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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Strom - Max | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Ausfluss @ if, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CD1A50 | 6.9000 | ![]() | 9732 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/586 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Sterben | Schottky | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-CD1A50 | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 600 mv @ 1 a | 100 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | - - - | ||||||||||||||||
Jan1n4973us/tr | 7.4746 | ![]() | 5867 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 5 w | D-5b | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1n4973us/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µA @ 32,7 V. | 43 v | 20 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | NSR0340V2T5G | 0,4300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | NSR0340 | Schottky | SOD-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 8.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 510 MV @ 200 Ma | 5 ns | 6 µa @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 250 Ma | 6PF @ 10V, 1 MHz | ||||||||||||||
![]() | BAT721S_R1_00001 | 0,2100 | ![]() | 183 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bat721 | Schottky | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Serie Verbindung | 40 v | 200 Ma (DC) | 550 MV @ 200 Ma | 15 µa @ 30 V | 125 ° C. | |||||||||||||||
Rs1glw | 0,3900 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123W | RS1G | Standard | SOD-123W | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - - - | |||||||||||||||
PG300R_R2_00001 | 0,0810 | ![]() | 2760 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | PG300 | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 60.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,3 V @ 3 a | 150 ns | 1 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 60pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||||
![]() | BZX58550-C2V0X | 0,3500 | ![]() | 5835 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | 300 MW | SOD-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 7 µa @ 1 V | 2 v | 100 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | 1PGSMB5937H | 0,1798 | ![]() | 6809 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotive, AEC-Q101, 1PGSMB59 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | 3 w | Do-214AA (SMB) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µA @ 25,1 V. | 33 v | 33 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | HSMS-8202-TR1G | - - - | ![]() | 5213 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | HSMS-8202 | SOT-23-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 75 MW | 0,26PF @ 0V, 1 MHz | Schottky - 1 Paar Serie Verbindung | 4V | 14ohm @ 5ma, 1 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | ZM4744a | 0,0830 | ![]() | 9893 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | ZM4744 | 1 w | Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-Zm4744atr | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 5 µa @ 11,4 V | 15 v | 14 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | ES3B R6 | - - - | ![]() | 6583 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Standard | Do-214AB (SMC) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-ES3BR6TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 950 mv @ 3 a | 35 ns | 10 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 45PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||
![]() | 1N2277 | 74.5200 | ![]() | 6559 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | Standard | DO-5 (DO-203AB) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n2277 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 500 V | 1,19 V @ 90 a | 5 µs | 50 µa @ 500 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 6a | - - - | ||||||||||||||||
![]() | MGS903 | 33.4860 | ![]() | 275 | 0.00000000 | Macom Technology Solutions | MGS9XX | Tablett | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C. | GB310 | MGS9 | GB310 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 1465-mgs903 | Ear99 | 8541.10.0070 | 25 | 50 ma | 75 MW | 0,06PF @ 0V, 1 MHz | Schottky - 1 Paar Serie Verbindung | 5 V (min) | 7ohm @ 5ma, 1 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | Mm3z47vt1g | 0,0300 | ![]() | 64 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Verkäfer undefiniert | UnberÜHrt Ereichen | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
BZX84B18-E3-18 | 0,0324 | ![]() | 3588 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Bzx84 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BZX84B18 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 50 NA @ 12,6 V. | 18 v | 45 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | BZV55C7V5 | 2.9400 | ![]() | 2204 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 6% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | BZV55C7V5 | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 1 µa @ 5 V | 7,5 v | ||||||||||||||||||
![]() | Jan1N4983us | - - - | ![]() | 7847 | 0.00000000 | Semtech Corporation | MIL-PRF-19500/356 | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf | 1N4983 | 5 w | - - - | Herunterladen | Jan1N4983Uss | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 83,6 V | 110 v | 125 Ohm | |||||||||||||||||||
![]() | SS36A | 0,0460 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-SS36ATR | Ear99 | 5.000 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | V3pm63-m3/h | 0,4600 | ![]() | 8577 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, TMBS® | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-220aa | V3PM63 | Schottky | DO-220AA (SMP) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 650 mv @ 3 a | 10 µa @ 60 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 420pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||
![]() | UGF2004GH | 0,6996 | ![]() | 6077 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | UGF2004 | Standard | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-UGF2004GH | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 20a | 950 mv @ 10 a | 20 ns | 5 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||||||
![]() | RD10F-T6 | 0,2200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1n4994us/tr | - - - | ![]() | 4878 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/356 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 5 w | E-Melf | Herunterladen | 150-Jan1n4994us/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µa @ 251 V | 330 V | 1175 Ohm | |||||||||||||||||||
Jan1N5532C-1 | 14.1300 | ![]() | 8060 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5532 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 50 na @ 10.8 V | 12 v | 90 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | 1N5340/TR12 | 2.6250 | ![]() | 3083 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | T-18, axial | 1N5340 | 5 w | T-18 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 1 µa @ 3 V | 6 v | 1 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | JANS1N6874UTK2AS/Tr | 608.5500 | ![]() | 6959 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1N6874UTK2AS/Tr | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB400VYM-50FHTR | 0,4300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 2-smd, Flaches Blei | RB400 | Schottky | Tumd2m | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 550 MV @ 500 mA | 7.35 ns | 50 µa @ 30 V | 150 ° C (max) | 500 mA | 130pf @ 0v, 1 MHz | ||||||||||||||
![]() | 1SS385, LF (ct | 0,3500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | 1SS385 | Schottky | SSM | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 10 v | 500 mV @ 100 mA | 20 µa @ 10 V | 125 ° C (max) | 100 ma | 20pf @ 0v, 1 MHz | ||||||||||||||||
![]() | NRVTS860EMFST3G | - - - | ![]() | 3250 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | NRVTS860 | - - - | 488-NRVTS860EMFST3G | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRB10100CT | 0,3100 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Schottky | D2pak | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-mbrb10100cttr | Ear99 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 10a | 850 mv @ 5 a | 10 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||
MMBZ4623-E3-08 | - - - | ![]() | 4686 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBZ4623 | 350 MW | SOT-23-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 4 µa @ 2 V. | 4.3 v | 1600 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus