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Dioden (166326)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Strom - Max | Leistungsdissipation (max) | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Ausfluss @ if, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | KBL610 | 1.1500 |  | 5 | 0.00000000 | Mdd | Kbl | Kasten | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-sip, kbl | Standard | Kbl | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 1,1 V @ 6 a | 10 µa @ 1000 V | 250 Ma | Einphase | 1 kv | ||||||||||||||
 | HSMP-389C-TR1 | - - - | | 6990 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | SC-70, SOT-323 | HSMP-389c | SOT-323 | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0060 | 3.000 | 1 a | 0,3PF @ 5V, 1 MHz | Pin - 1 Paar Serie Verbindung | 100V | 2,5 Ohm @ 5ma, 100 MHz | |||||||||||||||
 | CDS3026B-1 | - - - | | 1571 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-CDS3026B-1 | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | |||||||||||||||||||||||||
 | Jantxv1n968dur-1/tr | 21.6258 | | 3183 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/117 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n968dur-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 15 V. | 20 v | 25 Ohm | ||||||||||||||
 | BZX84-B10/DG/B4R | - - - | | 7947 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bzx84 | 250 MW | To-236ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934070218215 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 200 na @ 7 V | 10 v | 20 Ohm | ||||||||||||
| HBAT-540B-TR2G | - - - | | 4778 | 0.00000000 | Broadcom Limited | Hbat-540x | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | SC-70, SOT-323 | Hbat-540 | SOT-323 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | 430 Ma | 825 MW | - - - | Schottky - Single | 30V | - - - | |||||||||||||||
 | DF08SA-E3/77 | 0,6400 | | 11 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DF08 | Standard | DFS | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | 1,1 V @ 1 a | 5 µa @ 800 V | 1 a | Einphase | 800 V | |||||||||||||
| DFL1510S-E3/77 | 0,7700 | | 34 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DFL1510 | Standard | DFS | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | 1,1 V @ 1,5 a | 5 µA @ 1000 V | 1,5 a | Einphase | 1 kv | |||||||||||||
 | 1N5365BE3/TR8 | 2.6850 | | 5219 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | T-18, axial | 1N5365 | 5 w | T-18 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 NA @ 25.9 V. | 36 v | 11 Ohm | |||||||||||||
 | KBU6M | 1.7600 | | 7656 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, KBU | KBU6 | Standard | KBU | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 1 V @ 6 a | 10 µa @ 1000 V | 6 a | Einphase | 1 kv | ||||||||||||||
 | NTE5902 | 12.1800 | | 28 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc. | - - - | Tasche | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | Standard | Do-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2368-NTE5902 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 500 V | 1,23 V @ 50 a | 12 mA @ 500 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 16a | - - - | ||||||||||||||
 | DF04MA-E3/45 | 0,6100 | | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-EDIP (0,300 ", 7,62 mm) | DF04 | Standard | DFM | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V @ 1 a | 5 µa @ 400 V | 1 a | Einphase | 400 V | |||||||||||||
 | SMB2EZ6.2D5-TP | - - - | | 2947 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | Smb2ez6.2 | 2 w | Do-214AA (SMB) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 353-smb2ez6.2d5-tptr | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 5 µa @ 3 V | 6.2 v | 1,5 Ohm | ||||||||||||||
 | HZS20-1td-e | 0,1000 | | 25 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
 | Pzu3.0ba-qx | 0,3000 | | 3 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | 320 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 10 µa @ 1 V | 3 v | 95 Ohm | ||||||||||||||
 | JANS1N4134D-1 | 101.3100 | | 5596 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 69.2 V. | 91 V | 1200 Ohm | |||||||||||||||
| MDNA280UB2200PT | 151.8889 | | 9307 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Kasten | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | E2 | MDNA280 | Standard | E2 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 238-mDNA280UB2200PT | Ear99 | 8541.10.0080 | 28 | 1,75 V @ 270 a | 100 µA @ 2200 V | 280 a | DREIPHASE (Bremsen) | 2,2 kv | |||||||||||||
 | 1N4477d | 15.2684 | | 1162 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1,5 w | Do-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4477d | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 50 na @ 26.4 v | 33 v | 25 Ohm | ||||||||||||||
 | JantX1N4627-1 | 5.3850 | | 7174 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N4627 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 µa @ 5 V | 6.2 v | 1200 Ohm | |||||||||||||
 | BZT52C6V8S | 0,0170 | | 300 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | 200 MW | SOD-323 | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-BZT52C6v8str | Ear99 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 2 µa @ 4 V. | 6,8 v | 15 Ohm | |||||||||||||||
| 1n2979rd | 184.9050 | | 6507 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | 1N2979 | 10 w | DO-4 (DO-203AA) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n2979rd | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 2 a | 10 µa @ 11,4 V | 15 v | 3 Ohm | ||||||||||||||
 | BZT52-B12S-AU_R1_000A1 | 0,2400 | | 5 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | BZT52 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3757-BZT52-B12S-AU_R1_000A1DKR | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 100 na @ 9 V | 12 v | 20 Ohm | |||||||||||||
| SMBG5376BE3/TR13 | 1.1400 | | 9133 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | DO-215AA, SMB Möwenflügel | SMBG5376 | 5 w | SMBG (Do-215AA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 na @ 63 v | 87 v | 75 Ohm | |||||||||||||
| Jantxv1n943bur-1 | - - - | | 5511 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/157 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µa @ 8 V | 11.7 v | 30 Ohm | ||||||||||||||||
 | 1N4755a | - - - | | 8459 | 0.00000000 | Smc -Diodenlösungen | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | 200 ° C | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1 w | Do-41 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µA @ 32,7 V. | 43 v | 70 Ohm | |||||||||||||||
| CDLL4770/Tr | 73.3050 | | 7577 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 0 ° C ~ 75 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll4770/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µa @ 6 V | 9.1 v | 200 Ohm | |||||||||||||||
 | Pdzvtftr18b | 0,4400 | | 3295 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automotive, AEC-Q101, PDZVTF | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6,39% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-128 | Pdzvtftr18 | 1 w | PMDTM | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 10 µa @ 13 V | 19.15 v | 12 Ohm | ||||||||||||||
 | BZG04-13-M3-18 | 0,1980 | | 5733 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZG04-m | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BZG04 | 1,25 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 500 mA | 5 µa @ 13 V | 16 v | ||||||||||||||
 | BZD27C12P-M-08 | - - - | | 5383 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZD27-m | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27 | 800 MW | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 3 µa @ 9,1 V | 12 v | 7 Ohm | |||||||||||||
 | MMSZ5243B-HE3_A-08 | - - - | | 1473 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | 112-mmsz5243b-he3_a-08tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 500 NA @ 9.9 V. | 13 v | 13 Ohm |
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