - - -
RFQ
 ECAD 7113 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-SIP, GBU GBU6 Standard GBU - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 1 1 V @ 6 a 5 µa @ 600 V 3.8 a Einphase 600 V
CD5537B Microchip Technology CD5537B 2.0349
RFQ
 ECAD 8776 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Sterben 500 MW Sterben Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-CD5537b Ear99 8541.10.0050 1 1,5 V @ 200 Ma 10 NA @ 15.3 V. 17 v 100 Ohm
MT1512A Yangjie Technology MT1512A 3.7270
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Yangjie -technologie - - - Schüttgut Aktiv - - - ROHS -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 4617-mt1512a Ear99 50
MBR60030CTRL GeneSiC Semiconductor MBR60030Ctrl - - -
RFQ
 ECAD 7697 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Twin Tower Schottky Twin Tower - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 30 v 300a 580 mv @ 300 a 3 ma @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C.
DDZ3V6BSF-7 Diodes Incorporated Ddz3v6bsf-7 0,2100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 3% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SC-90, SOD-323F Ddz3v6 500 MW SOD-323F Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 10 µa @ 1 V 3.72 V 130 Ohm
NSR20305NXT5G onsemi NSR20305NXT5G - - -
RFQ
 ECAD 9310 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 488-NSR20305NXT5G Ear99 8541.10.0080 1
BZX85C20 R0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C20 R0G 0,0645
RFQ
 ECAD 4911 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch Do-204Al, Do-41, axial BZX85 1,3 w DO-204AL (DO-41) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 5.000 1,2 V @ 10 mA 500 NA @ 15 V. 20 v 24 Ohm
KBU1005G T0G Taiwan Semiconductor Corporation KBU1005G T0G - - -
RFQ
 ECAD 8116 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Tablett Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-SIP, KBU Standard KBU Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen KBU1005GT0G Ear99 8541.10.0080 500 1,1 V @ 10 a 5 µa @ 600 V 10 a Einphase 600 V
BYG21M/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYG21M/54 - - -
RFQ
 ECAD 3000 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA BYG21 Lawine Do-214AC (SMA) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1.500 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1000 v 1,6 V @ 1,5 a 120 ns 1 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1,5a - - -
DBLS205GH Taiwan Semiconductor Corporation DBLS205GH 0,3192
RFQ
 ECAD 2896 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel DBLS205 Standard DBLS Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1.500 1,15 V @ 2 a 2 µa @ 600 V 2 a Einphase 600 V
JANTXV1N4124UR-1 Microchip Technology Jantxv1n4124ur-1 11.2500
RFQ
 ECAD 3708 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/435 Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213AA (GLAS) 1N4124 500 MW Do-213aa Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 10 NA @ 32.7 V. 43 v 250 Ohm
SMBG4741CE3/TR13 Microsemi Corporation SMBG4741CE3/TR13 - - -
RFQ
 ECAD 9585 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung DO-215AA, SMB Möwenflügel SMBG4741 2 w SMBG (Do-215AA) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 200 Ma 5 µa @ 8,4 V 11 v 8 Ohm
MMBD717W_R1_00001 Panjit International Inc. MMBD717W_R1_00001 0,0216
RFQ
 ECAD 4620 0.00000000 Panjit International Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 MMBD717 Schottky SOT-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.252.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 20 v 370 mv @ 1 mA 1 µa @ 10 V -55 ° C ~ 150 ° C. 200 ma 2.5PF @ 0V, 1 MHz
JAN1N4461D Microchip Technology Jan1N4461d 25.4550
RFQ
 ECAD 2087 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/406 Schüttgut Aktiv ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C. K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1N4461 1,5 w Do-41 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 200 Ma 5 µA @ 4,08 V. 6,8 v 2,5 Ohm
1SMA5946 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5946 0,0944
RFQ
 ECAD 9751 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA 1SMA5946 1,5 w Do-214AC (SMA) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 7.500 500 NA @ 56 V 75 V 140 Ohm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

RFQ -Liste (0 Elemente)
Wagenliste (0 Elemente)
WishlistWunschliste (0 Elemente)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

Menge: 1

Vergleichen Sie die Liste (0 Elemente)
Drücken Sie die Eingabetaste, um zu suchen oder ESC zu schließen