SIC
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Dioden (166326)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit Strom - Max Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Ausfluss @ if, f Kapazitätsverhöltnis Kapazitätsverhöltnis Q @ vr, f
GBL01-M3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBL01-M3/45 0,8804
RFQ
 ECAD 9932 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-sip, gbl Gbl01 Standard Gbl Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 2.000 1,1 V @ 4 a 5 µa @ 100 V. 4 a Einphase 100 v
BZV55-B3V0,115 Nexperia USA Inc. BZV55-B3V0,115 0,3000
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Nexperia USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C. Oberflächenhalterung Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55-B3V0 500 MW Llds; Minimelf Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 2.500 900 mv @ 10 mA 10 µa @ 1 V 3 v 95 Ohm
G2SB60-M3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G2SB60-M3/45 - - -
RFQ
 ECAD 5958 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-sip, gbl G2SB60 Standard Gbl Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 2.000 1 V @ 750 mA 5 µa @ 200 V. 1,5 a Einphase 600 V
MA4P604-131 MACOM Technology Solutions MA4P604-131 10.8327
RFQ
 ECAD 4188 0.00000000 Macom Technology Solutions - - - Schüttgut Aktiv 175 ° C (TJ) Sterben MA4P604 Sterben Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1465-1044 Ear99 8541.10.0060 100 0,3PF @ 100V, 1 MHz Pin - Single 1000V 1ohm @ 100 mA, 100 MHz
MBRF15150CT-Y Taiwan Semiconductor Corporation MBRF15150CT-y 0,4632
RFQ
 ECAD 1477 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Rohr Aktiv K. Loch To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte MBRF15150 Schottky ITO-220AB Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 1801-mbrf15150ct-y Ear99 8541.10.0080 1.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 150 v 15a 950 mv @ 15 a 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C.
3EZ82D2E3/TR8 Microsemi Corporation 3EZ82D2E3/TR8 - - -
RFQ
 ECAD 7831 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C. K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 3EZ82 3 w DO-204AL (DO-41) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1.500 1,2 V @ 200 Ma 500 NA @ 62.2 V. 82 v 95 Ohm
DB157S Yangjie Technology Db157s 0,1120
RFQ
 ECAD 150 0.00000000 Yangjie -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - ROHS -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 4617-db157str Ear99 1.500
1N4699-TP Micro Commercial Co 1N4699-TP - - -
RFQ
 ECAD 5949 0.00000000 Micro Commercial co - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 5% 200 ° C (TJ) K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 1N4699 500 MW Do-35 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0050 10.000 1,5 V @ 100 mA 50 NA @ 9.1 V. 12 v
MMBZ5228BLT3 onsemi MMBZ5228BLT3 0,0200
RFQ
 ECAD 90 0.00000000 Onsemi * Schüttgut Aktiv Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0050 10.000
BZX84C11-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C11-E3-08 0,2300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Bzx84 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BZX84C11 300 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 100 na @ 8 v 11 v 20 Ohm
1SMB5946B-13 Diodes Incorporated 1SMB5946B-13 0,4600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB 1SMB5946 3 w SMB Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,5 V @ 200 Ma 1 µA @ 56 V 75 V 140 Ohm
V40100G-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division V40100G-E3/45 - - -
RFQ
 ECAD 7288 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division TMBS® Rohr Veraltet K. Loch To-220-3 V40100 Schottky To-220-3 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 100 v 20a 810 mv @ 20 a 500 µa @ 100 V. -40 ° C ~ 150 ° C.
