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Dioden (166326)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Mer802t_t0_00601 | 0,9400 |  | 2 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | Mer802 | Standard | To-220ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 950 mv @ 8 a | 35 ns | 1 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 8a | 80pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
 | Mer3dma-au-u_r2_006a1 | 0,4100 | | 15 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | Mer3d | Standard | SMA (Do-214AC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 950 mv @ 3 a | 35 ns | 1 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 31PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||
 | 1N4448HWSQ-7-F | 0,0439 | | 7975 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | 1N4448 | Standard | SOD-323 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-1N4448HWSQ-7-FTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 80 v | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 100 na @ 80 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 250 Ma | 3.5PF @ 0V, 1 MHz | |||||||||
 | BAS521-QX | 0,0571 | | 4266 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | Standard | SOD-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1727-Bas521-QXTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 300 V | 1,1 V @ 100 mA | 50 ns | 150 NA @ 250 V | 150 ° C. | 250 Ma | 0,4PF @ 0V, 1 MHz | |||||||||
 | SMZG3796BHE3/5B | 0,2475 | | 4203 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | DO-215AA, SMB Möwenflügel | 1,5 w | SMBG (Do-215AA) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 112-smzg3796bhe3/5btr | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.200 | 5 µA @ 15,2 V | 20 v | 14 Ohm | ||||||||||||||
 | UGF8CThe3_A/p | - - - | | 7431 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-2 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | Standard | ITO-220AC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 112-ugf8cthe3_a/p | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1 V @ 8 a | 30 ns | 10 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | 45PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
 | Pzu5.1B3A-QX | 0,3000 | | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | 320 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 2 µa @ 1,5 V | 5.26 v | 60 Ohm | ||||||||||||
 | PMEG030V030PE-QZ | 0,5400 | | 5 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | Schottky | CFP15B | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 450 mV @ 3 a | 16 ns | 150 µa @ 30 V | 175 ° C. | 4.2a | 470pf @ 1V, 1 MHz | ||||||||||
| Pzu20b2a-qx | 0,3000 | | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | 320 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 50 µa @ 15 V | 19.96 v | 20 Ohm | ||||||||||||
| Pzu20ba-qx | 0,3000 | | 3 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | 320 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 50 µa @ 15 V | 19.97 v | 20 Ohm | ||||||||||||
| Pzu3.0b2a-Qx | 0,3000 | | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | 320 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 10 µa @ 1 V | 3.08 v | 95 Ohm | ||||||||||||
 | V10pwm60-m3/i | 0,3036 | | 5355 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Schottky | Slimdpak | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 112-V10PWM60-M3/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 610 mv @ 10 a | 400 µa @ 60 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 10a | 1580pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
 | V20pm63-m3/h | 0,8600 | | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | Schottky | To-277a (SMPC) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 680 mv @ 20 a | 40 µa @ 60 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 4.9a | 3400PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
 | BZX384C8V2-HG3-08 | 0,3900 | | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BZX384 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 700 NA @ 700 MV | 8.2 v | 6 Ohm | ||||||||||||
 | SE10DLJ-M3/i | 0,5280 | | 9390 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 leitete + tab) variante | Standard | To-263ac (SMPD) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 112-se10dlj-m3/itr | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1 V @ 10 a | 280 ns | 5 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3.6a | 70pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
 | V20KL45-m3/i | 0,3660 | | 6793 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | Schottky | Flatpak (5x6) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 112-V20KL45-M3/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 600 mv @ 20 a | 1 ma @ 45 v | -40 ° C ~ 150 ° C. | 5.4a | 3400PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
| V12P22HM3/h | 1.6400 | | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | Schottky | To-277a (SMPC) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 900 mv @ 12 a | 300 µA @ 200 V. | -40 ° C ~ 175 ° C. | 3.2a | 720PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
 | VS-A5PH3006LHN3 | 1.4317 | | 6304 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | Standard | To-247ad | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 112-VS-A5PH3006LHN3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,6 V @ 30 a | 46 ns | 20 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 30a | - - - | |||||||||||
| SE20DLGHM3/i | 1.7200 | | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 leitete + tab) variante | Standard | To-263ac (SMPD) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1 V @ 20 a | 330 ns | 5 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3.9a | 160pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
 | Au1fmhm3/i | 0,0980 | | 7998 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | Lawine | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 112-au1fmhm3/itr | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,85 V @ 1 a | 75 ns | 1 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 8.2pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
| V10pwm45-m3/i | 0,7000 | | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Schottky | Slimdpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 590 mv @ 10 a | 100 µA @ 45 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 10a | 1900pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
 | VS-E5PH6012LHN3 | 4.9700 | | 439 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-2 | Standard | To-247ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 112-VS-E5PH6012LHN3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1200 V | 2,5 V @ 60 a | 130 ns | 50 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 60a | - - - | |||||||||
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 | Df1501sp-g | - - - | | 4755 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | Standard | DFS | Herunterladen | 641-DF1501sp-G | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,1 V @ 1,5 a | 5 µa @ 100 V. | 1,5 a | Einphase | 100 v | ||||||||||||||
| Df1506sp-g | - - - | | 4724 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | Standard | DFS | Herunterladen | 641-DF1506SP-G | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,1 V @ 1,5 a | 5 µa @ 600 V | 1,5 a | Einphase | 600 V | ||||||||||||||
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| DB103ST-HF | - - - | | 9582 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | Standard | Dbs | Herunterladen | 641-db103st-hftr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,1 V @ 1 a | 10 µA @ 200 V. | 1 a | Einphase | 200 v | ||||||||||||||
| Df202sp-g | - - - | | 6873 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | Standard | DFS | - - - | 641-df202sp-g | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,1 V @ 2 a | 10 µA @ 200 V. | 2 a | Einphase | 200 v | ||||||||||||||
| DF10ST-HF | - - - | | 9227 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | Standard | DFS | Herunterladen | 641-df10st-hftr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,1 V @ 1 a | 10 µa @ 1000 V | 1 a | Einphase | 1 kv | ||||||||||||||
| DB102SP-HF | - - - | | 8002 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | Standard | Dbs | Herunterladen | 641-DB102SP-HF | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,1 V @ 1 a | 10 µa @ 100 V. | 1 a | Einphase | 100 v |
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