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Dioden (166326)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | VSB3200-M3/73 | - - - |  | 4770 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | TMBS® | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | Do-201ad, axial | B3200 | Schottky | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VSB3200M373 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,2 V @ 3 a | 60 µA @ 200 V. | -40 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 175PF @ 4V, 1 MHz | ||||||
 | Z4KE130A-E3/73 | - - - | | 3164 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | Z4KE130 | 1,5 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Z4KE130AE373 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 V @ 500 mA | 500 NA @ 99.2 V. | 130 v | 800 Ohm | |||||||
| ZPY33-TAP | 0,3700 | | 25 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | ± 5% | 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | ZPY33 | 1,3 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 500 NA @ 25 V. | 33 v | 11 Ohm | |||||||||
| ZPY5V1-TAP | 0,3700 | | 19 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | ± 5% | 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | ZPY5V1 | 1,3 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 500 NA @ 700 MV | 5.1 v | 2 Ohm | |||||||||
| ZPY6V2-TAP | 0,3700 | | 25 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | ± 5% | 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | ZPY6V2 | 1,3 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 500 na @ 2 v | 6.2 v | 1 Ohm | |||||||||
| ZPY8V2-TAP | 0,0545 | | 3516 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Box (TB) | Aktiv | ± 5% | 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | Zpy8v2 | 1,3 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | ZPY8V2TAP | Ear99 | 8541.10.0050 | 25.000 | 500 na @ 6 v | 8.2 v | 1 Ohm | ||||||||
 | VS-95PF160 | 11.3300 | | 2868 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | 95PF160 | Standard | DO-203AB (DO-5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1600 v | 1,4 V @ 267 a | -55 ° C ~ 180 ° C. | 95a | - - - | ||||||||
| VS-95PFR80 | 6.4340 | | 9197 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | 95PFR80 | Standard, Umgekehrte Polarität | DO-203AB (DO-5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VS95PFR80 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,4 V @ 267 a | -55 ° C ~ 180 ° C. | 95a | - - - | |||||||
| VS-SD1100C30L | 123.9467 | | 6227 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-200AA, A-Puk | SD1100 | Standard | B-43, Hockey Puk | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VSSD1100C30L | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 3000 v | 1,44 V @ 1500 a | -40 ° C ~ 150 ° C. | 910a | - - - | |||||||
 | VS-SD200R16M12C | 94.7420 | | 1642 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | Do-205AC, Do-30, Stud | SD200 | Standard, Umgekehrte Polarität | DO-205AC (DO-30) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VSSD200R16M12C | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1600 v | 1,4 V @ 630 a | -40 ° C ~ 180 ° C. | 200a | - - - | |||||||
| VS-SD200R16PC | 65.9388 | | 4325 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | Do-205AC, Do-30, Stud | SD200 | Standard, Umgekehrte Polarität | DO-205AC (DO-30) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VSSD200R16PC | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1600 v | 1,4 V @ 630 a | -40 ° C ~ 180 ° C. | 200a | - - - | |||||||
| VS-SD500R36PTC | 153.7333 | | 1906 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | B-8 | SD500 | Standard | B-8 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VSSD500R36PTC | Ear99 | 8541.10.0080 | 6 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 2a (IO) | 3600 V | 1,66 V @ 1000 a | -40 ° C ~ 150 ° C. | 300a | - - - | |||||||
| VS-SD600N22PC | 175.8700 | | 4755 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | B-8 | SD600 | Standard | B-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 6 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 2200 v | 1,44 V @ 1500 a | -40 ° C ~ 150 ° C. | 600a | - - - | ||||||||
 | VS-309UA250 | - - - | | 7131 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | Bolzenhalterung | Do-205AB, Do-9, Stud | 309UA250 | Standard | DO-205AB (DO-9) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VS309UA250 | Ear99 | 8541.10.0080 | 12 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 2500 V | 1,46 V @ 942 a | -40 ° C ~ 180 ° C. | 300a | - - - | |||||||
