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Dioden (166326)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Strom - Max | Leistungsdissipation (max) | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Ausfluss @ if, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jankca1n757a | - - - |  | 6694 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/127 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jankca1n757a | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 1 µa @ 7 V. | 9.1 v | 10 Ohm | |||||||||||||||
 | Jan1N3825CUR-1/Tr | 31.6274 | | 1096 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1 w | Do-213AB (Melf, LL41) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N3825CUR-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µa @ 1 V | 4,7 v | 8 Ohm | |||||||||||||||
 | Jan1N969C-1/Tr | 4.0432 | | 7018 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/117 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N969C-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 17 V | 22 v | 29 Ohm | |||||||||||||||
 | 1N3017B-1/Tr | 7.4214 | | 4884 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N3017 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n3017b-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 100 µA @ 5,7 V | 7,5 v | 4 Ohm | ||||||||||||||
 | JANS1N4125CUR-1/Tr | 91.5802 | | 2738 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1N4125CUR-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 35.8 V. | 47 v | 250 Ohm | |||||||||||||||
 | JantX1N6319CUS/Tr | 39.5675 | | 1071 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 500 MW | B, SQ-Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-JantX1N6319CUS/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 5 µa @ 3,5 V | 6.2 v | 3 Ohm | |||||||||||||||
 | Jantx1n4465/tr | 6.2111 | | 6838 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1,5 w | DO-204AL (DO-41) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n4465/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 300 na @ 8 v | 10 v | 5 Ohm | |||||||||||||||
| Jan1N978C-1/Tr | 4.7481 | | 4147 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/117 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N978C-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 39 V | 51 v | 125 Ohm | |||||||||||||||
| JantX1N6324us/Tr | 16.5718 | | 4010 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 500 MW | B, SQ-Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n6324us/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 1 µa @ 8 V. | 10 v | 6 Ohm | |||||||||||||||
| JantXV1N5542B-1/Tr | 8.2327 | | 6197 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1N5542B-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 19.8 V. | 22 v | 100 Ohm | |||||||||||||||
| Jan1N4619C-1/Tr | 8.6317 | | 7180 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N4619C-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 400 na @ 1 v | 3 v | 1600 Ohm | |||||||||||||||
 | Jankca1n4110 | - - - | | 6748 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 500 MW | DO-7 (DO-204AA) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jankca1N4110 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 50 NA @ 12.15 V. | 16 v | 100 Ohm | |||||||||||||||
| JantXV1N4113D-1/Tr | 25.8153 | | 6246 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1N4113D-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 50 NA @ 14.5 V. | 19 v | 150 Ohm | |||||||||||||||
| Jantxv1n6331us/tr | 19.9234 | | 5121 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 500 MW | B, SQ-Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1N6331US/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 15 V | 20 v | 18 Ohm | |||||||||||||||
| Jankca1n4571a | - - - | | 8134 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jankca1n4571a | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 6.4 v | 100 Ohm | ||||||||||||||||
 | CD6344 | 2.1014 | | 8730 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | - - - | Oberflächenhalterung | Sterben | Sterben | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-CD6344 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||
 | RS2MB | 0,1155 | | 195 | 0.00000000 | Mdd | SMB | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | Standard | SMB | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3372-RS2MBTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 12.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,3 V @ 2 a | 500 ns | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 50pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||
 | DDB2U60N12W1RFB11BPSA1 | 132.7200 | | 2 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolsic ™ | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | Standard | Ag-Easy1b-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 24 | 1,85 V @ 60 a | 174 µa @ 1200 V | 60 a | Einphase | 1,2 kv | |||||||||||||||
 | BZX884B30L-HG3-08 | 0,3600 | | 9 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZX884L | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 0402 (1006 Metrik) | BZX884 | 300 MW | DFN1006-2A | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 21 v | 30 v | 80 Ohm | ||||||||||||||
| BZX884B11L-HG3-08 | 0,3600 | | 19 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZX884L | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 0402 (1006 Metrik) | 300 MW | DFN1006-2A | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 8 v | 11 v | 20 Ohm | ||||||||||||||||
| BZX884B39L-G3-08 | 0,3200 | | 9 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZX884L | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 0402 (1006 Metrik) | 300 MW | DFN1006-2A | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 27.3 v | 39 v | 130 Ohm | |||||||||||||||
| BZX884B6V8L-HG3-08 | 0,3600 | | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZX884L | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 0402 (1006 Metrik) | 300 MW | DFN1006-2A | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 900 mv @ 10 mA | 2 µa @ 4 V. | 6,8 v | 15 Ohm | ||||||||||||||||
 | ID101 TO-71 6L | 6.8300 | | 490 | 0.00000000 | Linear Integrated Systems, Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Bis 71-6 Metalldose | To-71 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0080 | 500 | 20 ma | 300 MW | 1pf @ 10v, 1 MHz | Standard - 2 Unabhängig | 30V | - - - | ||||||||||||||||
| Sml4728-t/r | 0,0900 | | 10 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | 1 w | SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | 2439-SML4728-T/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 100 µa @ 1 V | 3.3 v | 10 Ohm | |||||||||||||||
 | Pdz27b-qx | 0,0273 | | 4370 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, PDZ-BQ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | Pdz27b | 400 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 50 na @ 21 v | 27 v | 40 Ohm | ||||||||||||||
 | BZX84C36VLYT116 | 0,4200 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5,56% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 Na @ 25 V. | 36 v | 90 Ohm | ||||||||||||||||
| BZX84C11VLYT116 | 0,4200 | | 6 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5,45% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 8 v | 11 v | 20 Ohm | ||||||||||||||||
| BZX84C7V5LYFHT116 | 0,3800 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µa @ 5 V | 7,5 v | 15 Ohm | ||||||||||||||||
| BZX84C10VLYT116 | 0,4200 | | 8 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 200 na @ 7 V | 10 v | 20 Ohm | ||||||||||||||||
 | PTZTFTE252.2B | 0,4800 | | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5,68% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | 1 w | PMDs | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 200 µA @ 700 mV | 2,32 v | 20 Ohm |
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