JANTX1N6313CUS/TR Microchip Technology JantX1N6313CUS/Tr 44.6250
RFQ
 ECAD 5526 0.00000000 Mikrochip -technologie MIL-PRF-19500/533 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SQ-Melf, b 500 MW B, SQ-Melf - - - 150-JantX1N6313CUS/Tr Ear99 8541.10.0050 100 1,4 V @ 1 a 3 µa @ 1 V 3.6 V 25 Ohm
MPP4206-206 Microchip Technology MPP4206-206 3.6000
RFQ
 ECAD 2547 0.00000000 Mikrochip -technologie Gigamite® Tablett Aktiv - - - 0402 (1005 Metrik) MPP4206 0402 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 150-MPP4206-206 Ear99 8541.10.0070 100 0,15PF @ 10V, 1 MHz Pin - Single 200V 2,5 Ohm bei 10 Ma, 100 MHz
BZV49-C18,115 Nexperia USA Inc. BZv49-C18,115 0,6300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-243aa BZv49-C18 1 w SOT-89 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1.000 1 V @ 50 Ma 50 NA @ 12,6 V. 18 v 45 Ohm
1N5711 NTE Electronics, Inc 1N5711 0,4000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 NTE Electronics, Inc - - - Tasche Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Do-204AH, Do-35, axial - - - Herunterladen Rohs Nick Konform 2368-1n5711 Ear99 8541.10.0070 1 15 Ma 250 MW 2PF @ 0V, 1MHz Schottky - Single 70V - - -
BAS316Q Yangjie Technology Bas316Q 0,0180
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 Yangjie -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - ROHS -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 4617-Bas316qtr Ear99 3.000
JANHCA1N914 Microchip Technology Janhca1n914 5.2402
RFQ
 ECAD 3240 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/116 Band & Rollen (TR) Aktiv K. Loch Do-204AH, Do-35, axial Standard DO-35 (Do-204AH) - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Janhca1n914 Ear99 8541.10.0070 1 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 75 V 1,2 V @ 50 Ma 5 ns 500 NA @ 75 V -65 ° C ~ 175 ° C. 200 ma 4PF @ 0V, 1MHz
SVC203C-TB-E onsemi SVC203C-TB-E - - -
RFQ
 ECAD 6608 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 125 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 SVC203 3-CP - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 13.4PF @ 9V, 1 MHz 1 Paar Gemeinsamer Kathode 16 v 4.6 C1/C9 60 @ 3V, 100 MHz
DZ3S062D0L Panasonic Electronic Components DZ3S062D0L - - -
RFQ
 ECAD 8707 0.00000000 Panasonische Elektronische Komponenten - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic - - - - - - Oberflächenhalterung SC-89, SOT-490 DZ3S062 150 MW Ssmini3-f3-b - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0050 3.000 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 1 V @ 10 mA 200 na @ 4 v 6.2 v 50 Ohm
MA4P7433-287T MACOM Technology Solutions MA4P7433-287T 1.5500
RFQ
 ECAD 198 0.00000000 Macom Technology Solutions SMPP Band & Rollen (TR) Aktiv 175 ° C (TJ) To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MA4P7433 SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0060 3.000 150 Ma 250 MW 0,35PF @ 20V, 1 MHz Pin - Single 75 V 1,5OHM @ 10 mA, 100 MHz
CD214A-RS1G Bourns Inc. CD214A-RS1G 0,0798
RFQ
 ECAD 9804 0.00000000 Bourns Inc. CD214A-RS1X Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 2-smd, Keine Frotung CD214a Standard 2-smd Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 400 V 1,3 V @ 1 a 150 ns 5 µa @ 400 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a 8.2pf @ 4V, 1 MHz
BZX384C13-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384C13-E3-08 0,2400
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division BZX384 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SC-76, SOD-323 BZX384C13 200 MW SOD-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 100 na @ 8 v 13 v 30 Ohm
SMBJ5336A/TR13 Microsemi Corporation SMBJ5336A/TR13 - - -
RFQ
 ECAD 8634 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB SMBJ5336 5 w Smbj (do-214aa) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 1 a 10 µa @ 1 V 4.3 v 2 Ohm
VUO52-12NO1 IXYS VUO52-12NO1 33.6700
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg V1-a VUO52 Standard V1-a Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 24 1,13 V @ 20 a 40 µa @ 1200 V 54 a DRIPHASE 1,2 kv
BU2006-M3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BU2006-M3/45 1.9276
RFQ
 ECAD 6302 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-sip, bu BU2006 Standard ISOCINK+™ BU Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 20 1,05 V @ 10 a 5 µa @ 600 V 20 a Einphase 600 V
PAB3ND430825 Powerex Inc. Pab3nd430825 - - -
RFQ
 ECAD 5702 0.00000000 Powerex Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) PAB3-ND430825 10
MA4P504-1072T MACOM Technology Solutions MA4P504-1072T 6.5000
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Macom Technology Solutions - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 2-smd MA4P504 - - - Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0060 1.500 7,5 w 0,5PF @ 100V, 1 MHz Pin - Single 500V 600 MOHM @ 100 Ma, 100 MHz
1N5418E3 Microchip Technology 1N5418E3 10.0950
RFQ
 ECAD 7594 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv K. Loch B, axial Standard B, axial Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-1n5418e3 Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 400 V 1,5 V @ 9 a 150 ns 1 µa @ 400 V -65 ° C ~ 175 ° C. 3a - - -
TLZ27A-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TLZ27A-GS08 0,0335
RFQ
 ECAD 4004 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Tlz Band & Rollen (TR) Aktiv - - - -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 Tlz27 500 MW SOD-80 Minimelf Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 12.500 1,5 V @ 200 Ma 40 na @ 23 v 27 v 45 Ohm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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