 | VS-30BQ100GPBF | - - - | | 4944 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | 30BQ100 | Schottky | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | VS30BQ100GPBF | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 790 mv @ 3 a | 100 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 115PF @ 5V, 1 MHz | |||||||
| VS-40HFR140M | 15.8598 | | 7678 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | 40HFR140 | Standard, Umgekehrte Polarität | DO-203AB (DO-5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VS40HFR140M | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1400 v | 1,5 V @ 125 a | -65 ° C ~ 160 ° C. | 40a | - - - | |||||||
| VS-40HFR20M | 15.5773 | | 9764 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | 40HFR20 | Standard, Umgekehrte Polarität | DO-203AB (DO-5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VS40HFR20M | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,3 V @ 125 a | -40 ° C ~ 180 ° C. | 40a | - - - | |||||||
| VS-45L40 | 38.7000 | | 22 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | Bolzenhalterung | Do-205AC, Do-30, Stud | 45L40 | Standard | DO-205AC (DO-30) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,33 V @ 471 a | -40 ° C ~ 200 ° C. | 150a | - - - | ||||||||
| VS-50PF140W | 5.6038 | | 9798 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | 50pf140 | Standard | DO-203AB (DO-5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VS50PF140W | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1400 v | 1,5 V @ 125 a | -55 ° C ~ 160 ° C. | 50a | - - - | |||||||
| VS-70HFR40M | 17.0803 | | 4572 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | 70HFR40 | Standard, Umgekehrte Polarität | DO-203AB (DO-5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VS70HFR40M | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,35 V @ 220 a | -65 ° C ~ 180 ° C. | 70a | - - - | |||||||
| VS-72HFR120 | 11.8100 | | 6804 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | 72HFR120 | Standard, Umgekehrte Polarität | DO-203AB (DO-5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1200 V | 1,35 V @ 220 a | -65 ° C ~ 180 ° C. | 70a | - - - | ||||||||
| VS-80PF40W | 4.7892 | | 1583 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | 80PF40 | Standard | DO-203AB (DO-5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VS80PF40W | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,4 V @ 220 a | -55 ° C ~ 180 ° C. | 80a | - - - | |||||||
| VS-88HF80 | 12.0800 | | 80 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | 88HF80 | Standard | DO-203AB (DO-5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,2 V @ 267 a | -65 ° C ~ 180 ° C. | 85a | - - - | ||||||||
 | VS-10ETS12FP-M3 | 2.3200 | | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 Full Pack | 10ets12 | Standard | To-220-2 Full Pack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VS-10ETS12FP-M3GI | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1200 V | 1,1 V @ 10 a | 50 µa @ 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - - - | ||||||
 | VS-12TQ045-N3 | - - - | | 8068 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-2 | 12TQ045 | Schottky | To-220ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VS-12TQ045-N3GI | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 710 mv @ 30 a | 1,75 mA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 15a | 900pf @ 5v, 1 MHz | ||||||
 | B330LA-M3/5AT | 0,1683 | | 9972 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | B330 | Schottky | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 500 mV @ 3 a | 500 µa @ 30 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - - - | |||||||
 | BZT52C3V3-E3-18 | 0,2700 | | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZT52 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BZT52C3V3 | 410 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 3.3 v | 80 Ohm | ||||||||||
| BZT52C3V9-E3-18 | 0,0360 | | 3069 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZT52 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BZT52C3V9 | 410 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 3,9 v | 80 Ohm | ||||||||||
| BZT52C3V9-HE3-18 | 0,0378 | | 9442 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZT52 | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BZT52C3V9 | 410 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2266-BZT52C3V9-HE3-18 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 3,9 v | 80 Ohm | |||||||||
| BZT52C43-E3-18 | 0,0360 | | 2760 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZT52 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BZT52C43 | 410 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 100 na @ 32 V | 43 v | 97 Ohm |
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