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Dioden (166326)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Strom - Max | Leistungsdissipation (max) | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Ausfluss @ if, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZT52B16-E3-08 | 0,3100 |  | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZT52 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BZT52B16 | 410 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 Na @ 12 V. | 16 v | 13 Ohm | |||||||||||||||
 | RHRU50100 | 3.2300 | | 280 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | To-218-1 | Lawine | To-218 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 3 V @ 50 a | 95 ns | 500 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 50a | - - - | |||||||||||||
 | BZT55B20-GS08 | 0,0433 | | 9088 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZT55 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-80-Variale | BZT55B20 | 500 MW | SOD-80 Quadromelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.500 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 na @ 15 V | 20 v | 55 Ohm | ||||||||||||||
 | MBR7100 C0G | - - - | | 1766 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | MBR7100 | Schottky | To-220ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 920 MV @ 7,5 a | 100 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 7.5a | - - - | |||||||||||||
 | CZRT55C10-G | 0,0620 | | 1293 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | CZRT55 | 350 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 200 na @ 7 V | 10 v | 20 Ohm | ||||||||||||||
 | MMBZ5228BV_R1_00001 | 0,0189 | | 7436 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | MMBZ5228 | 200 MW | SOD-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.250.000 | 10 µa @ 1 V | 3,9 v | 23 Ohm | |||||||||||||||
 | 1PS66SB17,115 | 1.0000 | | 1033 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | * | Schüttgut | Aktiv | 1PS66 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-1ps66SB17,115-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
 | MBRB1045CTS | 0,2710 | | 100 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Schottky | To-263 | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-MBRB1045CTSSTR | Ear99 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 650 mv @ 5 a | 200 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - - - | |||||||||||||||
 | SMP1340-074LF | - - - | | 8862 | 0.00000000 | Skyworks Solutions Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TA) | SC-70, SOT-323 | SMP1340-074 | SC-70-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 250 MW | 0,3PF @ 5V, 1 MHz | Pin - 1 Paar Gemeinsame Kathode | 50V | 1,2OHM @ 10 mA, 100 MHz | |||||||||||||||||
 | 1S2836 (0) -T1B -A | 0,1500 | | 63 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | 1S2836 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||
 | SK110-TP (SMBSR1010) | - - - | | 2298 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SK110 | Schottky | Do-214aa, Hsmb | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 850 mV @ 1 a | 500 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | 30pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||
 | 1N5951B3P-TP | 0,1102 | | 9367 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N5951 | 3 w | Do-41 | Herunterladen | 353-1n5951b3p-tp | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 91,2 V. | 120 v | 380 Ohm | ||||||||||||||||
 | CDLL5256D | 8.4150 | | 6786 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 10 MW | Do-213aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll5256d | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 na @ 23 v | 30 v | 49 Ohm | ||||||||||||||||
| JANS1N4618CUR-1 | 165.5850 | | 1286 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 na @ 1 v | 2,7 v | 1500 Ohm | ||||||||||||||||
 | SFAF1008GHC0G | - - - | | 7304 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 Full Pack | SFAF1008 | Standard | ITO-220AC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,7 V @ 10 a | 35 ns | 10 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | 140pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||
 | SS13L RQG | - - - | | 6504 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | SS13 | Schottky | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 500 mV @ 1 a | 400 µa @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | - - - | |||||||||||||
 | Mm5z16v | - - - | | 3552 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 6% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523F | MM5Z1 | 200 MW | SOD-523F | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 8.000 | 50 NA @ 11.2 V. | 16 v | 40 Ohm | ||||||||||||||||
 | SS3P6-E3/85A | - - - | | 5234 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-220aa | SS3P6 | Schottky | DO-220AA (SMP) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 780 mv @ 3 a | 100 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 80pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||
 | 1N4004GP-M3/73 | - - - | | 8701 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4004 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,1 V @ 1 a | 5 µa @ 400 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||
 | 2EZ39D10E3/TR12 | - - - | | 8384 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 2EZ39 | 2 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 NA @ 29.7 V. | 39 v | 30 Ohm | ||||||||||||||
 | BZX79-B8V2,113 | 0,2100 | | 10 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | BZX79-B8V2 | 400 MW | ALF2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 900 mv @ 10 mA | 700 NA @ 5 V. | 8.2 v | 15 Ohm | ||||||||||||||
 | BZX84C6V2LT116 | 0,2300 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | ± 6,45% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bzx84 | 250 MW | SSD3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 3 µa @ 4 V. | 6.2 v | 10 Ohm | |||||||||||||||
 | BZT52C6V2K | 0,0474 | | 2052 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | BZT52C | 200 MW | SOD-523F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BZT52C6V2KTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1 µa @ 3 V | 6.2 v | 10 Ohm | |||||||||||||||
 | CZRW4692-G | - - - | | 9379 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | 350 MW | SOD-123 | Herunterladen | 641-CZRW4692-GTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 10 µa @ 5,1 V | 6,8 v | ||||||||||||||||||
 | SK29a | 0,3100 | | 14 | 0.00000000 | Guten Halbler | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | Schottky | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 90 v | 850 mV @ 2 a | 100 µa @ 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 200pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||||
 | MA4E1338A1-1146T | 1.4900 | | 2 | 0.00000000 | Macom Technology Solutions | MA4E1338 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | SC-70, SOT-323 | MA4E1338 | SOT-323 | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0060 | 3.000 | 30 ma | 250 MW | 1pf @ 0v, 1 MHz | Schottky - Single | 8v | - - - | |||||||||||||||||
 | MMBZ5240B-G3-08 | - - - | | 8077 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBZ5240 | 225 MW | SOT-23-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 3 µa @ 8 V | 10 v | 17 Ohm | |||||||||||||||
 | B360B-13-G | - - - | | 4489 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | B360 | Schottky | SMB | - - - | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 700 mv @ 3 a | 500 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 200pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||||
 | SMZG3788B-E3/52 | 0,2511 | | 5192 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | DO-215AA, SMB Möwenflügel | SMZG3788 | 1,5 w | SMBG (Do-215AA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 750 | 50 µa @ 7 V | 9.1 v | 4 Ohm | |||||||||||||||
 | 1N3323 | 8.5000 | | 50 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - - - | Kasten | Aktiv | ± 20% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N3323 | 50 w | Do-5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 2383-1n3323 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 1,5 V @ 10 a | 27 v | 2,8 Ohm |
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