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Dioden (166326)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZD27C200P MHG | - - - |  | 9768 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27 | 1 w | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 150 V | 200 v | 750 Ohm | ||||||||||
| BZD27C200PHMHG | - - - | | 9010 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27 | 1 w | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 150 V | 200 v | 750 Ohm | ||||||||||
| BZD27C20PHMHG | - - - | | 2911 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27 | 1 w | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 15 V | 20 v | 15 Ohm | ||||||||||
| BZD27C27PHMHG | - - - | | 9111 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 7,03% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27 | 1 w | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 20 V | 27 v | 15 Ohm | ||||||||||
| BZD27C30PHMHG | - - - | | 8448 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6,66% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27 | 1 w | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 22 V. | 30 v | 15 Ohm | ||||||||||
| BZD27C33P MHG | - - - | | 7041 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6,06% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27 | 1 w | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 24 V. | 33 v | 15 Ohm | ||||||||||
| BZD27C39P M2G | - - - | | 4502 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5,12% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27 | 1 w | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 30 V | 39 v | 40 Ohm | ||||||||||
| BZD27C56PHMHG | - - - | | 1524 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 7,14% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27 | 1 w | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 43 V | 56 v | 60 Ohm | ||||||||||
| BZD27C62PHM2G | - - - | | 1899 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6,45% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27 | 1 w | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 47 V | 62 v | 80 Ohm | ||||||||||
| BZD27C68P MHG | - - - | | 9046 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5,88% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27 | 1 w | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 51 V | 68 v | 80 Ohm | ||||||||||
| BZD27C7V5P MHG | - - - | | 7770 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 6,04% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27 | 1 w | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 50 µa @ 3 V | 7.45 v | 2 Ohm | ||||||||||
| BZD27C7V5PHMHG | - - - | | 7471 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6,04% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27 | 1 w | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 50 µa @ 3 V | 7.45 v | 2 Ohm | ||||||||||
| ES1DL MHG | - - - | | 2260 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | Es1d | Standard | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 950 mv @ 1 a | 35 ns | 5 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 1V, 1 MHz | ||||||||
| SS19LHM2G | - - - | | 1478 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | SS19 | Schottky | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 90 v | 800 mV @ 1 a | 50 µa @ 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - - - | |||||||||
 | SS25HM4G | - - - | | 8983 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SS25 | Schottky | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 700 mv @ 2 a | 400 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - - - | |||||||||
 | Ug2ja | 0,1257 | | 2352 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | Ug2j | Standard | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,3 V @ 2 a | 55 ns | 2 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 20pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||
| Es1lgh | 0,0779 | | 9300 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | Es1l | Standard | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,3 V @ 1 a | 35 ns | 5 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 18PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||
| Es2ljh | 0,1309 | | 7880 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | Es2l | Standard | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,7 V @ 2 a | 35 ns | 10 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 20pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||
| HS2M | 0,3900 | | 6 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | HS2M | Standard | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,7 V @ 2 a | 75 ns | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 30pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||
| HS3DB | 0,1377 | | 4752 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | HS3D | Standard | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1 V @ 3 a | 50 ns | 10 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 80pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||
| Mur110sh | 0,1162 | | 7737 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | Mur110 | Standard | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 875 mv @ 1 a | 25 ns | 2 µa @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - - - | ||||||||
 | S4B M6G | - - - | | 8468 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | S4B | Standard | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,15 V @ 4 a | 1,5 µs | 100 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 4a | 60pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||
| SK810Chm6g | - - - | | 5591 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | SK810 | Schottky | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 900 mv @ 8 a | 500 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - - - | |||||||||
| S3dbh | 0,1210 | | 8033 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | S3d | Standard | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,15 V @ 3 a | 1,5 µs | 10 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 40pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||
 | HER605G B0G | - - - | | 6615 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | R-6, axial | HER605 | Standard | R-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 400 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,3 V @ 6 a | 50 ns | 10 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 6a | 80pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||
 | SRAF520 C0G | - - - | | 4450 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | To-220-2 Full Pack | SRAF520 | Schottky | ITO-220AC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 550 mV @ 5 a | 500 µa @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 5a | - - - | |||||||||
 | TS10KL100 | 0,5997 | | 9874 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, KBJL | TS10KL100 | Standard | KBJL | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 5 a | 5 µA @ 1000 V | 10 a | Einphase | 1 kv | ||||||||||
 | TS10P01G C2G | - - - | | 7118 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, TS-6P | TS10P01 | Standard | TS-6P | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,1 V @ 10 a | 10 µa @ 50 V | 10 a | Einphase | 50 v | ||||||||||
| TS10P01GHC2G | - - - | | 8478 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, TS-6P | TS10P01 | Standard | TS-6P | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,1 V @ 10 a | 10 µa @ 50 V | 10 a | Einphase | 50 v | ||||||||||
| TS10P02GHC2G | - - - | | 3810 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, TS-6P | TS10P02 | Standard | TS-6P | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,1 V @ 10 a | 10 µa @ 100 V. | 10 a | Einphase | 100 v |
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