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Dioden (29505)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BAS170WS-E3-08 | 0,4000 |  | 36 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | Bas170 | Schottky | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 70 V | 1 V @ 15 mA | 10 µa @ 70 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 70 Ma | 2PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||
 | PLZ33B-G3/H | 0,3200 | | 30 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | PLZ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 3% | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-219AC | PLZ33 | 500 MW | Do-219AC (microSMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.500 | 900 mv @ 10 mA | 200 Na @ 25 V. | 33 v | 65 Ohm | ||||||||||||
 | TZS4716-GS08 | 0,0411 | | 4245 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-80-Variale | TZS4716 | 500 MW | SOD-80 Quadromelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.500 | 1,5 V @ 100 mA | 10 µa @ 29.6 V | 39 v | |||||||||||||
 | AZ23C39-HE3-18 | 0,0436 | | 5239 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, AZ23 | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | AZ23C39 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 100 na @ 29 V | 39 v | 90 Ohm | ||||||||||||
 | BZD27C68P-E3-18 | 0,4400 | | 6957 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZD27C | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27C68 | 800 MW | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 51 V | 68 v | 80 Ohm | ||||||||||||
| SS1F4HM3/H | 0,4700 | | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | SS1F4 | Schottky | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 520 mv @ 1 a | 150 µa @ 40 V | 175 ° C (max) | 1a | 85PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
 | Esh1dhe3_a/i | 0,4800 | | 2876 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | Esh1 | Standard | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 900 mv @ 1 a | 25 ns | 1 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 25pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||
| VS-15MQ040NTRPBF | 0,8500 | | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | 15mq040 | Schottky | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 490 mv @ 2 a | 500 µa @ 40 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 1,5a | 134pf @ 10V, 1 MHz | |||||||||||
 | RGP20AHE3/54 | - - - | | 7458 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-201aa, Do-27, axial | RGP20 | Standard | GP20 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.400 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,3 V @ 2 a | 150 ns | 5 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 2a | - - - | ||||||||||
| S1flg-GS18 | 0,0512 | | 5730 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | S1f | Standard | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,1 V @ 1 a | 1,8 µs | 10 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 700 Ma | 4PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
 | VS-43CTQ080GSTRRP | - - - | | 1071 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | 43CTQ080 | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | VS43CTQ080GSTRRP | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 80 v | 20a | 810 mv @ 20 a | 360 µa @ 80 V | 175 ° C (max) | |||||||||||
| BZT55B18-GS08 | 0,3200 | | 12 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZT55 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-80-Variale | BZT55B18 | 500 MW | SOD-80 Quadromelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 na @ 13 v | 18 v | 50 Ohm | ||||||||||||
 | RGP10BE-E3/53 | - - - | | 2426 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Superectifier® | Band & Box (TB) | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | RGP10 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
 | Ss36-001he3_a/i | - - - | | 6530 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | SS36 | Schottky | Do-214AB (SMC) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 750 mv @ 3 a | 500 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - - - | |||||||||||
 | TLZ8V2B-GS18 | 0,0335 | | 6037 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Tlz | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | Tlz8v2 | 500 MW | SOD-80 Minimelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 7,5 µa Bei 7,39 V | 8.2 v | 8 Ohm | ||||||||||||
 | MMSZ5249B-HE3-08 | 0,0378 | | 5242 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ5249 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 100 na @ 14 v | 19 v | 23 Ohm | |||||||||||||
 | V12P10-M3/86A | 0,9800 | | 41 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP®, TMBS® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | V12p10 | Schottky | To-277a (SMPC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 700 mv @ 12 a | 250 µa @ 100 V. | -40 ° C ~ 150 ° C. | 12a | - - - | |||||||||||
 | VS-52PF120 | 6.5751 | | 4512 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | 52PF120 | Standard | DO-203AB (DO-5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VS52PF120 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1200 V | 1,4 V @ 125 a | -55 ° C ~ 180 ° C. | 50a | - - - | |||||||||||
| S5ahe3/57t | - - - | | 4730 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | S5a | Standard | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,15 V @ 5 a | 2,5 µs | 10 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 40pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||
 | VS-MBRD660CTPBF | - - - | | 2772 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MBRD6 | Schottky | D-Pak (to-252aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 75 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 3a | 650 mv @ 3 a | 100 µa @ 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
 | VS-40CPQ080PBF | - - - | | 5069 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-247-3 | 40cpq080 | Schottky | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 80 v | 20a | 770 mv @ 20 a | 1,25 mA @ 80 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||
 | Byv28-600-tr | 1.5500 | | 16 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | SOD-64, axial | Byv28 | Lawine | SOD-64 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,35 V @ 5 a | 50 ns | 5 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3.5a | - - - | ||||||||||
| Vs-8ews08strlpbf | - - - | | 5548 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 8ews08 | Standard | D-Pak (to-252aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Vs8ews08strlpbf | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,1 V @ 8 a | 25 ns | 50 µa @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - - - | |||||||||
| MMSZ4697-HE3-18 | 0,0378 | | 7115 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ4697 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 µA @ 7,6 V | 10 v | ||||||||||||||
| MBRB3045CTTRR | - - - | | 1905 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MBRB30 | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 45 V | 15a | 600 mv @ 20 a | 1 ma @ 45 v | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
| VS-15ETL06S-M3 | 1.3000 | | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Fred Pt® | Rohr | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | 15tl06 | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,05 V @ 15 a | 270 ns | 10 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 15a | - - - | ||||||||||
| BZT52C2V4-HE3-08 | 0,0378 | | 5031 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZT52 | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BZT52C2v4 | 410 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 2,4 v | 100 Ohm | ||||||||||||||
| MBRB1635HE3_B/P. | 0,7838 | | 1885 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MBRB1635 | Schottky | To-263ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 35 V | 630 mv @ 16 a | 200 µA @ 35 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 16a | - - - | |||||||||||
| VS-4ESH01-M3/87A | 0,5900 | | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Fred Pt® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | 4esh01 | Standard | To-277a (SMPC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 930 mv @ 4 a | 25 ns | 2 µa @ 4 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 4a | - - - | ||||||||||
| SS10PH9HM3/86A | - - - | | 8420 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | SS10PH9 | Schottky | To-277a (SMPC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 90 v | 880 mv @ 10 a | 10 µa @ 90 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 10a | 270pf @ 4V, 1 MHz |
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