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Dioden (166326)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Geschwindigkeit Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Ausfluss @ if, f
CDLL5278B Microchip Technology CDLL5278B 3.1350
RFQ
 ECAD 5819 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213ab, Melf CDLL5278 Do-213ab Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 100 na @ 123 v 170 v 1900 Ohm
SMBG5953C/TR13 Microsemi Corporation SMBG5953C/TR13 - - -
RFQ
 ECAD 3441 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung DO-215AA, SMB Möwenflügel SMBG5953 2 w SMBG (Do-215AA) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 200 Ma 1 µa @ 114 V 150 v 600 Ohm
B120B-13-F-52 Diodes Incorporated B120B-13-F-52 0,0896
RFQ
 ECAD 9014 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB B120 Schottky SMB Herunterladen 31-B120B-13-F-52 Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 20 v 500 mV @ 1 a 500 µa @ 20 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1a 110PF @ 4V, 1 MHz
1N1401R Solid State Inc. 1N1401R 15.5000
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Solid State Inc. - - - Kasten Aktiv Bolzenhalterung DO-205AA, DO-8, Stud Standard, Umgekehrte Polarität Do-8 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert 2383-1n1401r Ear99 8541.10.0080 10 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 400 V 1,2 V @ 200 a 50 µa @ 400 V -65 ° C ~ 200 ° C. 100a - - -
RS403GL-BP Micro Commercial Co RS403GL-BP 0,9700
RFQ
 ECAD 4388 0.00000000 Micro Commercial co - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-SIP, RS-4L RS403 Standard RS-4L Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 2.000 1,1 V @ 4 a 5 µa @ 200 V. 4 a Einphase 200 v
MBRF50035R GeneSiC Semiconductor MBRF50035R - - -
RFQ
 ECAD 8565 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg To-244ab Schottky To-244ab - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 35 V 250a 750 MV @ 250 a 1 ma @ 35 v -55 ° C ~ 150 ° C.
GBU4D-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU4D-E3/51 1.9500
RFQ
 ECAD 137 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-SIP, GBU GBU4 Standard GBU Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen GBU4DE351 Ear99 8541.10.0080 250 1 V @ 4 a 5 µa @ 200 V. 3 a Einphase 200 v
HER203G B0G Taiwan Semiconductor Corporation HER203G B0G - - -
RFQ
 ECAD 5131 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Schüttgut Aktiv K. Loch DO-204AC, DO-15, Axial HER203 Standard DO-204AC (Do-15) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 200 v 1 V @ 2 a 50 ns 5 µa @ 200 V. -55 ° C ~ 150 ° C. 2a 35PF @ 4V, 1 MHz
MURS2040CTA-BP Micro Commercial Co MURS2040CTA-BP 0,6300
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 ECAD 4829 0.00000000 Micro Commercial co - - - Schüttgut Aktiv K. Loch To-220-3 MURS2040 Standard To-220ab Herunterladen 353-murs2040CTA-BP Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 400 V 20a 1,25 V @ 10 a 35 ns 5 µa @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C.
1N4483US/TR Microchip Technology 1N4483us/tr 11.5000
RFQ
 ECAD 4933 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SQ-Melf, a 1,5 w D-5a - - - Ear99 8541.10.0050 100 1,5 V @ 1 a 250 NA @ 44.8 V. 56 v 70 Ohm
BZX384-C7V5,115 Nexperia USA Inc. BZX384-C7V5,115 0,2100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX384 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SC-76, SOD-323 BZX384 300 MW SOD-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,1 V @ 100 mA 1 µa @ 5 V 7,5 v 15 Ohm
ZGL41-160A-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZGL41-160A-E3/97 0,2020
RFQ
 ECAD 7201 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung Do-213ab, Melf ZGL41 1 w GL41 (Do-213AB) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 5.000 1,5 V @ 200 Ma 1 µA @ 121,6 V. 160 v 700 Ohm
RS1DB-13-G Diodes Incorporated RS1DB-13-G - - -
RFQ
 ECAD 7639 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Band & Rollen (TR) Veraltet - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen RS1DB-13-GDI Ear99 8541.10.0080 3.000
JANTXV1N4485US/TR Microchip Technology Jantxv1n4485us/tr 17.7750
RFQ
 ECAD 8361 0.00000000 Mikrochip -technologie MIL-PRF-19500/406 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SQ-Melf, a 1,5 w D-5a - - - 150-Jantxv1n4485us/tr Ear99 8541.10.0050 100 1,5 V @ 1 a 250 NA @ 54.4 V. 68 v 100 Ohm
1N2991R Solid State Inc. 1n2991r 6.5000
RFQ
 ECAD 200 0.00000000 Solid State Inc. - - - Kasten Aktiv ± 20% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Bolzenhalterung DO-203AA, DO-4, Stud 1N2991 10 w Do-4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert 2383-1n2991r Ear99 8541.10.0080 10 1,5 V @ 2 a 36 v 10 Ohm
