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Dioden (166326)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT)
SMAZ5944B-M3/61 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMAZ5944B-M3/61 0,1063
RFQ
 ECAD 4680 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA SMAZ5944 500 MW Do-214AC (SMA) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1.800 1,5 V @ 200 Ma 1 µA @ 47,1 V 62 v 100 Ohm
1N4733AURE3/TR Microchip Technology 1N4733Aure3/Tr 3.8400
RFQ
 ECAD 7760 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213ab, Melf (GLAS) 1 w Do-213AB (Melf, LL41) - - - Ear99 8541.10.0050 258 1,2 V @ 200 Ma 10 µa @ 1 V 5.1 v 7 Ohm
SBL3045CTP Diodes Incorporated SBL3045CTP - - -
RFQ
 ECAD 8192 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Veraltet K. Loch To-220-3 isolierte RegisterKarte SBL3045 Schottky Ito-220s Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen SBL3045CTPDI Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 45 V 15a 620 mv @ 15 a 1 ma @ 45 v -65 ° C ~ 150 ° C.
SMBJ5338B-TP-HF Micro Commercial Co SMBJ5338B-TP-HF - - -
RFQ
 ECAD 8338 0.00000000 Micro Commercial co - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB SMBJ5338 5 w Do-214AA (SMB) Herunterladen 353-smbj5338b-tp-hf Ear99 8541.10.0050 1 1,2 V @ 1 mA 1 µa @ 1 V 5.1 v 1,5 Ohm
DZ23C2V7-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DZ23C2V7-HE3-18 0,0436
RFQ
 ECAD 5525 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automobil, AEC-Q101, DZ23 Band & Rollen (TR) Lets Kaufen ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DZ23 300 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000 1 Paar Gemeinsamer Kathode 2,7 v 83 Ohm
DSS10-0045A IXYS DSS10-0045a - - -
RFQ
 ECAD 4196 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv K. Loch To-220-2 DSS10 Schottky To-220ac Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 45 V 680 mv @ 10 a 300 µa @ 45 V -55 ° C ~ 175 ° C. 10a - - -
SRAS860 MNG Taiwan Semiconductor Corporation Sras860 mng - - -
RFQ
 ECAD 5931 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab SRAS860 Schottky To-263ab (d²pak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 800 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 60 v 700 mv @ 8 a 100 µa @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C. 8a - - -
DZ23C16-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DZ23C16-HE3_A-18 - - -
RFQ
 ECAD 6807 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automobil, AEC-Q101, DZ23 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 300 MW SOT-23-3 Herunterladen 112-DZ23C16-HE3_A-18TR Ear99 8541.10.0050 1 1 Paar Gemeinsamer Kathode 100 Na @ 12 V. 16 v 13 Ohm
BZX84B15W Yangjie Technology BZX84B15W 0,0180
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 Yangjie -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - ROHS -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 4617-BZX84B15WTR Ear99 3.000
BZD17C27P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C27P R3G - - -
RFQ
 ECAD 1646 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 7,03% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Do-219AB BZD17 800 MW Sub SMA Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1.800 1,2 V @ 200 Ma 1 µa @ 20 V 27 v 15 Ohm
SS210A HY Electronic (Cayman) Limited SS210A 0,0550
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Hy Electronic (Cayman) Limited Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA Schottky SMA Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen 4024-SS210ATR Ear99 8541.10.0080 5.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 100 v 850 mV @ 2 a 1 ma @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C. 2a 200pf @ 4v, 1 MHz
SML4740A-E3/5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4740A-E3/5A 0,5000
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% 150 ° C. Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA SML4740 1 w Do-214AC (SMA) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 7.500 10 µa @ 7,6 V 10 v 7 Ohm
JANTX1N4135-1 Microchip Technology JantX1N4135-1 - - -
RFQ
 ECAD 7733 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/435 Schüttgut Abgebrochen bei Sic ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 10 na @ 76 v 100 v 1600 Ohm
FR70G05 GeneSiC Semiconductor FR70G05 17.5905
RFQ
 ECAD 3917 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis, Stollenberg DO-203AB, DO-5, Stud Standard Do-5 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) FR70G05GN Ear99 8541.10.0080 100 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 400 V 1,4 V @ 70 a 500 ns 25 µa @ 100 V -40 ° C ~ 125 ° C. 70a - - -
JANS1N4125C-1/TR Microchip Technology JANS1N4125C-1/Tr 63.1902
RFQ
 ECAD 4750 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/435 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jans1N4125C-1/Tr Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 10 NA @ 35.8 V. 47 v 250 Ohm
