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Dioden (166326)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Strom - Max | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Ausfluss @ if, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZX384B6V8-HE3-08 | 0,0378 |  | 8042 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZX384 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BZX384B6V8 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 2 µa @ 4 V. | 6,8 v | 15 Ohm | |||||||||||||||||
 | JantX1N4946/Tr | 11.2650 | | 9023 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/359 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | A, axial | Standard | A, axial | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n4946/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,3 V @ 1 a | 250 ns | 1 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - - - | |||||||||||||||
 | EDZUCTE619.1B | - - - | | 7909 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | EDZ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | EDZUCT | 100 MW | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 846-EDZUCTE619.1BTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||
 | BZT52B27 | 0,1500 | | 1681 | 0.00000000 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 3.000 | 1 V @ 10 mA | 100 na @ 20 V | 27 v | 80 Ohm | ||||||||||||||||||
 | V15KM150CHM3/H | 0,4737 | | 8219 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | Schottky | Flatpak (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 112-V15KM150CHM3/HTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 150 v | 3.7a | 1,08 V @ 7,5 a | 300 µA @ 150 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||||||||
 | 1 PMT5915C/TR7 | - - - | | 6731 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.5915 | 3 w | Do-216aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 25 µa @ 1 V | 3,9 v | 7,5 Ohm | ||||||||||||||||
 | JANS1N4958 | 103.9500 | | 7010 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | B, axial | 5 w | B, axial | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 25 µa @ 7,6 V | 10 v | 2 Ohm | |||||||||||||||||||
| Jantxv1n2820b | - - - | | 2337 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/114 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-204ad | 1N2820 | 10 w | To-204ad (to-3) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 2 a | 10 µA @ 18,2 V. | 24 v | 2,6 Ohm | |||||||||||||||||
 | RS3G-E3/9AT | 0,6600 | | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | RS3G | Standard | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,3 V @ 2,5 a | 150 ns | 10 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 44PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||
 | SB550-T | 0,2960 | | 8727 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | SB550 | Schottky | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 670 mv @ 5 a | 500 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - - - | |||||||||||||||
| VUBM33-05P1 | - - - | | 3207 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Kasten | Veraltet | - - - | Chassis -berg | Öko-PAC2 | Standard | Öko-PAC2 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 1,1 V @ 25 a | 20 µA @ 500 V | DRIPHASE | 600 V | |||||||||||||||||||
 | 1n2999r | 6.5000 | | 10 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - - - | Kasten | Aktiv | ± 20% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | 1N2999 | 10 w | Do-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 2383-1n2999r | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 1,5 V @ 2 a | 56 v | 16 Ohm | ||||||||||||||||
| Scnar10 | - - - | | 3633 | 0.00000000 | Semtech Corporation | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | Modul | SCNA | - - - | - - - | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | - - - | 1000 v | 22.5a | 1 V @ 9 a | 2 µs | 3 µa @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||
 | SURA8240T3G | - - - | | 9356 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | Sura8240 | Standard | SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,3 V @ 2 a | 65 ns | 5 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 2a | - - - | ||||||||||||||
 | TZX24X-TAP | 0,2200 | | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, TZX | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | TZX24 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 1 µa @ 19 V | 24 v | 70 Ohm | ||||||||||||||||
| CDS759AUR-1/Tr | - - - | | 8081 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-CDS759AUR-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N4002-N-2-4-AP | - - - | | 7881 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4002 | Standard | Do-41 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 1N4002-N-2-4-APMS | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1 V @ 1 a | 5 µa @ 100 V. | - - - | 1a | - - - | |||||||||||||||
 | BZD27C62P RQG | - - - | | 9652 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6,45% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27 | 1 w | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 47 V | 62 v | 80 Ohm | ||||||||||||||||
 | 1N4758a | 0,2900 | | 2 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4758 | 1 w | Do-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 5 µA @ 42,6 V. | 56 v | 110 Ohm | |||||||||||||||||
 | SMAJ5934E3/TR13 | 0,6450 | | 9480 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SMAJ5934 | 3 w | Do-214AC (SMAJ) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 18,2 V. | 24 v | 19 Ohm | ||||||||||||||||
 | BAR65-02VH6327 | - - - | | 4071 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | SC-79, SOD-523 | PG-SC79-2-1 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 4.000 | 100 ma | 250 MW | 0,8PF @ 3V, 1 MHz | Pin - Single | 30V | 900mohm @ 10 mA, 100 MHz | ||||||||||||||||||
 | RSX101M-30TR | 0,1094 | | 6611 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SOD-123F | RSX101 | Schottky | PMDU | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 390 mv @ 1 a | 200 µA @ 30 V. | 150 ° C (max) | 1a | 60pf @ 10v, 1 MHz | |||||||||||||||
| Hzm5.1nb2tl-e | 0,1600 | | 44 | 0.00000000 | Renesas | - - - | Schüttgut | Veraltet | ± 2,16% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 200 MW | 3-mpak | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 2156-Hzm5.1nb2tl-e | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 5 µa @ 1,5 V | 5.09 v | 130 Ohm | ||||||||||||||||||
| JANS1N4971 | 80.1900 | | 7418 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | B, axial | 5 w | B, axial | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µA @ 27,4 V. | 36 v | 11 Ohm | |||||||||||||||||||
 | 1N5734B | - - - | | 7415 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5734 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 1 µa @ 5 V | 8.2 v | 15 Ohm | ||||||||||||||||
 | GBPC15005W | - - - | | 2776 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Tablett | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4 Quadratmeter, gbpc-w | GBPC15005 | Standard | Gbpc-w | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | GBPC15005WDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,1 V @ 7,5 a | 5 µa @ 50 V | 15 a | Einphase | 50 v | |||||||||||||||
| 13.5933BT1 | - - - | | 8990 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.5933 | 3.2 w | PowerMite | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1PMT5933BT1OS | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,25 V @ 200 Ma | 1 µA @ 16,7 V | 22 v | 17,5 Ohm | |||||||||||||||
 | CD214B-B160LF | - - - | | 7027 | 0.00000000 | Bourns Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | CD214B | Schottky | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 700 mv @ 1 a | 500 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 110PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||
| EL 1ZV0 | - - - | | 3469 | 0.00000000 | Sanken | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | Axial | El 1 | Standard | - - - | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 980 mv @ 1,5 a | 50 ns | 50 µa @ 200 V. | -40 ° C ~ 150 ° C. | 1,5a | - - - | |||||||||||||||
 | AU02ZV1 | 0,8600 | | 86 | 0.00000000 | Sanken | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | Axial | AU02 | Standard | Axial | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,3 V @ 800 mA | 400 ns | 10 µA @ 200 V. | -40 ° C ~ 150 ° C. | 800 mA | - - - |
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