PDA7R7S01216 Powerex Inc. PDA7R7S01216 - - -
RFQ
 ECAD 9990 0.00000000 Powerex Inc. * Schüttgut Aktiv PDA7R7 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 10
VUO22-08NO1 IXYS Vuo22-08no1 - - -
RFQ
 ECAD 5076 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg V1-a Vuo22 Standard V1-a Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 24 1,19 V @ 10 a 10 µa @ 800 V 25 a DRIPHASE 800 V
JANTX1N6643 Microchip Technology JantX1N6643 6.5200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/578 Schüttgut Aktiv K. Loch Axial 1N6643 Standard 05 Plastikpaket Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 125 v 1,2 V @ 100 mA 6 ns 50 na @ 20 v -65 ° C ~ 175 ° C. 300 ma 5PF @ 0V, 1MHz
1N5924PE3/TR8 Microchip Technology 1N5924PE3/TR8 0,9150
RFQ
 ECAD 3420 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C. K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1N5924 1,5 w DO-204AL (DO-41) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1.500 1,2 V @ 200 Ma 5 µa @ 7 V. 9.1 v 4 Ohm
SR009 B0G Taiwan Semiconductor Corporation SR009 B0G - - -
RFQ
 ECAD 1437 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Schüttgut Aktiv K. Loch Do-204Al, Do-41, axial SR009 Schottky DO-204AL (DO-41) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 1.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 90 v 850 MV @ 500 mA 100 µa @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C. 500 mA 65PF @ 4V, 1 MHz
BAS40/DG/B3R Nexperia USA Inc. BAS40/DG/B3R - - -
RFQ
 ECAD 8139 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Bas40 Schottky Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 934069986215 Ear99 8541.10.0070 3.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 40 v 1 V @ 40 mA 10 µa @ 40 V 150 ° C (max) 120 Ma 5PF @ 0V, 1MHz
JAN1N4105UR-1 Microchip Technology Jan1N4105ur-1 5.7000
RFQ
 ECAD 8414 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/435 Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213AA (GLAS) 1N4105 Do-213aa Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 50 na @ 8,5 V 11 v 200 Ohm
3N251-M4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 3N251-M4/51 - - -
RFQ
 ECAD 4471 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Tablett Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-sip, kbpm 3n251 Standard Kbpm - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 600 1 V @ 1 a 5 µa @ 800 V 1,5 a Einphase 800 V
3EZ16D/TR12 Microsemi Corporation 3EZ16D/TR12 - - -
RFQ
 ECAD 9028 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C. K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 3EZ16 3 w DO-204AL (DO-41) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 4.000 1,2 V @ 200 Ma 500 NA @ 12.2 V. 16 v 5,5 Ohm
PMEG3030BEP-QX Nexperia USA Inc. PMEG3030bep-QX 0,4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOD-128 Schottky SOD-128/CFP5 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 30 v 450 mV @ 3 a 150 µa @ 30 V 150 ° C. 3a 500PF @ 1V, 1 MHz
GBPC1510-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBPC1510-E4/51 5.3000
RFQ
 ECAD 196 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC -terminal 4 Quadratmeter, GBPC GBPC1510 Standard GBPC Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen GBPC1510E451 Ear99 8541.10.0080 100 1,1 V @ 7,5 a 5 µA @ 1000 V 15 a Einphase 1 kv
GBU4G-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU4G-E3/51 1.9500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-SIP, GBU GBU4 Standard GBU Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 250 1 V @ 4 a 5 µa @ 400 V 3 a Einphase 400 V
BZT52-B5V1S_R1_00001 Panjit International Inc. BZT52-B5V1S_R1_00001 0,1900
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Panjit International Inc. BZT52-B2V4S Band & Rollen (TR) Aktiv ± 1,96% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-90, SOD-323F BZT52 200 MW SOD-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 3757-BZT52-B5V1S_R1_00001DKR Ear99 8541.10.0050 5.000 100 na @ 800 mv 5.1 v 60 Ohm
GC6002-450A Microchip Technology GC6002-450A - - -
RFQ
 ECAD 5608 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Tablett Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C. Sterben Chip - - - UnberÜHrt Ereichen 150-GC6002-450A Ear99 8541.10.0060 1 1pf @ 6v, 1 MHz Pin - Single 14V - - -
ES2FA Yangjie Technology Es2fa 0,0380
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Yangjie -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - ROHS -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 4617-eS2fatr Ear99 5.000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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