CDLL4704/TR Microchip Technology CDLL4704/Tr 3.0989
RFQ
 ECAD 7338 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213ab, Melf 500 MW Do-213ab Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-cdll4704/tr Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 50 NA @ 12,9 V. 17 v
RD43E-T1 Renesas Electronics America Inc RD43E-T1 0,0600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Renesas Electronics America Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0050 6.000
S8MC R6 Taiwan Semiconductor Corporation S8MC R6 - - -
RFQ
 ECAD 4453 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung Do-214AB, SMC Standard Do-214AB (SMC) - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 1801-s8mcr6tr Ear99 8541.10.0080 3.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1000 v 985 mv @ 8 a 10 µa @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C. 8a 48PF @ 4V, 1 MHz
SK510C R6 Taiwan Semiconductor Corporation SK510C R6 - - -
RFQ
 ECAD 3863 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung Do-214AB, SMC Schottky Do-214AB (SMC) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 1801-sk510cr6tr Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 100 v 850 mv @ 5 a 300 µa @ 100 V. -55 ° C ~ 150 ° C. 5a - - -
SS33-E3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS33-E3/9AT 0,6000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-214AB, SMC SS33 Schottky Do-214AB (SMC) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3.500 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 30 v 500 mV @ 3 a 500 µa @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C. 3a - - -
JANS1N6348 Microchip Technology JANS1N6348 140.1300
RFQ
 ECAD 9427 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/533 Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jans1N6348 Ear99 8541.10.0050 1 1,4 V @ 1 a 50 na @ 76 V 100 v 340 Ohm
MMSZ4695-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4695-E3-08 0,2700
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% - - - Oberflächenhalterung SOD-123 MMSZ4695 500 MW SOD-123 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1 µa @ 6,6 V 8,7 v
BZX84J-B16,115 Nexperia USA Inc. BZX84J-B16,115 0,3600
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-90, SOD-323F BZX84J-B16 550 MW SOD-323F Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,1 V @ 100 mA 50 NA @ 11.2 V. 16 v 20 Ohm
MMSZ5256CT1G onsemi MMSZ5256CT1G - - -
RFQ
 ECAD 3458 0.00000000 Onsemi MMSZ52XXXT1G Band & Rollen (TR) Veraltet ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SOD-123 MMSZ525 500 MW SOD-123 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 100 na @ 23 v 30 v 49 Ohm
TSZL52C7V5-F0 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSZL52C7V5-F0 RWG - - -
RFQ
 ECAD 2681 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 1005 (2512 Metrik) 200 MW 1005 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 1801-TSZL52C7V5-F0RWGTR Ear99 8541.10.0050 4.000 900 mv @ 10 mA 100 na @ 5 v 7,5 v 7 Ohm
JANTX1N748AUR-1 Microchip Technology JantX1N748AUR-1 4.7100
RFQ
 ECAD 1424 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/127 Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213aa 1N748 500 MW Do-213aa Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 2 µa @ 1 V 3,9 v 20 Ohm
MBR790 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR790 C0G - - -
RFQ
 ECAD 7322 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Rohr Aktiv K. Loch To-220-2 MBR790 Schottky To-220ac Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 90 v 920 MV @ 7,5 a 100 µa @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C. 7.5a - - -
NRVB860MFST1G onsemi NRVB860MFST1G 0,9400
RFQ
 ECAD 6400 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Lets Kaufen Oberflächenhalterung 8-Powertdfn, 5 Leads NRVB860 Schottky 5-DFN (5x6) (8-SoFL) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1.500 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 60 v 800 mv @ 8 a 150 µa @ 60 V -55 ° C ~ 175 ° C. 8a - - -
AZ23C9V1-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23C9V1-HE3_A-08 - - -
RFQ
 ECAD 2590 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automobil, AEC-Q101, AZ23 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 300 MW SOT-23-3 Herunterladen 112-AZ23C9V1-HE3_A-08TR Ear99 8541.10.0050 1 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 500 na @ 6 v 9.1 v 15 Ohm
VS-C5PH3012L-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-C5PH3012L-N3 3.2500
RFQ
 ECAD 713 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Fred Pt® Rohr Aktiv K. Loch To-247-3 C5PH3012 Standard To-247ad Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 112-VS-C5PH3012L-N3 Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1200 V 2,5 V @ 15 a 95 ns 50 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C.
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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