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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | S3g-tp | 0,4800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | S3g | Standard | SMC (Do-214AB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,2 V @ 3 a | 10 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - - - | ||||||||||
![]() | JANS1N5550 | 81.1500 | ![]() | 1982 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/420 | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | B, axial | Standard | B, axial | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,2 V @ 9 a | 2 µs | -65 ° C ~ 175 ° C. | 5a | - - - | |||||||||||||
![]() | 1N4753AE3/TR13 | - - - | ![]() | 3727 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4753 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µa @ 27,4 V | 36 v | 50 Ohm | |||||||||||
![]() | Jantxv1n3049cur-1 | - - - | ![]() | 7774 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG40T20ERX | 0,4400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123W | PMEG40 | Schottky | SOD-123W | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 450 mV @ 2 a | 11.5 ns | 22 µa @ 40 V | 175 ° C (max) | 2a | 350pf @ 1V, 1 MHz | |||||||||
![]() | 1N4476 | 6.9000 | ![]() | 8255 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/406 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | DO-204AL, DO041, Axial | 1N4476 | 1,5 w | Do-41 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 1N4476ms | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 50 na @ 24 v | 30 v | 20 Ohm | |||||||||||
![]() | BAS40-50B5003 | - - - | ![]() | 8439 | 0.00000000 | Infineon -technologien | * | Schüttgut | Aktiv | Bas40 | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||||||||
![]() | HER601GP-TP | 0,4120 | ![]() | 8987 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | R-6, axial | HER601 | Standard | R-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,1 V @ 6 a | 50 ns | 10 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 6a | 100pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||
![]() | BZX84-C68,215 | 0,0200 | ![]() | 104 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 250 MW | To-236ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-BZX84-C68,215-954 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 50 NA @ 47.6 V. | 68 v | 240 Ohm | ||||||||||||||
1N458a | 2.0700 | ![]() | 5440 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N458 | Standard | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 1N458AMS | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 150 v | 1 V @ 100 mA | 1 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 150 Ma | - - - | |||||||||||
![]() | SFAF804G | - - - | ![]() | 7519 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | To-220-2 Full Pack | SFAF804 | Standard | ITO-220AC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 950 mv @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | 90pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | 1N4148ur-1e3/tr | 1.5162 | ![]() | 7943 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 1N4148 | Standard | Do-213aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4148ur-1e3/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 75 V | 1,2 V @ 100 mA | 20 ns | 500 NA @ 75 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 200 ma | 4PF @ 0V, 1MHz | |||||||||
![]() | 1n5241b-tr | 0,2300 | ![]() | 69 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5241 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 2 µa @ 8,4 V | 11 v | 22 Ohm | |||||||||||
![]() | PMEG60T30ELPX | 0,6300 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-128 | PMEG60 | Schottky | SOD-128/CFP5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 620 mv @ 3 a | 16 ns | 1,8 µa @ 60 V | 175 ° C (max) | 3a | 560PF @ 1V, 1 MHz | |||||||||
![]() | 1N4912a/tr | 28.9950 | ![]() | 3071 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 400 MW | Do-7 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4912a/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 12,8 v | 25 Ohm | ||||||||||||||
![]() | DBL206S | 0,1230 | ![]() | 150 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-dbl206str | Ear99 | 1.500 | |||||||||||||||||||||||
![]() | JANS1N6334DUS | 527.5650 | ![]() | 3443 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 500 MW | B, SQ-Melf | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1N6334DUS | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 21 v | 27 v | 27 Ohm | |||||||||||||
![]() | 1n5616 tr | - - - | ![]() | 7062 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Band & Box (TB) | Lets Kaufen | K. Loch | R-1, axial | 1N5616 | Standard | GPR-1A | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,2 V @ 1 a | 2 µs | 500 NA @ 400 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 1a | 35PF @ 12V, 130 kHz | |||||||||||||
![]() | 1n5928d | 6.0300 | ![]() | 3686 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | DO-204AL, DO041, Axial | 1N5928 | 1,25 w | Do-41 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 9,9 V | 13 v | 7 Ohm | ||||||||||||
![]() | M50100CC600 | - - - | ![]() | 2851 | 0.00000000 | Sensata-Cryom | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | Modul | Standard | Modul | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2266-M50100CC600 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 600 V | 100a | 1,2 V @ 100 a | -40 ° C ~ 125 ° C. | ||||||||||||
![]() | 1N3344RB | 8.5000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - - - | Kasten | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | 50 w | Do-5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 2383-1n3344RB | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 1,5 V @ 10 a | 5 µA @ 98,8 V. | 130 v | 50 Ohm | |||||||||||
![]() | IDK02G120C5XTMA1 | 3.7900 | ![]() | 8160 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolsic ™+ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IDK02G120 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | PG-to263-2-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-IDK02G120C5XTMA1-448 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1200 V | 1,65 V @ 2 a | 18 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 11.8a | 182pf @ 1V, 1 MHz | |||||||||
![]() | VS-VSKD250-16PBF | 174.6900 | ![]() | 5775 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | 3-magn-a-pak ™ | VSKD250 | Standard | Magn-a-Pak® | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VSVSKD25016PBF | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 1600 v | 125a | 50 mA @ 1600 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
JantX1N981BUR-1/Tr | 5.5328 | ![]() | 6253 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/117 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N981 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n981bur-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 52 V | 68 v | 230 Ohm | ||||||||||||
![]() | 1N4745CP/TR8 | 2.2800 | ![]() | 6352 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4745 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µA @ 12,2 V. | 16 v | 16 Ohm | |||||||||||
![]() | PMEG2020EPASX | 0,4100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 3-udfn exponiert pad | PMEG2020 | Schottky | DFN2020D-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 420 mv @ 2 a | 50 ns | 1,9 mA @ 20 v | 150 ° C (max) | 2a | 175PF @ 1V, 1 MHz | |||||||||
![]() | BZD17C20P-E3-08 | 0,1356 | ![]() | 1663 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD17 | 800 MW | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 30.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 15 V | 20 v | ||||||||||||
CDLL5944c | 7.8450 | ![]() | 3163 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | CDLL5944 | 1,25 w | Do-213ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 47,1 V | 62 v | 100 Ohm | ||||||||||||
![]() | SR10100L-TP | 0,2500 | ![]() | 5259 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | SR10100 | Schottky | Do-201ad | Herunterladen | 353-SR10100L-TP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 750 mv @ 10 a | 200 µA @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | 700PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | UF158G_R2_00001 | 0,0567 | ![]() | 2102 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | UF158 | Standard | Do-15 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 60.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,7 V @ 1,5 a | 100 ns | 1 µa @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1,5a | 25pf @ 4v, 1 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus